公开(公告)号：CN119480631A

公开(公告)日：2025-02-18

申请号：CN202410779246.7

申请日：2024-06-17

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 山口直 ,  井上慎治

IPC: H01L21/285 ,  C23C16/455 ,  C23C16/40 ,  H01L21/04 ,  H10D30/01 ,  H10D30/66

Abstract: 本公开的各实施例涉及半导体器件及其制造方法。提高了半导体器件的可靠性。在本公开中，通过ALD方法在使用包含卤族元素和金属元素的材料气体的工艺中，在碳化硅半导体衬底上形成栅极绝缘膜。

公开(公告)号：CN115768122A

公开(公告)日：2023-03-07

申请号：CN202210960909.6

申请日：2022-08-11

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 井上慎治

IPC: H10B43/30 ,  H10B41/30 ,  H01L29/423 ,  H01L29/51 ,  H01L21/28

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件能够缩短擦除时间并抑制保持特性的恶化。一种半导体器件，包括：具有主表面的半导体衬底；形成在主表面上的栅极绝缘膜；以及形成在栅极绝缘膜上的栅极电极。栅极绝缘膜包括第一氮化硅膜、和被布置在主表面与第一氮化硅膜之间并与第一氮化硅膜接触的第一氧化硅膜。Si‑Si键被形成在第一氧化硅膜与第一氮化硅膜之间的边界部分中。