公开(公告)号：CN119767765A

公开(公告)日：2025-04-04

申请号：CN202411937887.7

申请日：2024-12-26

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 章文通 ,  胡哲恺 ,  坤雨潇 ,  慕江南 ,  乔明 ,  李肇基 ,  张波

IPC: H10D64/00 ,  H10D30/65 ,  H10D30/01

Abstract: 本发明提供一种基于电势钳位偏置耦合的有源耗尽器件及制造方法，包括：第一导电类型衬底、第二导电类型漂移区、阻性多晶硅场板、MIS阵列，位于漂移区两侧的第一和第二导电类型阱区和重掺杂区，位于器件表面的控制栅多晶硅电极、场氧化层、层间介质。所述结构通过阻性场板与MIS阵列的结合，将MIS阵列与阻性场板结合，利用阻性场板上的均匀的电势分布、阻性场板与MIS阵列之间的偏置耦合来对MIS阵列进行钳位，从而进一步优化MIS阵列的电势分布，进而带来更优秀的器件性能与更广阔的设计空间。

公开(公告)号：CN119584633A

公开(公告)日：2025-03-07

申请号：CN202411787529.2

申请日：2024-12-06

Applicant: 电子科技大学 ,  中国电子科技集团公司第二十四研究所

Inventor： 章文通 ,  慕江南 ,  胡哲恺 ,  坤雨潇 ,  谭开洲 ,  乔明 ,  李肇基 ,  张波

IPC: H10D84/40 ,  H10D84/03 ,  H10D89/10 ,  H10D89/60

Abstract: 本发明提供一种分立器件多模驱动电路集成器件，包括分立器件区和驱动电路区，分立器件区由元胞区Ⅱ和终端区Ⅰ组成。驱动电路区整体位于制作在分立器件元胞区中的浮动盆结构Ⅲ中。浮动盆整体集成在分立器件第二导电类型阱区中，其包括位于底部的埋氧层、位于浮动盆边界及内部高低压区之间的氧化介质槽。浮动盆中可集成例如BJT、DMOS、CMOS等器件用于搭建驱动电路。本发明用氧化层实现浮动盆与分立器件之间、浮动盆中高低压区之间的隔离，保证了驱动电路的正常工作，实现了分立器件与驱动电路的集成。

公开(公告)号：CN119581404A

公开(公告)日：2025-03-07

申请号：CN202411789648.1

申请日：2024-12-06

Applicant: 电子科技大学 ,  中国电子科技集团公司第二十四研究所

Inventor： 章文通 ,  坤雨潇 ,  慕江南 ,  胡哲恺 ,  谭开洲 ,  乔明 ,  李肇基 ,  张波

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/765 ,  H10D64/00 ,  H10D89/60

Abstract: 本发明提供一种高压集成电路的深槽匀场隔离器件及制造方法，通过在LDMOS区与高压电路之间刻槽后填充介质和多晶硅，构成纵向浮空场板，所述纵向浮空场板均匀分布在第三介质氧化层实现了LDMOS区与高压电路区的隔离，相对于传统PN结隔离节省面积；且纵向浮空场板通过第一金属条使高压结终端的电位与LDMOS的电位相关联实现电位均匀分布，实现更强的电压耦合，提高耐压。