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公开(公告)号：CN111290460A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN202010114662.7
申请日：2020-02-25
Applicant: 电子科技大学
IPC: G05F1/56
Abstract: 该发明公开了种高电源抑制比快速瞬态响应的低压差线性稳压器，本发明属于低压差线性稳压器LDO领域。本发明提出的高电源抑制比快速瞬态响应的低压差线性稳压器电路，当负载电流瞬间变化时会引起Vout的改变(ΔVout)，此改变量经过误差放大器、单位增益缓冲器、功率调整管组成的负反馈通路后，以与ΔVout反相的量加在输出端，使得Vout最终稳定在Vref值的附近。采用折叠式共源共栅结构作为误差放大器，该结构具有较大增益、较大输入电压范围等优点。单位增益缓冲器电路的负极输入端接输出端，其闭环增益为1，将大电阻和大电容隔离从而满足相位要求并改善瞬态响应特性。利用第一中间电容提升瞬态响应特性和电路稳定性，运用动态偏置结构提升瞬态响应特性和电源抑制比。
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公开(公告)号：CN118569181A
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202410768235.9
申请日：2024-06-14
Applicant: 电子科技大学
IPC: G06F30/367 , G06F17/17
Abstract: 本发明提供一种屏蔽栅沟槽MOSFET总剂量效应的紧凑SPICE模型建模方法，涉及集成电路技术领域，通过拟合不同测试条件以及辐射剂量下的模型，然后将拟合所用的各个参数采用三次分段差值Hermite法得到剂量与参数之间的插值函数，再将得到的函数带入到模型中，即可得到所测试的最大区间内任意辐射剂量下的模型。本发明提供了在一定辐射剂量下提供了一种精准的屏蔽栅沟槽MOSFET总剂量效应的紧凑SPICE模型建模方法。此建模方法准确的反应了SGT MOSFET遭受不同剂量TID效应后直流特性、电容特性与栅电荷的不同程度退化，可以高效精确的用于抗辐射领域的电路仿真。
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公开(公告)号：CN114864670A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202210521256.1
申请日：2022-05-13
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种缓解体内曲率效应的均匀电场器件及制造方法。第一介质氧化层和多晶硅电极构成纵向浮空场板，所述纵向浮空场板分布在整个第二导电类型漂移区中。本发明中纵向浮空场板辅助耗尽漂移区，提高了器件耐压，表面的top层几乎完全被纵向场板耗尽，钳位了表面电场。但由于靠近漏端的最后一个纵向浮空场板底部曲率效应显著，电场线集中造成了器件的提前击穿。通过相关工艺，使纵向场板底部的半球状氧化层半径增大，通过增加曲率半径，缓解了体内曲率效应，进一步提高器件耐压。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108880546A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201810742310.9
申请日：2018-07-09
Applicant: 电子科技大学
IPC: H03M1/10
Abstract: 该发明公开了一种应用于逐次逼近模数转换器的电容校正方法，涉及微电子学与固体电子学领域，特别是该领域中电阻电容型逐次逼近模数转换器中的电容设置方法。本发明将所有电容分割为单位电容，然后对排序后的单位电容采用奇数选取的方法组成逐次逼近模数转换器的最高级电容，然后每次在剩下的单位电容中再采用奇数选取的方法将选择出的单位电容组成逐次逼近模数转换器的其它级电容。相比于传统校正方法更为均衡，有利于线性度的进一步提升，在动态参数上有显著改善，并且无明显的附加功耗；相较于传统的模拟、数字校正算法，本发明提出的调整校正方法更为简单，并且大大地节省了面积和功耗。
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公开(公告)号：CN111290460B
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN202010114662.7
申请日：2020-02-25
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 该发明公开了种高电源抑制比快速瞬态响应的低压差线性稳压器，本发明属于低压差线性稳压器LDO领域。本发明提出的高电源抑制比快速瞬态响应的低压差线性稳压器电路，当负载电流瞬间变化时会引起Vout的改变(ΔVout)，此改变量经过误差放大器、单位增益缓冲器、功率调整管组成的负反馈通路后，以与ΔVout反相的量加在输出端，使得Vout最终稳定在Vref值的附近。采用折叠式共源共栅结构作为误差放大器，该结构具有较大增益、较大输入电压范围等优点。单位增益缓冲器电路的负极输入端接输出端，其闭环增益为1，将大电阻和大电容隔离从而满足相位要求并改善瞬态响应特性。利用第一中间电容提升瞬态响应特性和电路稳定性，运用动态偏置结构提升瞬态响应特性和电源抑制比。
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公开(公告)号：CN108880546B
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN201810742310.9
申请日：2018-07-09
Applicant: 电子科技大学
IPC: H03M1/10
Abstract: 该发明公开了一种应用于逐次逼近模数转换器的电容校正方法，涉及微电子学与固体电子学领域，特别是该领域中电阻电容型逐次逼近模数转换器中的电容设置方法。本发明将所有电容分割为单位电容，然后对排序后的单位电容采用奇数选取的方法组成逐次逼近模数转换器的最高级电容，然后每次在剩下的单位电容中再采用奇数选取的方法将选择出的单位电容组成逐次逼近模数转换器的其它级电容。相比于传统校正方法更为均衡，有利于线性度的进一步提升，在动态参数上有显著改善，并且无明显的附加功耗；相较于传统的模拟、数字校正算法，本发明提出的调整校正方法更为简单，并且大大地节省了面积和功耗。
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公开(公告)号：CN111289799B
公开(公告)日：2021-01-08
申请号：CN202010139474.X
申请日：2020-03-03
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于电子电路技术领域，涉及一种GaN器件动态导通电阻测量电路。本发明从GaN应用中所紧密相关的动态特性出发，测试电路包括驱动电路、软硬开关转换电路以及钳位电路；驱动电路以ADuM4223为核心；开关转换电路包括两个高压功率器件和负载电感以及起保护作用的二极管；钳位电路采用电流镜和二极管结合的方式提高测量精度，使用钳位电路测得的导通电压，除以电路中的电流即可得到动态导通电阻。本发明的测试方法可对器件在两个不同开关过程中的动态导通电阻进行实时测量，避免了器件停止工作后几秒内缺陷恢复导致测量结果不精确的问题。
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公开(公告)号：CN111289799A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN202010139474.X
申请日：2020-03-03
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于电子电路技术领域，涉及一种GaN器件动态导通电阻测量电路。本发明从GaN应用中所紧密相关的动态特性出发，测试电路包括驱动电路、软硬开关转换电路以及钳位电路；驱动电路以ADuM4224为核心；开关转换电路包括两个高压功率器件和负载电感以及起保护作用的二极管；钳位电路采用电流镜和二极管结合的方式提高测量精度，使用钳位电路测得的导通电压，除以电路中的电流即可得到动态导通电阻。本发明的测试方法可对器件在两个不同开关过程中的动态导通电阻进行实时测量，避免了器件停止工作后几秒内缺陷恢复导致测量结果不精确的问题。
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