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公开(公告)号:CN102223065A
公开(公告)日:2011-10-19
申请号:CN201110082523.1
申请日:2011-03-30
Applicant: 瑞萨电子株式会社
CPC classification number: H01L29/7813 , H01L23/3171 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L24/05 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L29/0619 , H01L29/1095 , H01L29/7811 , H01L2224/02166 , H01L2224/04042 , H01L2224/0603 , H01L2224/48137 , H01L2224/48139 , H01L2224/48247 , H01L2224/49171 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/0102 , H01L2924/01046 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/30107 , H02M1/4225 , Y02B70/126 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本发明提供一种电子器件和半导体器件。本发明提供一种通过控制与有源滤波方法的PFC功率源的输出功率相关的PFC功率源的开关电路在PFC功率源中在全负载区域中提高效率的方法。提供控制对电感器进行充电/放电的一对两个开关。电流容量小的MOSFET开关用作开关之一,并且大电流容量的IGBT开关用作另一开关。当用于对PFC功率源的输出端子的电压进行分压的分压电路的输出小于阈值电压时仅操作MOSFET开关。当该输出超过阈值电压时也操作IGBT开关。