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公开(公告)号：CN1964183B
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN200610144470.0
申请日：2006-11-08
申请人： 瑞萨电子株式会社
CPC分类号： H03J3/20 , H03B5/1215 , H03B5/1218 , H03B5/1228 , H03B5/1231 , H03B5/1243 , H03B5/1253 , H03B5/1265 , H03B5/1293 , H03B5/1296 , H03B2201/0208 , H03B2201/0216 , H03D3/007 , H03J2200/10
摘要： 本发明提供一种用于频率转换增益的变动少的振荡器的LC谐振电路、使用了该LC谐振电路的振荡器、以及信息设备。振荡器的LC谐振电路，包括电感器(L1)、具有第1微调电容和第1电容组的并联电容、以及具有第2微调电容和第2电容组的串联电容。振荡器的频率转换增益，为基于随着第1电容组的电容值变大而降低的第1微调电容的频率转换增益，与基于随着第2电容组的电容值变大而增大的第2微调电容的频率转换增益之和。
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公开(公告)号：CN101359903B
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN200810108850.8
申请日：2008-05-29
申请人： 瑞萨电子株式会社
IPC分类号： H03H11/50
CPC分类号： H03H11/42 , H03H11/1291
摘要： 本发明提供一种芯片占用面积小、低功耗的宽频带RF信号处理电路。半导体集成电路在半导体芯片上具备谐振电路，该谐振电路包括：第一电容器(1)，具有可由第一控制端子(101)的第一控制信号(Vc1)控制的电容(CR)；以及回转器(2、5)，包含具有可由第二控制端子(102)的第二控制信号(Vc2)控制的电容(CL)的第二电容器(3)，并等效地模拟电感器(L)。电容(CR)和电感器(L)构成并联谐振电路。当变更并联谐振频率时，协调地变更第一电容器(1)和第二电容器(3)的电容。并联谐振电路适用于连接在放大元件(Q1)的输出电极上的有源负载。
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公开(公告)号：CN1866727B
公开(公告)日：2011-01-19
申请号：CN200610082559.9
申请日：2006-05-17
申请人： 瑞萨电子株式会社
IPC分类号： H03B5/20
CPC分类号： H03B5/1231 , H03B5/1215 , H03B5/1243 , H03B5/1265 , H03B2201/0208 , H03J2200/10
摘要： 本发明提供一种压控振荡器和使用了它的无线通信机。通过等效地减少压控振荡器的谐振电容值中固定电容的电容值，来使谐振电容的可变量增加，扩大振荡频率的范围。该压控振荡器包括：具有用于差动输出的谐振节点(OUT、OUTB)的差动式的负电导产生电路(11)；通过电压控制来控制电容值的可变电容与电感进行了并联连接的差动式的谐振电路(10)；以及差动式的负阻抗电路(13)。在谐振节点之间连接谐振电路和负阻抗电路。在谐振节点间产生的固定电容的电容值因负阻抗电路呈现出的负阻抗而被降低。固定电容以分别产生在谐振节点(OUT)和接地电位之间、谐振节点(OUTB)和接地电位之间的寄生电容来代表。
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公开(公告)号：CN102035467A
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN201010523074.5
申请日：2006-11-08
申请人： 瑞萨电子株式会社
CPC分类号： H03J3/20 , H03B5/1215 , H03B5/1218 , H03B5/1228 , H03B5/1231 , H03B5/1243 , H03B5/1253 , H03B5/1265 , H03B5/1293 , H03B5/1296 , H03B2201/0208 , H03B2201/0216 , H03D3/007 , H03J2200/10
摘要： 本发明提供一种用于频率转换增益的变动少的振荡器的LC谐振电路、使用了该LC谐振电路的振荡器、以及信息设备。本发明的压控振荡器，包括增益生成电路，生成进行振荡所需要的增益；谐振电路，能够根据第1频率控制信号组，使谐振频率发生变化，上述增益生成电路，包括负电导生成电路，生成作为对交流电压的负电流增益的负电导；K个端子，用于根据负电导控制信号组来控制上述生成的负电导，其中K为正整数。
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公开(公告)号：CN101789421B
公开(公告)日：2011-09-28
申请号：CN201010135436.3
申请日：2005-05-30
申请人： 瑞萨电子株式会社
CPC分类号： H03G3/3036 , H01L23/3121 , H01L23/66 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L2224/05554 , H01L2224/16 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/48227 , H01L2224/49171 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/01019 , H01L2924/01079 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/19041 , H01L2924/3011 , H01L2924/3025 , H01L2924/00 , H01L2224/05599
摘要： 提供一种小型化的半导体器件，其具有封装衬底；半导体芯片，安装在封装衬底的主表面上，并具有均用于放大信号的多个LNA、用于转换从LNA供给的每个信号频率的RF VCO、和用于转换从基带供给的信号频率的IF VCO；以及多个球电极，设置在封装衬底的背表面上。封装衬底设置有用于向每一个LAN供给GND电位的第一公共GND导线、用于向RF VCO供给GND电位的第二公共GND导线、和用于向IF VCO供给GND电位的第三公共GND导线。第一、第二和第三公共GND导线彼此分开。
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