抖动消除电路
    1.
    发明公开
    抖动消除电路 审中-公开

    公开(公告)号:CN117639736A

    公开(公告)日:2024-03-01

    申请号:CN202311077680.2

    申请日:2023-08-25

    Inventor: 元泽笃史

    Abstract: 一种抖动消除电路包括时钟缓冲器和电流控制单元。该时钟缓冲器输入从由电源电压驱动的时钟传播元件输出的时钟。此外,该时钟缓冲器根据操作电流的增加而相对于电源电压减少,同时给出根据该操作电流的减少而增加的延迟时间来输出该时钟。该电流控制单元被配置为在该电源电压的波动分量的相反的相位中增加/减少该时钟缓冲器的该操作电流。

    电流产生电路和包括其的带隙基准电路及半导体器件

    公开(公告)号:CN108536207A

    公开(公告)日:2018-09-14

    申请号:CN201810274615.1

    申请日:2015-04-14

    Abstract: 本公开涉及电流产生电路和包括其的带隙基准电路及半导体器件。提供一种电流产生电路,该电流产生电路包括:第一和第二双极晶体管;分别使得第一电流和第二电流流过第一和第二双极晶体管的电流分配电路,第一电流和第二电流与第一控制电压对应;设置在第一双极晶体管与第一电流分配电路之间的第一NMOS晶体管;设置在第二双极晶体管与第一电流分配电路之间的第二NMOS晶体管;第一电阻元件;根据第一NMOS晶体管的漏极电压和基准偏压向第一和第二NMOS晶体管的栅极输出第二控制电压的第一运算放大器;和根据第二NMOS晶体管的漏极电压和基准偏压产生第一控制电压的第二运算放大器。

    电流产生电路和包括其的带隙基准电路及半导体器件

    公开(公告)号:CN104977957B

    公开(公告)日:2018-04-27

    申请号:CN201510175400.0

    申请日:2015-04-14

    CPC classification number: G05F3/30 G05F3/245 G05F3/267

    Abstract: 本公开涉及电流产生电路和包括其的带隙基准电路及半导体器件。提供一种电流产生电路,该电流产生电路包括:第一和第二双极晶体管;分别使得第一电流和第二电流流过第一和第二双极晶体管的电流分配电路,第一电流和第二电流与第一控制电压对应;设置在第一双极晶体管与第一电流分配电路之间的第一NMOS晶体管;设置在第二双极晶体管与第一电流分配电路之间的第二NMOS晶体管;第一电阻元件;根据第一NMOS晶体管的漏极电压和基准偏压向第一和第二NMOS晶体管的栅极输出第二控制电压的第一运算放大器;和根据第二NMOS晶体管的漏极电压和基准偏压产生第一控制电压的第二运算放大器。

    电流产生电路和包括其的带隙基准电路及半导体器件

    公开(公告)号:CN104977957A

    公开(公告)日:2015-10-14

    申请号:CN201510175400.0

    申请日:2015-04-14

    CPC classification number: G05F3/30 G05F3/245 G05F3/267

    Abstract: 本公开涉及电流产生电路和包括其的带隙基准电路及半导体器件。提供一种电流产生电路,该电流产生电路包括:第一和第二双极晶体管;分别使得第一电流和第二电流流过第一和第二双极晶体管的电流分配电路,第一电流和第二电流与第一控制电压对应;设置在第一双极晶体管与第一电流分配电路之间的第一NMOS晶体管;设置在第二双极晶体管与第一电流分配电路之间的第二NMOS晶体管;第一电阻元件;根据第一NMOS晶体管的漏极电压和基准偏压向第一和第二NMOS晶体管的栅极输出第二控制电压的第一运算放大器;和根据第二NMOS晶体管的漏极电压和基准偏压产生第一控制电压的第二运算放大器。

    半导体集成电路及其操作方法

    公开(公告)号:CN102571119A

    公开(公告)日:2012-07-11

    申请号:CN201110361324.4

    申请日:2011-11-15

    CPC classification number: H04B1/40 H03H11/26 H03K5/133

    Abstract: 本发明涉及一种半导体集成电路及其操作方法,该集成电路装配有接收混频器和信号发生器。多级延迟电路响应于接收载波信号而生成多个时钟脉冲。相位检测单元检测在特定时钟脉冲的电压电平与先于特定时钟脉冲而生成的预定数量的时钟脉冲的电压电平之间的差异,从而检测出特定时钟脉冲的预定相位。时钟发生单元的选择器从时钟脉冲信号中输出分别具有多种相位的多个选择时钟脉冲信号。第一时钟合成逻辑单路对选择时钟脉冲执行逻辑运算,从而生成被供应给接收混频器的本地信号。

    使用间歇操作放大器的PLL电路

    公开(公告)号:CN114389600A

    公开(公告)日:2022-04-22

    申请号:CN202111214381.X

    申请日:2021-10-19

    Inventor: 元泽笃史

    Abstract: 本公开涉及使用间歇操作放大器的PLL电路。该PLL电路包括相位比较器、积分路径、比例路径、电流控制振荡器、分频器和。双积分路径包括间歇操作gm放大器、滤波电路和电压电流转换电路。间歇操作gm放大器接收滤波电路的输出电压。当用于间歇操作的脉冲CLK为ON时,间歇操作gm放大器将其电压输出到滤波电路。当用于间歇操作的脉冲CLK为OFF时,间歇操作gm放大器不将滤波电路的输出电压输出到滤波电路。即使当用于间歇操作的脉冲CLK为OFF时,电压电流转换电路的输入电位也由滤波电路保持,并且电流流向电流控制振荡器。这使得可以在不增加滤波电路的面积的情况下以高频振荡。

    电流产生电路和包括其的带隙基准电路及半导体器件

    公开(公告)号:CN108536207B

    公开(公告)日:2021-01-29

    申请号:CN201810274615.1

    申请日:2015-04-14

    Abstract: 本公开涉及电流产生电路和包括其的带隙基准电路及半导体器件。提供一种电流产生电路,该电流产生电路包括:第一和第二双极晶体管;分别使得第一电流和第二电流流过第一和第二双极晶体管的电流分配电路,第一电流和第二电流与第一控制电压对应;设置在第一双极晶体管与第一电流分配电路之间的第一NMOS晶体管;设置在第二双极晶体管与第一电流分配电路之间的第二NMOS晶体管;第一电阻元件;根据第一NMOS晶体管的漏极电压和基准偏压向第一和第二NMOS晶体管的栅极输出第二控制电压的第一运算放大器;和根据第二NMOS晶体管的漏极电压和基准偏压产生第一控制电压的第二运算放大器。

    半导体器件
    8.
    发明公开
    半导体器件 审中-实审

    公开(公告)号:CN117134769A

    公开(公告)日:2023-11-28

    申请号:CN202310546022.7

    申请日:2023-05-15

    Abstract: 一种半导体器件包括相位插值电路,该相位插值电路包括N位的电流数模转换电路、开关电路、电容元件、反相器和控制逻辑电路。控制逻辑电路通过使用反相器的输出结果来检测相位插值操作的结束,并且输出用于关断电流数模转换电路的第一控制信号。此外,控制逻辑电路通过使用反相器的输出结果来检测相位插值操作的结束,并且输出用于关断反相器的第二控制信号。

    半导体集成电路及其操作方法

    公开(公告)号:CN102571119B

    公开(公告)日:2016-06-08

    申请号:CN201110361324.4

    申请日:2011-11-15

    CPC classification number: H04B1/40 H03H11/26 H03K5/133

    Abstract: 本发明涉及一种半导体集成电路及其操作方法,该集成电路装配有接收混频器和信号发生器。多级延迟电路响应于接收载波信号而生成多个时钟脉冲。相位检测单元检测在特定时钟脉冲的电压电平与先于特定时钟脉冲而生成的预定数量的时钟脉冲的电压电平之间的差异,从而检测出特定时钟脉冲的预定相位。时钟发生单元的选择器从时钟脉冲信号中输出分别具有多种相位的多个选择时钟脉冲信号。第一时钟合成逻辑单路对选择时钟脉冲执行逻辑运算,从而生成被供应给接收混频器的本地信号。

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