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公开(公告)号：CN115942859A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202210272670.3
申请日：2022-03-18
Abstract: 本发明涉及自旋轨道矩器件及其制造方法，所述自旋轨道矩器件包括下铁磁层、与下铁磁层结合的非磁性层以及与非磁性层结合的上铁磁层，其中，下铁磁层的磁化方向随机分布。根据本发明，能够提供一种利用自旋轨道矩的不能进行物理上的复制并且具有可重构性的磁存储器件。
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