一种基于改进ShuffleNet的雷达信号RD图像干扰辨识方法及系统

    公开(公告)号:CN113486898B

    公开(公告)日:2024-05-31

    申请号:CN202110774967.5

    申请日:2021-07-08

    Abstract: 本发明公开了一种基于改进ShuffleNet的雷达信号RD图像干扰辨识方法及系统,构建干扰条件下的雷达信号RD图像数据集,将雷达信号RD图像数据集划分为训练样本和测试样本;构建注意力增强的ShuffleNet识别模型,设定注意力增强的ShuffleNet识别模型分类任务的损失函数;利用训练样本对注意力增强的ShuffleNet识别模型进行训练;将测试样本输入训练完的注意力增强ShuffleNet识别模型中,预测输出测试样本类别及置信度分数,完成雷达信号RD图像干扰辨识。本发明引入注意力增强模块,从通道信息交互层面来加强特征通道间的交互,提高特征的判别性,从而提升干扰下图像雷达信号RD图像识别精度。

    一种可抑制宽带相位噪声的一维距离像高分辨成像方法

    公开(公告)号:CN107193002B

    公开(公告)日:2019-04-26

    申请号:CN201710364405.7

    申请日:2017-05-22

    Abstract: 本发明属于雷达技术领域,涉及一种可抑制宽带相位噪声的一维距离像高分辨成像方法。本发明的方法主要为:首先,在宽带雷达发射信号的带宽内,对雷达回波信号进行过采样离散化处理,构建基于相位恢复的一维距离像成像模型;其次,利用观测矩阵的傅里叶基特性,将基于相位恢复的一维距离像成像非凸问题转换为基于自相关恢复的凸问题;构造增广拉格朗日函数,计算该函数相对于自相关向量的导数并令其为零,得到关于自相关向量的迭代方程;执行迭代处理,直到残差小于预定阀值或迭代次数大于最大迭代次数时停止,得到最优的自相关向量;最后,在最小相位准则下,对求出的自相关向量用柯尔莫戈洛夫谱分解的方法求解相应的散射系数向量。

    一种脑电波控制的光镊系统及其控制方法

    公开(公告)号:CN117590943A

    公开(公告)日:2024-02-23

    申请号:CN202311517010.8

    申请日:2023-11-15

    Abstract: 一种脑电波控制的光镊系统及其控制方法,包括脑电波采集模块、空间光调制器模块和激光器模块;脑电波采集模块实时采集脑电波信号并通过内置算法对其进行预处理,然后传输到计算机;空间光调制器模块根据计算机指令加载相应的灰度相位图,使基模光转化为具有不同螺旋相位波前的涡旋光,建立起注意力值和涡旋光的映射关系;基模高斯光经空间光调制器调制后生成涡旋光束;涡旋光束聚焦后由激光反射镜DM耦合到物镜中;经过物镜聚焦以后,涡旋光在载玻片的后焦面上形成环状涡旋光阱。

    宽频带圆极化RFID阅读器天线

    公开(公告)号:CN103165988A

    公开(公告)日:2013-06-19

    申请号:CN201310079678.9

    申请日:2013-03-13

    Inventor: 文光俊 张庆 王平

    Abstract: 本发明公开了一种宽频带圆极化RFID阅读器天线,包括金属接地板、驱动辐射单元、寄生辐射单元、馈电同轴线、金属支撑柱和馈电网络,驱动辐射单元、寄生辐射单元和金属接地板呈层叠结构,金属支撑柱固装在金属接地板上,所述寄生辐射单元和驱动辐射单元依次固装在金属支撑柱上,所述馈电同轴线和馈电网络均和驱动辐射单元电气连接。通过馈电网络激励驱动辐射单元;和寄生辐射单元,由驱动辐射单元耦合馈电。两个辐射单元工作模式相同,两个谐振频率相近,从而形成双峰谐振,从而增加天线的工作带宽、寄生辐射单元起到了引向器的作用,增加了天线的增益。从而达到了提供一种高增益、大的阻抗带宽,大的轴比带宽以及大的轴比束宽的电磁波的目的。

    半导体器件三维电热特性分析方法及系统

    公开(公告)号:CN119066895B

    公开(公告)日:2025-03-21

    申请号:CN202411573429.X

    申请日:2024-11-06

    Abstract: 本发明公开了一种半导体器件三维电热特性分析方法及系统,方法包括:S1、多物理场数学物理模型推导;S2、通过网格单元将完整的几何器件模型进行剖分,构建以每个网格结点为中心的控制体单元;S3、利用边缘值和矢量基插值计算网格内部电流密度;S4、采用插值增强有限体积法格式和时域后向差分构造单元矩阵方程;S5、通过遍历求解域中所有的网格单元,构造系统矩阵方程。本发明可以很好的用于半导体器件三维电热特性分析。

    半导体器件三维电热特性分析方法及系统

    公开(公告)号:CN119066895A

    公开(公告)日:2024-12-03

    申请号:CN202411573429.X

    申请日:2024-11-06

    Abstract: 本发明公开了一种半导体器件三维电热特性分析方法及系统,方法包括:S1、多物理场数学物理模型推导;S2、通过网格单元将完整的几何器件模型进行剖分,构建以每个网格结点为中心的控制体单元;S3、利用边缘值和矢量基插值计算网格内部电流密度;S4、采用插值增强有限体积法格式和时域后向差分构造单元矩阵方程;S5、通过遍历求解域中所有的网格单元,构造系统矩阵方程。本发明可以很好的用于半导体器件三维电热特性分析。

Patent Agency Ranking