公开(公告)号：CN113497158B

公开(公告)日：2023-03-21

申请号：CN202010266554.1

申请日：2020-04-07

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 ,  珠海零边界集成电路有限公司

Inventor： 温珂 ,  曾丹 ,  史波 ,  林苡任

IPC: H01L29/868 ,  H01L29/06 ,  H01L21/329

Abstract: 本发明公开了一种快恢复半导体器件及其制作方法，制作方法包括以下步骤：提供一半导体基底，半导体基底包括第一导电类型漂移区；在漂移区之上形成氧化层，氧化层在漂移区中界定出有源区和位于所述有源区区域外围的终端耐压结构区；自漂移区上表面注入能量范围为100KEV～150KEV的第二导电类型离子，以在漂移区形成第二导电类型阱区；对第二导电类型阱区进行推结到指定深度；在所述终端耐压结构区边缘远离主结第二导电类型增强区一侧形成第一导电类型截止环。本发明通过采用高能量离子进行注入的工艺，可同时完成第二导电类型阱区的注入与第一导电类型漂移区缺陷的引入，降低了少子寿命，从而改善了反向恢复特性，提高了软度因子，并降低了生产成本。

公开(公告)号：CN113467546A

公开(公告)日：2021-10-01

申请号：CN202110844147.9

申请日：2021-07-26

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 苏梨梨 ,  徐伟坤 ,  温珂 ,  史波

IPC: G05D23/20

Abstract: 本申请公开了一种温度控制方法、装置以及测温箱，其中，该方法包括：获取分立功率器件的测试温度，其中，分立功率器件固定在温控器件的第一加热片和第二加热片之间，其中，温控器件还包括第一制冷片和第二制冷片；获取分立功率器件的实际温度；根据测试温度和实际温度，通过比例积分微分PID算法生成控制信号；基于控制信号调节温控器件的工作状态，直至实际温度与所述测试温度相同。通过本申请，一方面升降温速度更快，温度控制更加稳定，另一方面避免了耐高温测试引线过长对测试精度造成的影响，解决了相关技术基于温度对分立功率器件进行性能测试时测试精度不准确的技术问题，从而提高了测试数据的准确度，拓宽了测温箱的适用场景。

公开(公告)号：CN113497158A

公开(公告)日：2021-10-12

申请号：CN202010266554.1

申请日：2020-04-07

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 ,  珠海零边界集成电路有限公司

Inventor： 温珂 ,  曾丹 ,  史波 ,  林苡任

IPC: H01L29/868 ,  H01L29/06 ,  H01L21/329

Abstract: 本发明公开了一种快恢复半导体器件及其制作方法，制作方法包括以下步骤：提供一半导体基底，半导体基底包括第一导电类型漂移区；在漂移区之上形成氧化层，氧化层在漂移区中界定出有源区和位于所述有源区区域外围的终端耐压结构区；自漂移区上表面注入能量范围为100KEV～150KEV的第二导电类型离子，以在漂移区形成第二导电类型阱区；对第二导电类型阱区进行推结到指定深度；在所述终端耐压结构区边缘远离主结第二导电类型增强区一侧形成第一导电类型截止环。本发明通过采用高能量离子进行注入的工艺，可同时完成第二导电类型阱区的注入与第一导电类型漂移区缺陷的引入，降低了少子寿命，从而改善了反向恢复特性，提高了软度因子，并降低了生产成本。

公开(公告)号：CN113394278A

公开(公告)日：2021-09-14

申请号：CN202010167943.9

申请日：2020-03-11

Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 ,  珠海零边界集成电路有限公司

Inventor： 刘勇强 ,  史波 ,  曾丹 ,  赵浩宇 ,  温珂 ,  葛孝昊 ,  赵家宽

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L21/331

Abstract: 本公开提供一种逆导型IGBT及其制备方法。该逆导型IGBT包括第一导电类型衬底；位于所述衬底上方的第一导电类型漂移层；其中,所述漂移层包括元胞区和位于所述元胞区周围的终端区，所述终端区包括设置于所述漂移层表面内的第一导电类型截止环区和位于所述元胞区与所述截止环区之间的第二导电类型JTE区；位于所述衬底下方的第二导电类型集电区和与所述集电区相邻接的第一导电类型短路区；其中，所述短路区与所述JTE区对齐，以使所述JTE区、所述漂移层、所述衬底和所述短路区构成快速恢复二极管。该结构使得元胞区的背面即元胞区对应的衬底下方全是集电极区，有效的抑制了逆导型IGBT的回跳现象，而且可另外采用局域寿命控制的方法进行二极管参数的优化。