公开(公告)号：CN117120366A

公开(公告)日：2023-11-24

申请号：CN202280025630.7

申请日：2022-03-22

Applicant: 电化株式会社

Inventor： 南川孝明 ,  塩月宏幸 ,  宫崎孝治

IPC: C01B13/16

Abstract: 本发明的金属氧化物粉末的制造方法包含在卤素存在下加热金属氧化物的卤素存在下加热工序。本发明的金属氧化物粉末为除铀、铁和钛以外的金属的金属氧化物粉末，金属氧化物粉末中的铀的含有率为1.0质量ppb以下，铁的含有率以Fe2O3换算计为100质量ppm以下，钛的含有率以TiO2氧化物换算计为8质量ppm以下。根据本发明，可以提供一种从金属氧化物粉末去除杂质而能够制造高纯度的金属氧化物粉末的金属氧化物粉末的制造方法及通过该制造方法制造的金属氧化物粉末。

公开(公告)号：CN117120372A

公开(公告)日：2023-11-24

申请号：CN202280025655.7

申请日：2022-03-11

Applicant: 电化株式会社

Inventor： 塩月宏幸 ,  南川孝明 ,  宫崎孝治

IPC: C01B33/18

Abstract: 本发明的二氧化硅粉末在10g二氧化硅粉末中的金属硅粒子的个数为30个以下，介电损耗角正切为0.004以下。本发明的二氧化硅粉末的制造方法包括在氯存在下加热二氧化硅粉末的加热工序。根据本发明，能够提供一种介电损耗角正切和金属硅的含量低的二氧化硅粉末以及该二氧化硅粉末的制造方法。

公开(公告)号：CN117083241A

公开(公告)日：2023-11-17

申请号：CN202280023323.5

申请日：2022-03-22

Applicant: 电化株式会社

Inventor： 南川孝明 ,  塩月宏幸 ,  宫崎孝治

IPC: C01B33/18

Abstract: 本发明的二氧化硅粉末的铀的含有率为0.8质量ppb以下，球形度为0.80以上。根据本发明，能够提供一种铀的含有率低且球形度高的二氧化硅粉末。

公开(公告)号：CN111566048B

公开(公告)日：2023-05-09

申请号：CN201980008145.7

申请日：2019-01-15

Applicant: 电化株式会社

Inventor： 佐佐木修治 ,  新田纯也 ,  山隈龙马 ,  吉开浩明 ,  宫崎孝治

IPC: C01B33/18 ,  C08K3/36 ,  C08L101/00 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31

Abstract: 本发明提供能够制备绝缘可靠性极高、并且高成型性的半导体密封材料的非晶质二氧化硅粉末、和含有其而成的树脂组合物。非晶质二氧化硅粉末，其特征在于，平均粒径为3μm以上且50μm以下，250μm以上的干式筛残存率为5.0质量％以下，通过特定的方法测定的45μm以上的磁化性粒子的个数为0个。

公开(公告)号：CN111566048A

公开(公告)日：2020-08-21

申请号：CN201980008145.7

申请日：2019-01-15

Applicant: 电化株式会社

Inventor： 佐佐木修治 ,  新田纯也 ,  山隈龙马 ,  吉开浩明 ,  宫崎孝治

IPC: C01B33/18 ,  C08K3/36 ,  C08L101/00 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31

Abstract: 本发明提供能够制备绝缘可靠性极高、并且高成型性的半导体密封材料的非晶质二氧化硅粉末、和含有其而成的树脂组合物。非晶质二氧化硅粉末，其特征在于，平均粒径为3μm以上且50μm以下，250μm以上的干式筛残存率为5.0质量％以下，通过特定的方法测定的45μm以上的磁化性粒子的个数为0个。