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公开(公告)号：CN103500759A
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：CN201310367057.0
申请日：2009-09-17
申请人： 电力集成公司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/423
CPC分类号： H01L29/7802 , H01L29/0657 , H01L29/0696 , H01L29/407 , H01L29/4238 , H01L29/7397 , H01L29/7813 , H01L29/872
摘要： 本发明提供一种具有不同宽度硅柱的高压垂直晶体管。一个实施例中，一种垂直HVFET包括布置在环形图案中的半导体材料柱，该环形图案具有至少两个基本平行并且基本线性的边带部分、每个边带部分具有第一宽度，以及至少两个圆形部分，该圆形部分具有比第一宽度窄的第二宽度，第一导电类型的源极区域设置在该柱顶表面上或附近，以及第二导电类型的主体区域设置在源极区域之下的该柱中。第一和第二电介质区域分别地设置在该柱的相对侧上，该第一电介质区域侧向地围绕该柱，以及该第二电介质区域侧向地围绕该柱。第一和第二场板分别地设置在该第一和第二电介质区域中。
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公开(公告)号：CN101710591B
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN200910211646.3
申请日：2009-09-17
申请人： 电力集成公司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/812 , H01L29/872 , H01L29/861 , H01L29/739 , H01L29/70
CPC分类号： H01L29/7802 , H01L29/0657 , H01L29/0696 , H01L29/407 , H01L29/4238 , H01L29/7397 , H01L29/7813 , H01L29/872
摘要： 本发明提供一种具有不同宽度硅柱的高压垂直晶体管。一个实施例中，一种垂直HVFET包括布置在环形图案中的半导体材料柱，该环形图案具有至少两个基本平行并且基本线性的边带部分、每个边带部分具有第一宽度，以及至少两个圆形部分，该圆形部分具有比第一宽度窄的第二宽度，第一导电类型的源极区域设置在该柱顶表面上或附近，以及第二导电类型的主体区域设置在源极区域之下的该柱中。第一和第二电介质区域分别地设置在该柱的相对侧上，该第一电介质区域侧向地围绕该柱，以及该第二电介质区域侧向地围绕该柱。第一和第二场板分别地设置在该第一和第二电介质区域中。
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公开(公告)号：CN101840919A
公开(公告)日：2010-09-22
申请号：CN200910261916.1
申请日：2009-12-21
申请人： 电力集成公司
IPC分类号： H01L27/082 , H01L29/739
CPC分类号： H01L29/7397 , H01L29/407 , H01L29/66348
摘要： 本发明涉及VTS绝缘栅极双极晶体管。在一种实施例中，功率晶体管器件包括衬底，衬底与下方的缓冲层形成PN结。该功率晶体管器件还包括第一区域、与缓冲层的顶面相邻的漂移区域、以及体区域。体区域将第一区域与漂移区域分开。第一和第二电介质区域与漂移区域的相反的横向侧壁分别相邻。这些电介质区域沿垂直方向从紧挨着体区域下方处至少延伸到缓冲层中。第一和第二场板分别布置在第一和第二电介质区域中。对正向导通进行控制的沟槽栅极布置在与体区域相邻并与体区域绝缘的电介质区域上方。
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公开(公告)号：CN101789396B
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN200910261914.2
申请日：2009-12-21
申请人： 电力集成公司
IPC分类号： H01L21/8222 , H01L21/331
CPC分类号： H01L29/7397 , H01L29/66333
摘要： 本发明涉及制造深沟槽绝缘栅极双极晶体管的方法。在一种实施例中，一种方法包括：在衬底上形成相反导电类型的外延层，该外延层由缓冲层分隔开，该外延层在垂直方向上直到缓冲层都具有大体上恒定的掺杂浓度。外延层中形成一对间隔开的沟槽，从外延层的顶面向下至少进入缓冲层中。在沟槽中覆盖第一和第二侧壁部分形成电介质材料。外延层的顶部形成柱的源极/集电极和主体区域，主体区域将柱的源极/集电极区域与外延层的漂移区隔开，该漂移区从主体区域延伸到缓冲层。然后在各个沟槽中形成绝缘的栅极部件，其与主体区域相邻并与主体区域绝缘。
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公开(公告)号：CN101840919B
公开(公告)日：2013-08-07
申请号：CN200910261916.1
申请日：2009-12-21
申请人： 电力集成公司
IPC分类号： H01L27/082 , H01L29/739
CPC分类号： H01L29/7397 , H01L29/407 , H01L29/66348
摘要： 本发明涉及VTS绝缘栅极双极晶体管。在一种实施例中，功率晶体管器件包括衬底，衬底与下方的缓冲层形成PN结。该功率晶体管器件还包括第一区域、与缓冲层的顶面相邻的漂移区域、以及体区域。体区域将第一区域与漂移区域分开。第一和第二电介质区域与漂移区域的相反的横向侧壁分别相邻。这些电介质区域沿垂直方向从紧挨着体区域下方处至少延伸到缓冲层中。第一和第二场板分别布置在第一和第二电介质区域中。对正向导通进行控制的沟槽栅极布置在与体区域相邻并与体区域绝缘的电介质区域上方。
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公开(公告)号：CN101789431A
公开(公告)日：2010-07-28
申请号：CN200910261915.7
申请日：2009-12-21
申请人： 电力集成公司
IPC分类号： H01L27/082 , H01L29/739
CPC分类号： H01L29/7397 , H01L29/0649 , H01L29/0653 , H01L29/66348
摘要： 本发明公开一种深沟槽绝缘栅极双极晶体管。在一个实施例中，功率晶体管器件包括第一导电类型的衬底，其与上覆的第二导电类型的缓冲层形成PN结。功率晶体管器件还包括第二导电类型的第一区域、邻接缓冲层的顶面的第二导电类型的漂移区域以及第一导电类型的本体区域。本体区域将第一区域与漂移区域分隔。第一和第二电介质区域分别邻接漂移区域的相对的侧向侧壁部分。电介质区域在垂直方向至少从本体区域下方向下至少延伸到缓冲层中。控制正向传导的沟槽栅极设置在与本体区域相邻并与其绝缘的电介质区域上方。
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公开(公告)号：CN103500759B
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201310367057.0
申请日：2009-09-17
申请人： 电力集成公司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/423
CPC分类号： H01L29/7802 , H01L29/0657 , H01L29/0696 , H01L29/407 , H01L29/4238 , H01L29/7397 , H01L29/7813 , H01L29/872
摘要： 本发明提供一种具有不同宽度硅柱的高压垂直晶体管。一个实施例中，一种垂直HVFET包括布置在环形图案中的半导体材料柱，该环形图案具有至少两个基本平行并且基本线性的边带部分、每个边带部分具有第一宽度，以及至少两个圆形部分，该圆形部分具有比第一宽度窄的第二宽度，第一导电类型的源极区域设置在该柱顶表面上或附近，以及第二导电类型的主体区域设置在源极区域之下的该柱中。第一和第二电介质区域分别地设置在该柱的相对侧上，该第一电介质区域侧向地围绕该柱，以及该第二电介质区域侧向地围绕该柱。第一和第二场板分别地设置在该第一和第二电介质区域中。
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公开(公告)号：CN101789396A
公开(公告)日：2010-07-28
申请号：CN200910261914.2
申请日：2009-12-21
申请人： 电力集成公司
IPC分类号： H01L21/8222 , H01L21/331
CPC分类号： H01L29/7397 , H01L29/66333
摘要： 本发明涉及制造深沟槽绝缘栅极双极晶体管的方法。在一种实施例中，一种方法包括：在衬底上形成相反导电类型的外延层，该外延层由缓冲层分隔开，该外延层在垂直方向上直到缓冲层都具有大体上恒定的掺杂浓度。外延层中形成一对间隔开的沟槽，从外延层的顶面向下至少进入缓冲层中。在沟槽中覆盖第一和第二侧壁部分形成电介质材料。外延层的顶部形成柱的源极/集电极和主体区域，主体区域将柱的源极/集电极区域与外延层的漂移区隔开，该漂移区从主体区域延伸到缓冲层。然后在各个沟槽中形成绝缘的栅极部件，其与主体区域相邻并与主体区域绝缘。
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公开(公告)号：CN101710591A
公开(公告)日：2010-05-19
申请号：CN200910211646.3
申请日：2009-09-17
申请人： 电力集成公司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/812 , H01L29/872 , H01L29/861 , H01L29/739 , H01L29/70
CPC分类号： H01L29/7802 , H01L29/0657 , H01L29/0696 , H01L29/407 , H01L29/4238 , H01L29/7397 , H01L29/7813 , H01L29/872
摘要： 本发明提供一种具有不同宽度硅柱的高压垂直晶体管。一个实施例中，一种垂直HVFET包括布置在环形图案中的半导体材料柱，该环形图案具有至少两个基本平行并且基本线性的边带部分、每个边带部分具有第一宽度，以及至少两个圆形部分，该圆形部分具有比第一宽度窄的第二宽度，第一导电类型的源极区域设置在该柱顶表面上或附近，以及第二导电类型的主体区域设置在源极区域之下的该柱中。第一和第二电介质区域分别地设置在该柱的相对侧上，该第一电介质区域侧向地围绕该柱，以及该第二电介质区域侧向地围绕该柱。第一和第二场板分别地设置在该第一和第二电介质区域中。
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