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公开(公告)号：CN113678244B
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202080025366.8
申请日：2020-03-26
Applicant: 电化株式会社
IPC: H01L23/13 , H01L23/12 , H01L23/373 , C04B37/02 , C04B35/587 , H01L21/56 , H05K1/03
Abstract: 本发明提供氮化硅电路基板，其具备氮化硅基板、设置于上述氮化硅基板的一面的第一铜层、和设置于上述氮化硅基板的另一面的第二铜层，上述氮化硅基板的断裂韧性值Kc为5.0MPa·m0.5以上、10.0MPa·m0.5以下，将上述氮化硅基板的线膨胀率设为αB(/℃)、将上述氮化硅基板的杨氏模量设为EB(GPa)、将上述第一铜层的线膨胀率设为αA(/℃)、将上述第二铜层的线膨胀率设为αC(/℃)时，热冲击参数HS1及热冲击参数HS2各自为1.30GPa以上、2.30GPa以下。
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公开(公告)号：CN113767467A
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN202080030914.6
申请日：2020-03-27
Applicant: 电化株式会社
Abstract: 电子部件模块，其具备：氮化硅电路基板；电子部件，其搭载于前述氮化硅电路基板；和密封树脂部，其密封前述氮化硅电路基板的全部或一部分、以及前述电子部件，在将前述散热器的线膨胀系数设为αH(/℃)、将前述散热器的杨氏模量设为EH(GPa)、将前述密封树脂部的线膨胀系数设为αR(/℃)、将前述密封树脂部的杨氏模量设为ER(GPa)时，由特定的式(1)算出的S1为‑0.38(GPa)以上‑0.23(GPa)以下，由特定的式(2)算出的S2为‑0.028(GPa)以上0.019(GPa)以下。
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公开(公告)号：CN113767467B
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202080030914.6
申请日：2020-03-27
Applicant: 电化株式会社
Abstract: 电子部件模块，其具备：氮化硅电路基板；电子部件，其搭载于前述氮化硅电路基板；和密封树脂部，其密封前述氮化硅电路基板的全部或一部分、以及前述电子部件，在将前述散热器的线膨胀系数设为αH(/℃)、将前述散热器的杨氏模量设为EH(GPa)、将前述密封树脂部的线膨胀系数设为αR(/℃)、将前述密封树脂部的杨氏模量设为ER(GPa)时，由特定的式(1)算出的S1为‑0.38(GPa)以上‑0.23(GPa)以下，由特定的式(2)算出的S2为‑0.028(GPa)以上0.019(GPa)以下。
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公开(公告)号：CN113678244A
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202080025366.8
申请日：2020-03-26
Applicant: 电化株式会社
IPC: H01L23/13 , H01L23/12 , H01L23/373 , C04B37/02 , C04B35/587 , H01L21/56 , H05K1/03
Abstract: 本发明提供氮化硅电路基板，其具备氮化硅基板、设置于上述氮化硅基板的一面的第一铜层、和设置于上述氮化硅基板的另一面的第二铜层，上述氮化硅基板的断裂韧性值Kc为5.0MPa·m0.5以上、10.0MPa·m0.5以下，将上述氮化硅基板的线膨胀率设为αB(/℃)、将上述氮化硅基板的杨氏模量设为EB(GPa)、将上述第一铜层的线膨胀率设为αA(/℃)、将上述第二铜层的线膨胀率设为αC(/℃)时，热冲击参数HS1及热冲击参数HS2各自为1.30GPa以上、2.30GPa以下。
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