公开(公告)号：CN107181406B

公开(公告)日：2020-09-18

申请号：CN201710095521.3

申请日：2017-02-22

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 小山慎一 ,  楠武志 ,  周伟 ,  铃木宏昌

IPC: H02M3/158 ,  H02H7/12 ,  H02M3/07

Abstract: 本发明提供一种能够防止由过电流流动导致的晶体管退化的半导体器件。根据一种实施方式，半导体器件包括第一晶体管，其设置在高电位侧电压端和输出端之间，通过降低电源电压而产生的恒定电压提供至所述高电位侧电压端；第二晶体管，其设置在低电位侧电压端和所述输出端之间，接地电压提供至所述低电位侧电压端；控制电路，其控制所述第一晶体管和第二晶体管的导通/断开；升压电路，其通过使用所述输出端的电压来升高电源电压从而产生输出电压；及过电压检测电路，其检测使所述高电位侧电压端与所述第一晶体管相互连接的电源线路的过电压。所述控制电路，在检测出所述过电压时，控制断开所述第二晶体管。

公开(公告)号：CN107181406A

公开(公告)日：2017-09-19

申请号：CN201710095521.3

申请日：2017-02-22

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 小山慎一 ,  楠武志 ,  周伟 ,  铃木宏昌

IPC: H02M3/158 ,  H02H7/12 ,  H02M3/07

Abstract: 本发明提供一种能够防止由过电流流动导致的晶体管退化的半导体器件。根据一种实施方式，半导体器件包括第一晶体管，其设置在高电位侧电压端和输出端之间，通过降低电源电压而产生的恒定电压提供至所述高电位侧电压端；第二晶体管，其设置在低电位侧电压端和所述输出端之间，接地电压提供至所述低电位侧电压端；控制电路，其控制所述第一晶体管和第二晶体管的导通/断开；升压电路，其通过使用所述输出端的电压来升高电源电压从而产生输出电压；及过电压检测电路，其检测使所述高电位侧电压端与所述第一晶体管相互连接的电源线路的过电压。所述控制电路，在检测出所述过电压时，控制断开所述第二晶体管。