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公开(公告)号:CN109144808B
公开(公告)日:2023-08-25
申请号:CN201810634259.X
申请日:2018-06-20
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: G06F11/277 , G01R31/317
Abstract: 本公开涉及半导体装置。相关的半导体装置具有不能进行具有高缺陷再现性的分析处理的问题。根据一个实施例,半导体装置1包括使用第一本地存储器区111执行存储在第一代码区121中的第一程序UP1的第一运算核心101和使用第二本地存储器区121执行存储在第二代码区121中的第二程序UP2的第二运算核心102。在分析模式中,半导体装置1执行使第一运算核心101和第二运算核心102两者都执行第一程序UP1的第一分析处理和使第一运算核心101和第二运算核心102两者都执行第二程序UP2的第二分析处理,并且对从第一分析处理和第二分析处理获取的多个运算结果数据片段AD1和AD2进行比较,从而获取用于缺陷分析的分析信息。
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公开(公告)号:CN109144808A
公开(公告)日:2019-01-04
申请号:CN201810634259.X
申请日:2018-06-20
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: G06F11/277 , G01R31/317
CPC classification number: G06F11/26 , G06F11/2236 , G06F12/0815 , G06F2212/1008 , G06F11/277 , G01R31/31705
Abstract: 本公开涉及半导体装置。相关的半导体装置具有不能进行具有高缺陷再现性的分析处理的问题。根据一个实施例,半导体装置1包括使用第一本地存储器区111执行存储在第一代码区121中的第一程序UP1的第一运算核心101和使用第二本地存储器区121执行存储在第二代码区121中的第二程序UP2的第二运算核心102。在分析模式中,半导体装置1执行使第一运算核心101和第二运算核心102两者都执行第一程序UP1的第一分析处理和使第一运算核心101和第二运算核心102两者都执行第二程序UP2的第二分析处理,并且对从第一分析处理和第二分析处理获取的多个运算结果数据片段AD1和AD2进行比较,从而获取用于缺陷分析的分析信息。
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