公开(公告)号：CN105374755A

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201510474002.9

申请日：2015-08-05

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 中西伸登 ,  川嶋祥之 ,  西田彰男

IPC: H01L21/8247 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L27/11568 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/28282 ,  H01L21/31053 ,  H01L27/11563 ,  H01L27/11573 ,  H01L29/42344 ,  H01L29/456 ,  H01L29/513 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6659 ,  H01L27/115 ,  H01L21/28

Abstract: 本发明的各个实施例涉及制造半导体器件的方法。提供了一种可靠性得到改进的半导体器件。提供了一种半导体器件：经由第一绝缘膜，在半导体衬底上形成用于存储器单元的控制栅极电极；经由具有电荷存储部的第二绝缘膜，在半导体衬底上形成用于存储器单元的存储器栅极电极，该存储器栅极电极与控制栅极电极相邻；通过离子注入，在半导体衬底中形成用于源极或者漏极的n-型半导体区域；在控制栅极电极和存储器栅极电极的侧壁上，形成侧壁间隔件；通过离子注入，在半导体衬底中形成用于源极或者漏极的n+型半导体区域；以及去除存在于在控制栅极电极与存储器栅极电极之间的第二绝缘膜的上部。第二绝缘膜的去除长度大于n+型半导体区域的深度。