功率模块及其制造方法
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117954401A

    公开(公告)日:2024-04-30

    申请号:CN202310521868.5

    申请日:2023-05-10

    Inventor: 郑韶恩 林奭炫

    Abstract: 本发明涉及功率模块及其制造方法,所述功率模块包括至少一个绝缘基板和至少一个半导体芯片,所述至少一个半导体芯片包括在所述至少一个绝缘基板上,所述至少一个绝缘基板包括绝缘层和金属层,所述金属层布置在所述至少一个半导体芯片与所述绝缘层之间,通过电路图案与所述至少一个半导体芯片形成电连接,并且允许填充在密闭的空腔中的流体流动,所述空腔形成在金属层中。

    功率模块
    2.
    发明公开
    功率模块 审中-实审

    公开(公告)号:CN117936501A

    公开(公告)日:2024-04-26

    申请号:CN202310535893.9

    申请日:2023-05-12

    Abstract: 本发明涉及一种功率模块。功率模块包括:上基板和下基板、上芯片、下芯片以及电路板,所述电路板布置为横跨上基板和下芯片之间的空间以及下基板和上芯片之间的空间,以使上基板和下基板彼此竖直地间隔开。电路板在将下芯片与上基板电连接的同时将上芯片与下基板电连接。

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