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公开(公告)号：CN109428596A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201810931538.2
申请日：2018-08-16
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H03M1/10
Abstract: 本公开涉及半导体装置、信号处理系统和信号处理方法。提供了调节老化劣化时的特性的改变的半导体装置、信号处理系统和信号处理方法。本发明的半导体装置包括：参考电压生成电路，生成参考电压；模拟信号处理电路，根据所述参考电压输出第一处理信号；测试信号输出部分，输出具有比所述第一处理信号低的电压的第二处理信号作为测试信号；输入部分，接收用于输出的测试信号的调节信号；以及调节器电路，响应于所述调节信号调节所述模拟信号处理电路的输出。
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