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公开(公告)号：CN113257785A
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN202110143305.8
申请日：2021-02-02
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L23/528 , H01L21/768
Abstract: 本公开涉及一种半导体器件以及制造半导体器件的方法。该半导体器件包括半导体衬底、半导体层、第一绝缘膜和导电膜。半导体层形成在半导体衬底上。到达半导体衬底的第一沟槽形成在半导体层内。第一绝缘膜形成在第一沟槽的内侧表面上使得半导体衬底的一部分在第一沟槽中露出。导电膜与半导体衬底电连接并且穿过第一绝缘膜形成在第一沟槽的内侧表面上。在平面图中，第一沟槽在第一沟槽的延伸方向上的第一长度，大于第一沟槽在垂直于延伸方向的宽度方向上的第二长度，并且等于或小于30μm。
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