公开(公告)号：CN101540196B

公开(公告)日：2013-04-24

申请号：CN200910007019.8

申请日：2009-02-03

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 上利武 ,  佐藤广利 ,  赤井清恭 ,  千田稔 ,  中井宏明

IPC: G11C11/413 ,  G11C5/14

CPC classification number: G11C5/14 ,  G11C5/148 ,  G11C8/08 ,  G11C8/10 ,  G11C11/417

Abstract: 本发明涉及半导体装置。在向待机模式转换时，利用控制信号(WLPD)使第1晶体管(11)成导通状态，将字线(WL)固定为接地电压(VSS)。还有，使第2晶体管(21)成非导通状态，切断对字线驱动器(WD)的内部电源电压(VDD)的供给。其后，为节约电力停止内部电源电压(VDD)的供给。在向通常模式回归时，开始内部电源电压(VDD)的供给之后，利用控制信号(WLPD)使第1晶体管(11)为非导通状态，使第2晶体管(21)为导通状态。

公开(公告)号：CN101149973B

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN200710141904.6

申请日：2007-08-16

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 千田稔 ,  濑户川润

IPC: G11C16/26

CPC classification number: G11C16/3436

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件，包括：多个存储器单元，根据其阈值电压存储数据；多个位线，读取信号分别根据存储器单元存储的数据而出现在位线上；多个读出放大器，分别对应于位线布置，并且分别检测已出现在位线上的读取信号、并根据所检测的读取信号从第一和第二节点输出分别具有彼此不同逻辑电平的第一和第二信号；以及确定单元，根据分别从读出放大器的第一和第二节点接收的第一和第二信号来确定存储器单元的阈值电压是否正常。