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公开(公告)号:CN107406763A
公开(公告)日:2017-11-28
申请号:CN201680015562.0
申请日:2016-01-19
Applicant: 电化株式会社
Abstract: 本发明提供一种即使长时间暴露于高温高湿度气氛下发光强度的降低也少的、由通式A2MF6:Mn表示的发红色光的荧光体及使用该荧光体的发光装置。本发明是荧光体的主晶相由通式A2MF6:Mn表示的荧光体。元素A为至少含有K的碱金属元素,元素M为选自由Si、Ge、Sn、Ti、Zr和Hf组成的组中的1种以上的4价元素。在荧光体的表面具有涂布层。涂布层为具备疏水度10%以上的疏水性的有机物。
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公开(公告)号:CN107429159A
公开(公告)日:2017-12-01
申请号:CN201680013888.X
申请日:2016-01-27
Applicant: 电化株式会社
Abstract: 本发明为一种由通式:A2MF6:Mn表示的荧光体。元素A为碱金属元素,元素M为选自Si、Ge、Sn、Ti、Zr和Hf中的一种以上的四价金属元素。在波长300nm以上且350nm以下出现的光吸收率的极小值为67%以下。波长400nm以上且500nm以下的最大的光吸收率为65%以上。Mn含量为0.3质量%以上且1.5质量%以下。
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公开(公告)号:CN111902517A
公开(公告)日:2020-11-06
申请号:CN201980022101.X
申请日:2019-03-14
Applicant: 电化株式会社
Abstract: 一种荧光体,其特征在于,其包含具有通式M1aM2bM3cAl3N4‑dOd(其中,M1为选自Sr、Mg、Ca和Ba中的1种以上元素,M2为选自Li、Na和K中的1种以上元素,M3为选自Eu、Ce和Mn中的1种以上元素)所示的组成的焙烧物,前述a、b、c和d满足以下的各式,0.850≤a≤1.150、0.850≤b≤1.150、0.001≤c≤0.010、0.10
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公开(公告)号:CN107406763B
公开(公告)日:2020-10-09
申请号:CN201680015562.0
申请日:2016-01-19
Applicant: 电化株式会社
Abstract: 本发明提供一种即使长时间暴露于高温高湿度气氛下发光强度的降低也少的、由通式A2MF6:Mn表示的发红色光的荧光体及使用该荧光体的发光装置。本发明是荧光体的主晶相由通式A2MF6:Mn表示的荧光体。元素A为至少含有K的碱金属元素,元素M为选自由Si、Ge、Sn、Ti、Zr和Hf组成的组中的1种以上的4价元素。在荧光体的表面具有涂布层。涂布层为具备疏水度10%以上的疏水性的有机物。
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公开(公告)号:CN107429159B
公开(公告)日:2020-06-16
申请号:CN201680013888.X
申请日:2016-01-27
Applicant: 电化株式会社
Abstract: 本发明为一种由通式:A2MF6:Mn表示的荧光体。元素A为碱金属元素,元素M为选自Si、Ge、Sn、Ti、Zr和Hf中的一种以上的四价金属元素。在波长300nm以上且350nm以下出现的光吸收率的极小值为67%以下。波长400nm以上且500nm以下的最大的光吸收率为65%以上。Mn含量为0.3质量%以上且1.5质量%以下。
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公开(公告)号:CN107406762B
公开(公告)日:2020-10-27
申请号:CN201680010827.8
申请日:2016-02-17
Applicant: 电化株式会社
Abstract: 本发明涉及通式A2MF6:Mn4+(式中,元素A为至少包含K的碱金属元素,元素M为至少包含Si或Ge的选自Si、Ge、Sn、Ti、Zr和Hf中的一种以上的金属元素,F为氟,Mn为锰)所示的复合氟化物荧光体的制造方法,可以得到吸收率、内量子效率、外量子效率高且光学特性优异的荧光体的制造方法。
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公开(公告)号:CN107406762A
公开(公告)日:2017-11-28
申请号:CN201680010827.8
申请日:2016-02-17
Applicant: 电化株式会社
CPC classification number: C09K11/616 , C01B33/10 , C01D3/02 , C01D3/22 , C01G45/006 , C01P2002/54 , C09K11/08 , C09K11/57 , C09K11/59 , C09K11/617
Abstract: 本发明涉及通式A2MF6:Mn4+(式中,元素A为至少包含K的碱金属元素,元素M为至少包含Si或Ge的选自Si、Ge、Sn、Ti、Zr和Hf中的一种以上的金属元素,F为氟,Mn为锰)所示的复合氟化物荧光体的制造方法,可以得到吸收率、内量子效率、外量子效率高且光学特性优异的荧光体的制造方法。
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