公开(公告)号：CN103227113B

公开(公告)日：2018-05-18

申请号：CN201310029580.2

申请日：2013-01-25

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 江口聪司 ,  安孙子雄哉 ,  小暮淳一

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/26566 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7842 ,  H01L29/7848

Abstract: 本发明涉及制造垂直平面功率MOSFET的方法和制造沟槽栅极功率MOSFET的方法。在含有具有超结结构的漂移区的超结功率MOSFET的制造步骤中，在形成超结结构之后，典型地执行引入体区等以及与其有关的热处理。然而，在其过程中，包括在超结结构内的P型柱区等中的每一个中的掺杂剂被扩散，从而导致分散的掺杂分布。这引起诸如在漏极与源极之间施加反向偏压时的击穿电压的劣化以及导通电阻的增大之类的问题。根据本发明，在制造基于硅的垂直平面功率MOSFET的方法中，形成沟道区的体区是通过选择性外延生长来形成的。

公开(公告)号：CN103227113A

公开(公告)日：2013-07-31

申请号：CN201310029580.2

申请日：2013-01-25

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 江口聪司 ,  安孙子雄哉 ,  小暮淳一

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/26566 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7842 ,  H01L29/7848

Abstract: 本发明涉及制造垂直平面功率MOSFET的方法和制造沟槽栅极功率MOSFET的方法。在含有具有超结结构的漂移区的超结功率MOSFET的制造步骤中，在形成超结结构之后，典型地执行引入体区等以及与其有关的热处理。然而，在其过程中，包括在超结结构内的P型柱区等中的每一个中的掺杂剂被扩散，从而导致分散的掺杂分布。这引起诸如在漏极与源极之间施加反向偏压时的击穿电压的劣化以及导通电阻的增大之类的问题。根据本发明，在制造基于硅的垂直平面功率MOSFET的方法中，形成沟道区的体区是通过选择性外延生长来形成的。