公开(公告)号：CN118369372A

公开(公告)日：2024-07-19

申请号：CN202380015024.1

申请日：2023-01-13

Applicant: 电化株式会社

Inventor： 巢山育男

IPC: C08J5/18 ,  B29C55/08 ,  B29C55/20 ,  B32B27/12 ,  B32B27/36 ,  H05K1/03

Abstract: 本发明提供一种新型液晶聚合物膜等，该液晶聚合物膜相应于不同深度区域而具有规定的取向方向和取向度，由此就膜整体而言MD方向和TD方向的各向异性得到缓和。本发明的液晶聚合物膜是至少含有热塑性液晶聚合物且具有厚度(T)的液晶聚合物膜，从一侧的膜表面侧朝向厚度(T)方向区分为与0～25％的位置相当的深度区域(A)、与25～75％的位置相当的深度区域(B)、及与75～100％的位置相当的深度区域(C)这3个区域、并从一侧的表面侧通过透射法进行X射线衍射测定时，上述深度区域(A)的取向方向(X)及/或上述深度区域(C)的取向方向(Z)与上述深度区域(B)的取向方向(Y)不同，上述深度区域(A)、(B)、(C)在膜面内方向上分别单独具有3.0～25.0％的取向度，就膜整体而言在膜面内方向上具有0.0％以上且小于10.0％的取向度。

公开(公告)号：CN110291848A

公开(公告)日：2019-09-27

申请号：CN201880009744.6

申请日：2018-03-16

Applicant: 电化株式会社

Inventor： 西太树 ,  八岛克宪 ,  木元裕纪 ,  巢山育男 ,  小暮克迪

IPC: H05K1/05 ,  B32B15/08 ,  B32B27/20 ,  C08K3/00 ,  C08K3/28 ,  C08L83/05 ,  C08L83/07 ,  H01L23/14 ,  H01L23/36 ,  H01L23/373 ,  H05K1/03

Abstract: 本发明提供耐焊料裂纹性、导热性、粘接性及绝缘性优异的金属基底电路基板及该金属基底电路基板中使用的电路基板用树脂组合物。电路基板用树脂组合物，其含有含乙烯基甲硅烷基的聚硅氧烷(乙烯基甲硅烷基当量为0.005～0.045mol/kg)、含氢甲硅烷基的聚硅氧烷(氢甲硅烷基当量为6mol/kg以上)、和60～80体积％的无机填充剂，所述含乙烯基甲硅烷基的聚硅氧烷包含(A)重均分子量为30,000～80,000的两末端型含乙烯基甲硅烷基的聚硅氧烷、(B)重均分子量为100,000以上的侧链两末端型含乙烯基甲硅烷基的聚硅氧烷，(A)与(B)的质量比(A)/(B)为80/20～30/70，(C)氢甲硅烷基与(D)乙烯基甲硅烷基的摩尔比(C)/(D)为2.5～5.0。

公开(公告)号：CN110291848B

公开(公告)日：2022-09-02

申请号：CN201880009744.6

申请日：2018-03-16

Applicant: 电化株式会社

Inventor： 西太树 ,  八岛克宪 ,  木元裕纪 ,  巢山育男 ,  小暮克迪

IPC: H05K1/05 ,  B32B15/08 ,  B32B27/20 ,  C08K3/00 ,  C08K3/28 ,  C08L83/05 ,  C08L83/07 ,  H01L23/14 ,  H01L23/36 ,  H01L23/373 ,  H05K1/03

Abstract: 本发明提供耐焊料裂纹性、导热性、粘接性及绝缘性优异的金属基底电路基板及该金属基底电路基板中使用的电路基板用树脂组合物。电路基板用树脂组合物，其含有含乙烯基甲硅烷基的聚硅氧烷(乙烯基甲硅烷基当量为0.005～0.045mol/kg)、含氢甲硅烷基的聚硅氧烷(氢甲硅烷基当量为6mol/kg以上)、和60～80体积％的无机填充剂，所述含乙烯基甲硅烷基的聚硅氧烷包含(A)重均分子量为30,000～80,000的两末端型含乙烯基甲硅烷基的聚硅氧烷、(B)重均分子量为100,000以上的侧链两末端型含乙烯基甲硅烷基的聚硅氧烷，(A)与(B)的质量比(A)/(B)为80/20～30/70，(C)氢甲硅烷基与(D)乙烯基甲硅烷基的摩尔比(C)/(D)为2.5～5.0。