具有稳定放电机制的静电防护电路

    公开(公告)号:CN116247633A

    公开(公告)日:2023-06-09

    申请号:CN202111492528.1

    申请日:2021-12-08

    发明人: 黄崇祐

    IPC分类号: H02H9/04

    摘要: 一种具有稳定放电机制的静电防护电路。分压电路根据电压输入端产生检测信号,第一反相器输出反相检测信号。第一P型及N型晶体管电路通过第一端串联于电压输入端及接地端间。第二N型晶体管电路耦接第二端及接地端间。第一P型晶体管控制端耦接于第二端,第一及第二N型晶体管控制端分别接收反相检测信号及检测信号。容阻电路的电阻及电容通过控制端串联于电压输入端及接地端间,且控制端耦接于第二端。第二反相器自控制端接收反相抬升检测信号反相输出为抬升检测信号。静电放电晶体管受抬升检测信号控制在导通时对电压输入端放电。

    具有稳定放电机制的静电防护电路

    公开(公告)号:CN116316498A

    公开(公告)日:2023-06-23

    申请号:CN202111573371.5

    申请日:2021-12-21

    发明人: 黄崇祐

    IPC分类号: H02H9/04

    摘要: 一种具有稳定放电机制的静电防护电路。分压电路根据电压输入端产生检测信号,第一反相器输出反相检测信号。电压抬升电路的第一P型及N型晶体管电路通过第一端串联于电压输入端及接地端间,第二P型及N型晶体管电路通过第二端串联于电压输入端及接地端间。第一及第二P型晶体管控制端分别电性耦接于第二端及第一端,第一及第二N型晶体管控制端分别接收反相检测信号及检测信号。第二反相器自第二端接收反相抬升检测信号反相输出为抬升检测信号。静电放电晶体管受抬升检测信号控制,以在导通时对电压输入端放电。

    静电防护电路
    3.
    发明公开
    静电防护电路 审中-实审

    公开(公告)号:CN118739220A

    公开(公告)日:2024-10-01

    申请号:CN202310340507.0

    申请日:2023-03-31

    发明人: 黄崇祐

    IPC分类号: H02H9/04 H02H7/20

    摘要: 一种静电防护电路。分压电路对电压输入端分压,以由检测电路产生抬升检测信号。第一反相器耦接于第一电压馈入端及第二反相器输入端。第二反相器耦接于第一反相器输出端及接地端。阻容电路的电容电路通过电阻耦接于第一电压馈入端而充电,以提供电荷至反相器输入端。第一开关电路耦接于第一与第二反相器输入端其中之一及接地端。第二开关电路耦接于第二电压馈入端及第二反相器输入端。抬升检测信号在静电输入发生时分别断开与导通第一及第二开关电路,以使受控于反相器输出端的第一及第二放电晶体管导通对电压输入端放电。

    静电防护电路
    4.
    发明公开
    静电防护电路 审中-实审

    公开(公告)号:CN118739219A

    公开(公告)日:2024-10-01

    申请号:CN202310340429.4

    申请日:2023-03-31

    发明人: 黄崇祐

    IPC分类号: H02H9/04 H02H7/20

    摘要: 一种静电防护电路。分压电路对电压输入端分压,以由检测电路产生抬升检测信号。第一反相器耦接于第一电压馈入端及第二反相器输入端。第二反相器耦接于第一反相器输出端及接地端。反相器控制电路对抬升检测信号进行电压抬升,产生与其反相的控制信号至第一反相器输入端。第一开关电路耦接于第一与第二反相器输入端其中之一及接地端。第二开关电路耦接于第二电压馈入端及第二反相器输入端。抬升检测信号在静电输入发生时分别断开与导通第一及第二开关电路,以使受控于反相器输出端的第一及第二放电晶体管导通对电压输入端放电。

    静电放电保护电路
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116111566A

    公开(公告)日:2023-05-12

    申请号:CN202111321663.X

    申请日:2021-11-09

    发明人: 吴涵歆 黄崇祐

    IPC分类号: H02H9/02 H02H9/04

    摘要: 一种静电放电(ESD)保护电路,包含多个ESD箝位电路与分流电路。多个ESD箝位电路分别包含多个晶体管。多个晶体管串联耦合在第一电源线和第二电源线之间。分流电路耦合在多个晶体管中的第一晶体管的第一端和控制端,用于在ESD事件期间将第一晶体管的第一端导通至第一晶体管的控制端,以抬升第一晶体管的控制端的电压。在ESD事件期间之外的期间,分流电路绝缘第一晶体管的第一端与控制端。

    静电放电保护电路
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118300049A

    公开(公告)日:2024-07-05

    申请号:CN202310009471.8

    申请日:2023-01-04

    发明人: 黄崇祐

    IPC分类号: H02H9/04

    摘要: 一种静电放电保护电路,其包含第一晶体管、第二晶体管、触发电路、时间常数电路以及偏压电路。第二晶体管与第一晶体管串联耦接于第一电源线与第二电源线之间。触发电路被配置为在正常操作期间关断第二晶体管。时间常数电路耦接于触发电路,并且被配置为在静电放电期间控制触发电路以将静电放电电压输出至第一晶体管的栅极与第二晶体管的栅极以导通第一晶体管与第二晶体管。偏压电路耦接于第一电源线与第一晶体管的栅极,并且被配置为在正常操作期间对第一晶体管的栅极充电,以在第一电源线与第一晶体管的栅极之间生成预定电压差。

    半导体装置
    7.
    发明授权

    公开(公告)号:CN112768523B

    公开(公告)日:2024-04-05

    申请号:CN201911065665.X

    申请日:2019-11-04

    IPC分类号: H01L29/78 H01L29/06

    摘要: 一种半导体装置,包含一有源区结构、至少一栅极及至少一隔离结构。有源区结构沿第一方向设置。至少一栅极配置在有源区结构之上并沿第二方向延伸。第二方向不同于第一方向。至少一隔离结构配置在有源区结构之内。在第二方向上,至少一隔离结构的长度小于有源区结构的宽度。

    半导体装置
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN112768523A

    公开(公告)日:2021-05-07

    申请号:CN201911065665.X

    申请日:2019-11-04

    IPC分类号: H01L29/78 H01L29/06

    摘要: 一种半导体装置,包含一有源区结构、至少一栅极及至少一隔离结构。有源区结构沿第一方向设置。至少一栅极配置在有源区结构之上并沿第二方向延伸。第二方向不同于第一方向。至少一隔离结构配置在有源区结构之内。在第二方向上,至少一隔离结构的长度小于有源区结构的宽度。

    静电放电保护电路以及操作方法
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN112242696A

    公开(公告)日:2021-01-19

    申请号:CN201910654465.1

    申请日:2019-07-19

    IPC分类号: H02H9/04

    摘要: 一种静电放电保护电路,包括压降电路、检测电路以及箝位电路。所述压降电路用以依据第一电压产生第二电压。所述第二电压小于所述第一电压。所述检测电路耦接所述压降电路。所述检测电路用以依据所述第二电压以及输入电压产生控制信号。所述箝位电路耦接所述压降电路以及所述检测电路。所述箝位电路用以依据所述控制信号的电压位准提供静电放电路径。