公开(公告)号：CN111566048B

公开(公告)日：2023-05-09

申请号：CN201980008145.7

申请日：2019-01-15

Applicant: 电化株式会社

Inventor： 佐佐木修治 ,  新田纯也 ,  山隈龙马 ,  吉开浩明 ,  宫崎孝治

IPC: C01B33/18 ,  C08K3/36 ,  C08L101/00 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31

Abstract: 本发明提供能够制备绝缘可靠性极高、并且高成型性的半导体密封材料的非晶质二氧化硅粉末、和含有其而成的树脂组合物。非晶质二氧化硅粉末，其特征在于，平均粒径为3μm以上且50μm以下，250μm以上的干式筛残存率为5.0质量％以下，通过特定的方法测定的45μm以上的磁化性粒子的个数为0个。

公开(公告)号：CN111566048A

公开(公告)日：2020-08-21

申请号：CN201980008145.7

申请日：2019-01-15

Applicant: 电化株式会社

Inventor： 佐佐木修治 ,  新田纯也 ,  山隈龙马 ,  吉开浩明 ,  宫崎孝治

IPC: C01B33/18 ,  C08K3/36 ,  C08L101/00 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31

Abstract: 本发明提供能够制备绝缘可靠性极高、并且高成型性的半导体密封材料的非晶质二氧化硅粉末、和含有其而成的树脂组合物。非晶质二氧化硅粉末，其特征在于，平均粒径为3μm以上且50μm以下，250μm以上的干式筛残存率为5.0质量％以下，通过特定的方法测定的45μm以上的磁化性粒子的个数为0个。