-
公开(公告)号：CN115623857A
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202211370389.X
申请日：2022-11-03
Applicant: 电子科技大学 , 上海麦歌恩微电子股份有限公司
Abstract: 本发明属于磁传感技术领域，具体为一种线性区域可调的磁电阻传感器。本发明利用应变材料代替硅基片作为衬底基片，通过对压电基片施加电压获得应力，该应力作用于铁磁层1，由磁致伸缩效应产生面内等效场，且应力的大小可以改变等效场的大小，从而改变铁磁层1的磁化翻转态，通过应力对铁磁层的各向异性场进行调控，实现磁传感单元线性区按需调控，调控范围为几十‑几百的较大区间范围。本发明不改变原有传感器单元膜层结构仅改变基底层，具有结构简单、工艺难度低、低功耗等优点，通过引入逆磁电耦合效应，在其原有线性区范围的基础上进一步扩展线性区，为实现线性传感器的宽场范围应用提供了一有效方法和途径。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113098473A
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN202110226043.1
申请日：2021-03-01
Applicant: 电子科技大学 , 上海麦歌恩微电子股份有限公司
IPC: H03K17/95
Abstract: 本发明属于电子材料与元器件技术领域，具体为一种开关场区域可调的巨磁电阻磁双极性开关传感器，包括基片、上下电极、传感单元薄膜和导电薄膜。本发明利用不对称残余应变材料的残余应变有无可通过脉冲电压极性调控的特点，通过应变对基片上传感单元薄膜的铁磁层1产生磁弹耦合能有无来实现巨磁电阻双极性开关传感器中开关场的调控。由于该调控可在一固定传感单元中开关场调整，并且可配合残余应变引入时间，实现不对称开关场形式的巨磁电阻双极性开关传感器，因而可以提高该类产品的适应度及扩展应用场景，满足一些特殊的应用需求。
-
公开(公告)号：CN111244268A
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN202010040488.6
申请日：2020-01-15
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种压控三态磁存储单元的实现方法，属于磁存储技术领域。以压电基片作为基底，在压电基片的上下表面生长导电层，作为对压电基片施加电压的上电极和下电极，然后在上电极上依次形成磁性存储层和保护层，其中，所述磁性存储层的磁矩初始态为45度角方向，此时可获得一中间值大小的电阻态，在压电基片上施加不同大小的电压，可获得高电阻态和低电阻，这样就可实现高、中、低三种电阻态。本发明通过在压电基片上不施加、施加大于或小于压电基片矫顽电场的电压，来获得高、中、低三种稳定的存储态实现三态存储。由于该三种存储状态只需通过电压大小调制，因此具有结构简单、容易设计且功耗低等优点。
-
公开(公告)号：CN109904307A
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201910106493.X
申请日：2019-02-01
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种基于各向异性磁电阻的压控存储单元及其实现方法，属于磁存储领域。所述压控存储单元包括四层结构，自下而上依次为底电极、压电基片、磁性薄膜层和顶电极，在底电极和顶电极之间施加电压，压电基片产生应力并通过磁性薄膜磁致伸缩效应实现对磁矩方向的改变，进而在磁性薄膜中获得高、低阻态，实现磁存储。本发明通过在存储单元的基片上施加或不施加电压实现信息“1”、“0”的存储，存储单元磁矩的翻转无需外加磁场，具有结构简单、工艺难度低、低功耗等优点。
-
公开(公告)号：CN113098473B
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202110226043.1
申请日：2021-03-01
Applicant: 电子科技大学 , 上海麦歌恩微电子股份有限公司
IPC: H03K17/95
Abstract: 本发明属于电子材料与元器件技术领域，具体为一种开关场区域可调的巨磁电阻磁双极性开关传感器，包括基片、上下电极、传感单元薄膜和导电薄膜。本发明利用不对称残余应变材料的残余应变有无可通过脉冲电压极性调控的特点，通过应变对基片上传感单元薄膜的铁磁层1产生磁弹耦合能有无来实现巨磁电阻双极性开关传感器中开关场的调控。由于该调控可在一固定传感单元中开关场调整，并且可配合残余应变引入时间，实现不对称开关场形式的巨磁电阻双极性开关传感器，因而可以提高该类产品的适应度及扩展应用场景，满足一些特殊的应用需求。
-
公开(公告)号：CN111244268B
公开(公告)日：2022-07-26
申请号：CN202010040488.6
申请日：2020-01-15
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种压控三态磁存储单元的实现方法，属于磁存储技术领域。以压电基片作为基底，在压电基片的上下表面生长导电层，作为对压电基片施加电压的上电极和下电极，然后在上电极上依次形成磁性存储层和保护层，其中，所述磁性存储层的磁矩初始态为45度角方向，此时可获得一中间值大小的电阻态，在压电基片上施加不同大小的电压，可获得高电阻态和低电阻，这样就可实现高、中、低三种电阻态。本发明通过在压电基片上不施加、施加大于或小于压电基片矫顽电场的电压，来获得高、中、低三种稳定的存储态实现三态存储。由于该三种存储状态只需通过电压大小调制，因此具有结构简单、容易设计且功耗低等优点。
-
-
-
-
-
Search Results
6
records
(took 0.019 seconds)
