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公开(公告)号：CN101539720B
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN200910003947.7
申请日：2009-01-23
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: G03F1/38
Abstract: 本发明公开了一种光掩模、半导体器件制造系统和半导体器件制造方法，其即使在主特征随机设置的情况下也能够抑制聚焦深度的恶化。次特征由位于外部四边形内部的四边形次特征置换，该外部四边形包括原始次特征的最外部分作为其外围的一部分。置换后的次特征优选为方形，其侧边的长度根据相关联的外部四边形的长度确定。置换后的次特征的中心位置优选地与外部四边形的中心或者包括原始次特征的区域的重心相一致。
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