半导体装置
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101540196B

    公开(公告)日:2013-04-24

    申请号:CN200910007019.8

    申请日:2009-02-03

    CPC classification number: G11C5/14 G11C5/148 G11C8/08 G11C8/10 G11C11/417

    Abstract: 本发明涉及半导体装置。在向待机模式转换时,利用控制信号(WLPD)使第1晶体管(11)成导通状态,将字线(WL)固定为接地电压(VSS)。还有,使第2晶体管(21)成非导通状态,切断对字线驱动器(WD)的内部电源电压(VDD)的供给。其后,为节约电力停止内部电源电压(VDD)的供给。在向通常模式回归时,开始内部电源电压(VDD)的供给之后,利用控制信号(WLPD)使第1晶体管(11)为非导通状态,使第2晶体管(21)为导通状态。

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