表面被覆荧光体粒子、表面被覆荧光体粒子的制造方法以及发光装置

    公开(公告)号:CN113785030B

    公开(公告)日:2024-02-23

    申请号:CN202080027709.4

    申请日:2020-03-31

    Abstract: 本发明的表面被覆荧光体粒子是包含含有荧光体的粒子和被覆该粒子的表面的被覆部的表面被覆荧光体粒子,上述荧光体具有由通式M1aM2bM3cAl3N4-dOd(其中,M1是选自Sr、Mg、Ca和Ba中的1种以上的元素,M2是选自Li和Na中的1种以上的元素,M3是选自Eu和Ce中的1种以上的元素)所示的组成,上述a、b、c和d满足下述各式:0.850≤a≤1.150、0.850≤b≤1.150、0.001≤c≤0.015、0≤d≤0.40、0≤d/(a+d)<0.30,所述被覆部构成上述粒子的最表面的至少一部分并且包含含有氟元素和铝元素的含氟化合物,相对于表面被覆荧光体粒子整体,氟元素的含有率为15质量%~30质量%。

    表面被覆荧光体粒子、表面被覆荧光体粒子的制造方法以及发光装置

    公开(公告)号:CN113785030A

    公开(公告)日:2021-12-10

    申请号:CN202080027709.4

    申请日:2020-03-31

    Abstract: 本发明的表面被覆荧光体粒子是包含含有荧光体的粒子和被覆该粒子的表面的被覆部的表面被覆荧光体粒子,上述荧光体具有由通式M1aM2bM3cAl3N4-dOd(其中,M1是选自Sr、Mg、Ca和Ba中的1种以上的元素,M2是选自Li和Na中的1种以上的元素,M3是选自Eu和Ce中的1种以上的元素)所示的组成,上述a、b、c和d满足下述各式:0.850≤a≤1.150、0.850≤b≤1.150、0.001≤c≤0.015、0≤d≤0.40、0≤d/(a+d)<0.30,所述被覆部构成上述粒子的最表面的至少一部分并且包含含有氟元素和铝元素的含氟化合物,相对于表面被覆荧光体粒子整体,氟元素的含有率为15质量%~30质量%。

    表面被覆荧光体粒子和发光装置
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113891926A

    公开(公告)日:2022-01-04

    申请号:CN202080039850.6

    申请日:2020-05-22

    Abstract: 本发明的表面被覆荧光体粒子含有包含荧光体的粒子和被覆粒子的表面的被覆部,该荧光体具有规定的组成,被覆部构成粒子的最表面的至少一部分,并且包含AlF3,在使用Cu-Kα射线测定的该表面被覆荧光体粒子的X射线衍射图案中,将2θ在23°~26°的范围内的最大峰A的发光强度Cu-Kα射线设为IA、将2θ在36°~39°的范围内的最大峰B的发光强度设为IB时,IA、IB满足IA/IB≤0.10。

    表面被覆荧光体粒子、表面被覆荧光体粒子的制造方法及发光装置

    公开(公告)号:CN113677775A

    公开(公告)日:2021-11-19

    申请号:CN202080027647.7

    申请日:2020-03-31

    Abstract: 本发明的表面被覆荧光体粒子包含:含有荧光体的粒子和被覆该粒子的表面的被覆部,上述荧光体具有由通式M1aM2bM3cAl3N4-dOd(其中,M1是选自Sr、Mg、Ca和Ba中的1种以上的元素,M2是选自Li和Na中的1种以上的元素,M3是选自Eu和Ce中的1种以上的元素)所示的组成,上述a、b、c和d满足下述各式:0.850≤a≤1.150、0.850≤b≤1.150、0.001≤c≤0.015、0≤d≤0.40、0≤d/(a+d)<0.30,相对于表面被覆荧光体粒子整体,氟元素的含有率为15质量%~30质量%,在规定的条件下测定得到的质量增加率为15%以下。

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