-
公开(公告)号：CN117497839A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202311561087.5
申请日：2023-11-21
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
IPC: H01M10/0565 , H01M10/052 , H01M10/058
Abstract: 本发明公开了一种聚合物固态电解质、制备方法及其在固态电池中的应用，是利用高分子聚合物：锂盐：含活性官能团的添加剂＝x：y：z合理调配x，y，z的比例组成3D连接网络聚合物固态电解质，质量分数x为50～80％，y为15～40％，z为5～10％。本发明利用添加剂与有机溶剂良好的相容性，通过简单搅拌、超声分散，即可将添加剂均匀分散至聚合物电解质体系。纤维状的添加剂还能能显著改善聚合物电解质的力学性能，提高其对锂稳定性。与未引入添加剂的聚合物电解质相比，添加剂构筑的3D氢键、范德华库混合网络的聚合物电解质具有相当高的电化学窗口(5.4V)，对锂稳定性与循环稳定性能十分优异。
-
公开(公告)号：CN117614668A
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202311562250.X
申请日：2023-11-21
Applicant: 西安胡门网络技术有限公司 , 成都西电网络安全研究院 , 西安电子科技大学
IPC: H04L9/40 , H04L43/12 , H04L41/0677 , H04L67/12
Abstract: 本发明提供了一种企业互联网暴露面资产探测系统及其方法，涉及互联网安全探测技术领域，目的是实现资产探测自动分类以省去资产需要人工登记的繁琐步骤且优化展示交互方式，包括Server端和多个Agent端，Agent端分别连接到Server端；Agent端用于获取对应代理网段的暴露面资产分布情况，并作为扫描结果发给Server端；Server端用于接收扫描结果、对扫描结果进行分析处理、绘制成网络拓扑图并进行交互展示。本发明具有资产探测更高效可靠、展示方式更清晰直观的优点。
-
公开(公告)号：CN115799626A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202211570428.0
申请日：2022-12-08
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
IPC: H01M10/0565 , H01M10/058
Abstract: 本发明涉及一种梯度结构的复合固态电解质制备方法，具体步骤包括：S1、制备均相胶状液；S2、制备复合固态电解质；S3、制备正极；S4、制备梯度结构的复合固态电解质；S5、制备梯度结构的复合固态电池。本发明具有如下优点：通过浸渍均相胶状液在复合固态电解质表面构筑均相相容中间层组成梯度结构的复合固态电解质，该中间层与电解质本身具有近似的物理化学性质，在电极/电解质界面形成一种梯度结构，这种梯度结构又通过物理、化学作用与电解质本身一体化连接，能有效缓解电极/电解质直接接触带来的力学与化学性质的跃变，加速电池反应的动力学。
-
公开(公告)号：CN115498255A
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202211142892.X
申请日：2022-09-20
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01M10/0565 , H01M10/0525
Abstract: 一种原位改善复合固态电解质界面的方法，涉及复合固态电解质领域。通过冷却固化第一反式晶体固化液，在正极和复合固态电解质之间构筑第一反式异构塑性晶体层；通过冷却固化第二反式晶体固化液，在复合固态电解质和负极之间构筑第二反式异构塑性晶体层；第一反式晶体固化液包括反式异构塑性晶体和锂盐，第二反式晶体固化液包括反式异构塑性晶体、锂盐和添加剂。本发明通过构筑反式异构塑性晶体层改善固态电解质界面，反式异构分子能绕中心C原子或C‑C键旋转，结合塑性晶体本身存在的强极性基团，构筑的反式异构塑性晶体对锂盐具有极强的解离性能，结合锂盐具有的离子电导率能够整体上提高电池的离子电导，降低复合固态电解质与电极的界面电阻。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107025365A
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201710344546.2
申请日：2017-05-16
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种用于用户侧的非侵入负荷辨识方法，以用电负荷暂、稳态阶段的数据为基础，通过构建特征数据库，利用检测算法与辨识算法来完成非侵入式负荷的辨识，解决了传统算法辨识精度不够、辨识效率低下的问题，提升了整个辨识算法的可行性与有效性。
-
公开(公告)号：CN105895521A
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201610161102.0
申请日：2016-03-21
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L21/311
Abstract: 本发明涉及一种氧化硅刻蚀的方法。软光刻技术相对于传统光刻技术，具有方便灵活易于实现的优点，不仅如此它还能用于刻蚀复杂的空间三维结构。光刻中常用的刻蚀剂是氢氟酸，氢氟酸具有很强的腐蚀性和毒性，在条件一般的实验室中是不适合应用的。寻找氢氟酸的替代物，减小因暴露于氢氟酸环境中造成的危害，对于光刻来说是有意义的。本专利通过压印技术将氟化物转移至目标基底并在简单条件下实现了光刻，专利中利用低毒性的氟化物代替高毒性的氢氟酸在实现光刻的同时降低了氢氟酸的危害。
-
公开(公告)号：CN107025365B
公开(公告)日：2019-09-24
申请号：CN201710344546.2
申请日：2017-05-16
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种用于用户侧的非侵入负荷辨识方法，以用电负荷暂、稳态阶段的数据为基础，通过构建特征数据库，利用检测算法与辨识算法来完成非侵入式负荷的辨识，解决了传统算法辨识精度不够、辨识效率低下的问题，提升了整个辨识算法的可行性与有效性。
-
公开(公告)号：CN105895521B
公开(公告)日：2018-09-25
申请号：CN201610161102.0
申请日：2016-03-21
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L21/311
Abstract: 本发明涉及一种氧化硅刻蚀的方法。软光刻技术相对于传统光刻技术，具有方便灵活易于实现的优点，不仅如此它还能用于刻蚀复杂的空间三维结构。光刻中常用的刻蚀剂是氢氟酸，氢氟酸具有很强的腐蚀性和毒性，在条件一般的实验室中是不适合应用的。寻找氢氟酸的替代物，减小因暴露于氢氟酸环境中造成的危害，对于光刻来说是有意义的。本专利通过压印技术将氟化物转移至目标基底并在简单条件下实现了光刻，专利中利用低毒性的氟化物代替高毒性的氢氟酸在实现光刻的同时降低了氢氟酸的危害。
-
公开(公告)号：CN107171357A
公开(公告)日：2017-09-15
申请号：CN201710341336.8
申请日：2017-05-16
Applicant: 电子科技大学
CPC classification number: H02J3/383 , H02J3/32 , H02J3/386 , H02J2003/007
Abstract: 本发明公开了一种用于风光储优化配置的复合控制方法，通过以风光电场功率输出作为输入，根据存电量比约束确定并网功率大小，利用功率平滑参数约束对其进行修正，确定工作状态后进行充电、放电或离网运行等操作，为了防止储能系统过充过放电对其寿命的影响，对其存电量限定其上下限幅值，不仅使风光储系统功率波动显著降低，更具有一定的工程实际意义。
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
9
records
(took 0.023 seconds)
