公开(公告)号：CN103515623B

公开(公告)日：2018-06-12

申请号：CN201210482803.6

申请日：2012-11-23

Applicant: 现代自动车株式会社 ,  韩国科学技术研究院

Inventor： 洪普基 ,  金世勋 ,  文明芸 ,  李光烈 ,  吴奎焕 ,  许殷奎

IPC: H01M4/88 ,  H01M4/86 ,  H01M8/1004 ,  H01M8/1067 ,  H01M8/1086

CPC classification number: H01M8/1004 ,  B82Y30/00 ,  H01M8/1067 ,  H01M8/1086 ,  Y02P70/56

Abstract: 本发明公开了具有增强疏水性的膜电极组件及其制造方法。具体而言，使用等离子体刻蚀在构成膜电极组件的催化剂层的表面上的催化剂载体中形成具有高高宽比的纳米图案。之后在形成于催化剂载体中的纳米图案上形成疏水薄膜。

公开(公告)号：CN103515623A

公开(公告)日：2014-01-15

申请号：CN201210482803.6

申请日：2012-11-23

Applicant: 现代自动车株式会社 ,  韩国科学技术研究院

Inventor： 洪普基 ,  金世勋 ,  文明芸 ,  李光烈 ,  吴奎焕 ,  许殷奎

IPC: H01M4/88 ,  H01M4/86 ,  H01M8/10

CPC classification number: H01M8/1004 ,  B82Y30/00 ,  H01M8/1067 ,  H01M8/1086 ,  Y02P70/56

Abstract: 本发明公开了具有增强疏水性的膜电极组件及其制造方法。具体而言，使用等离子体刻蚀在构成膜电极组件的催化剂层的表面上的催化剂载体中形成具有高高宽比的纳米图案。之后在形成于催化剂载体中的纳米图案上形成疏水薄膜。