公开(公告)号：CN117153882A

公开(公告)日：2023-12-01

申请号：CN202310938174.1

申请日：2023-07-27

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 章文通 ,  蔡诗瑶 ,  李洪博 ,  吴奇益 ,  傅妤璟 ,  赵泉钰 ,  乔明 ,  李肇基 ,  张波

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/40 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明提供一种SOI基匀场高压PMOS器件及其制造方法，包括：第一导电类型半导体衬底、第一导电类型漂移区、第一导电类型阱区、第一导电类型半导体接触区，第二导电类型阱区、第二导电类型半导体接触区，介质氧化层、体内埋氧层，浮空场板多晶硅电极、控制栅多晶硅电极，源极通孔、漏极通孔、漂移区金属通孔，源极金属、漏极金属、金属条，本发明提出了一种全新的P掺杂耗尽机制，在PMOS中引入了新的电荷平衡，解决了PMOS由于衬底低电位，会导致埋层上部积累大量空穴，使衬底无法辅助耗尽以致PMOS耐压低的问题，极大地增加了P区掺杂浓度，提升器件耐压，降低比导通电阻，实现高压CMOS结构。