-
公开(公告)号：CN107181406B
公开(公告)日：2020-09-18
申请号：CN201710095521.3
申请日：2017-02-22
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Abstract: 本发明提供一种能够防止由过电流流动导致的晶体管退化的半导体器件。根据一种实施方式，半导体器件包括第一晶体管，其设置在高电位侧电压端和输出端之间，通过降低电源电压而产生的恒定电压提供至所述高电位侧电压端；第二晶体管，其设置在低电位侧电压端和所述输出端之间，接地电压提供至所述低电位侧电压端；控制电路，其控制所述第一晶体管和第二晶体管的导通/断开；升压电路，其通过使用所述输出端的电压来升高电源电压从而产生输出电压；及过电压检测电路，其检测使所述高电位侧电压端与所述第一晶体管相互连接的电源线路的过电压。所述控制电路，在检测出所述过电压时，控制断开所述第二晶体管。
-
公开(公告)号：CN109428596A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201810931538.2
申请日：2018-08-16
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H03M1/10
Abstract: 本公开涉及半导体装置、信号处理系统和信号处理方法。提供了调节老化劣化时的特性的改变的半导体装置、信号处理系统和信号处理方法。本发明的半导体装置包括：参考电压生成电路，生成参考电压；模拟信号处理电路，根据所述参考电压输出第一处理信号；测试信号输出部分，输出具有比所述第一处理信号低的电压的第二处理信号作为测试信号；输入部分，接收用于输出的测试信号的调节信号；以及调节器电路，响应于所述调节信号调节所述模拟信号处理电路的输出。
-
公开(公告)号：CN107181406A
公开(公告)日：2017-09-19
申请号：CN201710095521.3
申请日：2017-02-22
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Abstract: 本发明提供一种能够防止由过电流流动导致的晶体管退化的半导体器件。根据一种实施方式，半导体器件包括第一晶体管，其设置在高电位侧电压端和输出端之间，通过降低电源电压而产生的恒定电压提供至所述高电位侧电压端；第二晶体管，其设置在低电位侧电压端和所述输出端之间，接地电压提供至所述低电位侧电压端；控制电路，其控制所述第一晶体管和第二晶体管的导通/断开；升压电路，其通过使用所述输出端的电压来升高电源电压从而产生输出电压；及过电压检测电路，其检测使所述高电位侧电压端与所述第一晶体管相互连接的电源线路的过电压。所述控制电路，在检测出所述过电压时，控制断开所述第二晶体管。
-
-
Search Results
3
records
(took 0.019 seconds)
