公开(公告)号：CN108764461A

公开(公告)日：2018-11-06

申请号：CN201810508671.7

申请日：2018-05-24

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 朱明哲 ,  苏小凡 ,  钟璐 ,  周贤达 ,  肖瑞 ,  齐悦 ,  张心亮

IPC: G06N3/04 ,  G06F17/16 ,  G06Q10/04

Abstract: 本发明公开了一种基于节气特征的土遗址温度预测方法，主要解决现有技术获取的土遗址温度预测结果存在较大相对误差、预测精确度低的问题。其实现步骤包括：1.提取土遗址温度数据的时间特征；2.提取土遗址温度数据的节气特征；3.由时间特征与节气特征求得温度数据的总特征；4.引入神经网络，利用土遗址温度数据的总特征及土遗址温度数据样本进行学习训练，得到土遗址温度预测的神经网络模型；5.通过得到的神经网络模型预测土遗址温度，获取其温度预测结果矩阵。本发明在年、日、时分秒特征的基础上，利用隶属度函数再加入节气特征来预测土遗址温度，从而降低了温度预测时产生的相对误差，提高了预测精确度。

公开(公告)号：CN101159430A

公开(公告)日：2008-04-09

申请号：CN200710050518.6

申请日：2007-11-15

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 方健 ,  乔明 ,  张波 ,  周贤达 ,  刘伦友 ,  刘哲 ,  毛焜 ,  张弦

IPC: H03K19/0175 ,  H03K19/0185 ,  H03K17/687

Abstract: 本发明属于电子技术领域，涉及集成化电平位移电路。主要由输入缓冲1、恒流源开关A和B、脉冲自产生A和B、栅极下拉6和反相器7共七个电路单元构成。低逻辑信号IN通过输入缓冲1产生同相和反相的两个控制信号S1和S2，用以控制恒流源开关A和控制恒流源开关B得到恒流输出信号S3、S4；再分别通过脉冲自产生A和脉冲自产生B电路得到窄脉冲下拉电流S5、S6；再通过栅极下拉6电路产生电平为VB～VH的浮动电平位移信号S7，S7经反相器7后，在反相器7的输出端与高端浮动地VB之间产生与低逻辑信号IN同步且同相的高逻辑信号Vout－VB。本发明具有电路简单、对器件要求较低、自身功耗低、不存在误触发现象、工作状态稳定、易于集成和适合高压应用等特点。

公开(公告)号：CN108764461B

公开(公告)日：2020-04-14

申请号：CN201810508671.7

申请日：2018-05-24

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 朱明哲 ,  苏小凡 ,  钟璐 ,  周贤达 ,  肖瑞 ,  齐悦 ,  张心亮

IPC: G06N3/04 ,  G06F17/16 ,  G06Q10/04

Abstract: 本发明公开了一种基于节气特征的土遗址温度预测方法，主要解决现有技术获取的土遗址温度预测结果存在较大相对误差、预测精确度低的问题。其实现步骤包括：1.提取土遗址温度数据的时间特征；2.提取土遗址温度数据的节气特征；3.由时间特征与节气特征求得温度数据的总特征；4.引入神经网络，利用土遗址温度数据的总特征及土遗址温度数据样本进行学习训练，得到土遗址温度预测的神经网络模型；5.通过得到的神经网络模型预测土遗址温度，获取其温度预测结果矩阵。本发明在年、日、时分秒特征的基础上，利用隶属度函数再加入节气特征来预测土遗址温度，从而降低了温度预测时产生的相对误差，提高了预测精确度。

公开(公告)号：CN100561870C

公开(公告)日：2009-11-18

申请号：CN200710050518.6

申请日：2007-11-15

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 方健 ,  乔明 ,  张波 ,  周贤达 ,  刘伦友 ,  刘哲 ,  毛焜 ,  张弦

IPC: H03K19/0175 ,  H03K19/0185 ,  H03K17/687

Abstract: 本发明属于电子技术领域，涉及集成化电平位移电路。主要由输入缓冲1、恒流源开关A和B、脉冲自产生A和B、栅极下拉6和反相器7共七个电路单元构成。低逻辑信号IN通过输入缓冲1产生同相和反相的两个控制信号S1和S2，用以控制恒流源开关A和控制恒流源开关B得到恒流输出信号S3、S4；再分别通过脉冲自产生A和脉冲自产生B电路得到窄脉冲下拉电流S5、S6；再通过栅极下拉6电路产生电平为VB～VH的浮动电平位移信号S7，S7经反相器7后，在反相器7的输出端与高端浮动地VB之间产生与低逻辑信号IN同步且同相的高逻辑信号Vout-VB。本发明具有电路简单、对器件要求较低、自身功耗低、不存在误触发现象、工作状态稳定、易于集成和适合高压应用等特点。

公开(公告)号：CN101179097A

公开(公告)日：2008-05-14

申请号：CN200710050657.9

申请日：2007-11-30

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 方健 ,  周贤达 ,  张波 ,  乔明

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/43 ,  H01L29/417 ,  H01L29/786 ,  H01L29/739

Abstract: SOI高压器件，属于电子技术领域中的SOI高压半导体器件。本发明提供的SOI高压器件包括二极管、LDMOS和LIGBT，其主要技术方案是将常规实心形状的阴极/漏极/集电极改成环形形状的阴极/漏极/集电极，使SOI高压器件工作于截止状态时的纵向电场分布的更加均匀，从而提高SOI高压器件击穿电压。本发明摒弃了通常采用的以提高I层耐压为途径来提高SOI高压器件纵向耐压的方式，通过改变器件局部结构以提高顶硅层耐压为途径同样达到提高SOI高压器件纵向耐压的效果，本发明可与常规CD工艺全兼容，与常规SOI高压器件的制备工艺相比不增加工艺难度及成本，具备很强的可实施性。