公开(公告)号：CN110299341B

公开(公告)日：2022-11-04

申请号：CN201910486283.8

申请日：2014-06-13

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 武藤晃 ,  小池信也 ,  小辻雅挥 ,  成田幸弘

IPC: H01L23/495 ,  H01L23/492 ,  H01L23/538 ,  H01L21/331 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L21/48 ,  H01L23/552

Abstract: 改进了半导体器件和电子器件支持大电流的性能。发射极端子从密封主体的第一侧边突出，而信号端子从密封主体的第二侧边突出。也即，发射极端子突出的密封主体的侧边与信号端子突出的密封主体的侧边是不同的。更具体地，信号端子从与发射极端子突出的侧边相对的密封主体的侧边突出。此外，包括在其中形成二极管的第二半导体芯片以如此方式安装在芯片安装部分的第一表面之上以使其在平面图中位于发射极端子与包括在其中形成IGBT的第一半导体芯片之间。

公开(公告)号：CN110299341A

公开(公告)日：2019-10-01

申请号：CN201910486283.8

申请日：2014-06-13

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 武藤晃 ,  小池信也 ,  小辻雅挥 ,  成田幸弘

IPC: H01L23/495 ,  H01L23/492 ,  H01L23/538 ,  H01L21/331 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L21/48 ,  H01L23/552

Abstract: 改进了半导体器件和电子器件支持大电流的性能。发射极端子从密封主体的第一侧边突出，而信号端子从密封主体的第二侧边突出。也即，发射极端子突出的密封主体的侧边与信号端子突出的密封主体的侧边是不同的。更具体地，信号端子从与发射极端子突出的侧边相对的密封主体的侧边突出。此外，包括在其中形成二极管的第二半导体芯片以如此方式安装在芯片安装部分的第一表面之上以使其在平面图中位于发射极端子与包括在其中形成IGBT的第一半导体芯片之间。

公开(公告)号：CN104241259A

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201410265491.2

申请日：2014-06-13

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 武藤晃 ,  小池信也 ,  小辻雅挥 ,  成田幸弘

IPC: H01L25/07 ,  H01L25/11 ,  H01L25/16 ,  H01L23/31 ,  H01L23/495

Abstract: 改进了半导体器件和电子器件支持大电流的性能。发射极端子从密封主体的第一侧边突出，而信号端子从密封主体的第二侧边突出。也即，发射极端子突出的密封主体的侧边与信号端子突出的密封主体的侧边是不同的。更具体地，信号端子从与发射极端子突出的侧边相对的密封主体的侧边突出。此外，包括在其中形成二极管的第二半导体芯片以如此方式安装在芯片安装部分的第一表面之上以使其在平面图中位于发射极端子与包括在其中形成IGBT的第一半导体芯片之间。