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公开(公告)号：CN112379242B
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN202011163560.0
申请日：2020-10-27
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: G01R31/28
Abstract: 本申请涉及一种芯片失效点定位方法、装置及系统，芯片失效点定位方法包括获取芯片通电后发射的光信号；对光信号进行分离，输出多个特定波段的光辐射图像；将多个特定波段的光辐射图像与预置良品芯片结构形貌图比较以确定芯片失效点的波长信息。本申请可以实现对半导体芯片失效点波长的探测分析，在分析过程不会对芯片引入新的失效，提高了对半导体芯片失效分析的效率及准确性，可广泛适用于芯片设计、生产的测试环节，售后问题反馈等环节。
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公开(公告)号：CN112379242A
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN202011163560.0
申请日：2020-10-27
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: G01R31/28
Abstract: 本申请涉及一种芯片失效点定位方法、装置及系统，芯片失效点定位方法包括获取芯片通电后发射的光信号；对光信号进行分离，输出多个特定波段的光辐射图像；将多个特定波段的光辐射图像与预置良品芯片结构形貌图比较以确定芯片失效点的波长信息。本申请可以实现对半导体芯片失效点波长的探测分析，在分析过程不会对芯片引入新的失效，提高了对半导体芯片失效分析的效率及准确性，可广泛适用于芯片设计、生产的测试环节，售后问题反馈等环节。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112468131B
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202011377739.6
申请日：2020-11-30
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H03K17/687
Abstract: 本申请涉及一种驱动电路和驱动装置。所述驱动电路包括：所述驱动电路包括：电源电路，用于为所述驱动电路提供驱动电流；缓冲电路，与所述电源电路相连，用于根据控制信号放大驱动电流，所述驱动电流用于驱动碳化硅场效应管；过压保护电路，用于当所述碳化硅场效应管的导通电压大于或等于电压阈值时，抑制所述导通电压；过流保护电路，用于当所述碳化硅场效应管的导通电流大于或等于电流阈值时，抑制所述导通电流。上述驱动电路结构简单，通过过压保护电路和过流保护电路，实现在高功率、高频等特殊环境下，保证碳化硅场效应管的可靠运行。
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公开(公告)号：CN112468131A
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN202011377739.6
申请日：2020-11-30
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H03K17/687
Abstract: 本申请涉及一种驱动电路和驱动装置。所述驱动电路包括：所述驱动电路包括：电源电路，用于为所述驱动电路提供驱动电流；缓冲电路，与所述电源电路相连，用于根据控制信号放大驱动电流，所述驱动电流用于驱动碳化硅场效应管；过压保护电路，用于当所述碳化硅场效应管的导通电压大于或等于电压阈值时，抑制所述导通电压；过流保护电路，用于当所述碳化硅场效应管的导通电流大于或等于电流阈值时，抑制所述导通电流。上述驱动电路结构简单，通过过压保护电路和过流保护电路，实现在高功率、高频等特殊环境下，保证碳化硅场效应管的可靠运行。
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公开(公告)号：CN111239590B
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN202010114630.7
申请日：2020-02-24
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明公开了一种芯片静电损伤的定位方法及装置，该方法包括：对于芯片的失效样品，采用锁相缺陷定位热发射显微镜对失效样品中的缺陷位置进行定位评估，以得到失效样品的初始失效点；调节锁相缺陷定位热发射显微镜的定位参数后，再次采用锁相缺陷定位热发射显微镜对失效样品中的缺陷位置进行定位评估，以得到失效样品的新增失效点；采用扫描电子显微镜，对初始失效点和新增失效点的特征信息进行分析，以将初始失效点和新增失效点中特征信息与设定的静电损伤信息相同的部分失效点，确定为样品的静电损伤点。本发明的方案，可以解决芯片损伤位置的定位难度较大影响芯片的可靠性的问题，达到减小芯片损伤位置的定位难度以提升芯片的可靠性的效果。
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公开(公告)号：CN111323424A
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN202010110552.3
申请日：2020-02-24
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种器件失效点的定位系统及方法，该方法包括：开封装置，用于对待进行失效点定位的器件进行开封，以得到开封后的样品器件；偏置电源，用于对开封后的样品器件施加偏置电压；位置确定装置，用于在对开封后的样品器件施加偏置电压的情况下，对已施加偏置电压的样品器件的失效点的位置进行确定；位置显示装置，用于在已确定样品器件的失效点的位置的情况下，对已确定的器件的失效点的位置进行显示。本发明的方案，可以解决对失效器件的失效点进行定位的难度较大的问题，达到降低对失效器件的失效点进行定位的难度的效果。
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公开(公告)号：CN111239590A
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN202010114630.7
申请日：2020-02-24
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明公开了一种芯片静电损伤的定位方法及装置，该方法包括：对于芯片的失效样品，采用锁相缺陷定位热发射显微镜对失效样品中的缺陷位置进行定位评估，以得到失效样品的初始失效点；调节锁相缺陷定位热发射显微镜的定位参数后，再次采用锁相缺陷定位热发射显微镜对失效样品中的缺陷位置进行定位评估，以得到失效样品的新增失效点；采用扫描电子显微镜，对初始失效点和新增失效点的特征信息进行分析，以将初始失效点和新增失效点中特征信息与设定的静电损伤信息相同的部分失效点，确定为样品的静电损伤点。本发明的方案，可以解决芯片损伤位置的定位难度较大影响芯片的可靠性的问题，达到减小芯片损伤位置的定位难度以提升芯片的可靠性的效果。
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