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公开(公告)号:CN1846156A
公开(公告)日:2006-10-11
申请号:CN200480024909.5
申请日:2004-08-24
Applicant: 独立行政法人科学技术振兴机构 , 住友电气工业株式会社
IPC: G02B6/12
CPC classification number: G02B6/12007 , B82Y20/00 , G02B6/1225
Abstract: 本发明的二维光子晶体分合波器,其在周期地配置空位(22)而形成的二维光子晶体上设置输入波导(23)和输出波导(24),并通过在两波导之间设置使空位(22)缺损的二个点状缺陷(25)、(26),从而防止由二维光子晶体平板合分波器中的波长的误差引起的效率的降低或与其他波长的串扰。
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公开(公告)号:CN100394228C
公开(公告)日:2008-06-11
申请号:CN200480024909.5
申请日:2004-08-24
Applicant: 独立行政法人科学技术振兴机构 , 住友电气工业株式会社
IPC: G02B6/12
CPC classification number: G02B6/12007 , B82Y20/00 , G02B6/1225
Abstract: 本发明的二维光子晶体分合波器,其在周期地配置空位(22)而形成的二维光子晶体上设置输入波导(23)和输出波导(24),并通过在两波导之间设置使空位(22)缺损的二个点状缺陷(25)、(26),从而防止由二维光子晶体平板合分波器中的波长的误差引起的效率的降低或与其他波长的串扰。
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公开(公告)号:CN1643416A
公开(公告)日:2005-07-20
申请号:CN03806872.9
申请日:2003-03-26
Applicant: 独立行政法人科学技术振兴机构
IPC: G02B6/12
CPC classification number: G02B6/1225 , B82Y20/00
Abstract: 一种光复用器/解复用器,其可以具有较小的尺寸和更高的Q因数或效率。通过以下结构达到该目的。在平板形主体11中,具有低于主体11的材料的折射率的低折射率区12周期地排列,以构造二维光子晶体,其中通过不线性地打孔12形成波导13。通过不在位于波导13邻近的两个或多个格点处打孔,形成施主型簇缺陷14。利用该结构,只有在传播通过波导13的光中包括的特定光波长才在施主型簇缺陷14处共振,且这样俘获的光被释放到外部(解复用)。相反,只有特定的光波长可以通过施主型簇缺陷14被引入波导13中(复用)。
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公开(公告)号:CN100523887C
公开(公告)日:2009-08-05
申请号:CN200480032113.4
申请日:2004-08-26
Applicant: 独立行政法人科学技术振兴机构 , 松下电工株式会社
IPC: G02B6/12
CPC classification number: G02B6/12007 , B82Y20/00 , G02B6/1225 , G02B2006/12164 , H01P1/2005
Abstract: 在该电磁波频率滤波器中,匹配谐振器41的谐振频率的预定频率的电磁波被通过谐振器41,从输入波导2传输到输出波导3上,并从输出端P3输出。该滤波器具有输入波导侧反射器211和输出波导侧反射器311,其反射预定频率的电磁波。该电磁波频率滤波器满足下述关系:Qinb/(1-cosθ1)<<QV;Qinb/(1-cosθ2)=Qinr/(1-cosθ2);θ1、θ2≠2Nπ(N=0,1,...)。其中θ1是被所述输入波导侧反射器211反射而回到所述谐振器附近的电磁波的相移量,θ2是被所述输出波导侧反射器311反射而回到所述谐振器附近的电磁波的相移量,Qinb是在所述谐振器41和所述输入波导2之间的Q因子,Qinr是在所述谐振器41和所述输出波导31之间的Q因子,而QV是在所述谐振器41和自由空间之间的Q因子。
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公开(公告)号:CN100378480C
公开(公告)日:2008-04-02
申请号:CN200380107710.4
申请日:2003-12-24
Applicant: 独立行政法人科学技术振兴机构 , 松下电工株式会社
IPC: G02B6/293
CPC classification number: B82Y20/00 , G02B6/12007 , G02B6/1225
Abstract: 在输入波导路径(13)和输出波导路径(14)之间,接近两波导路径,设置了在规定频率的电磁波下共振的共振器(15)的电磁波频率滤波器中,在共振器(15)附近的规定范围(18)中,使输出波导路径(14)与输入波导路径(13)平行,同时,形成输出波导路径,以使在规定范围以外的范围中,输入波导路径(13)与输出波导路径(14)之间的距离比在规定范围(18)内的距离长。该电磁波频率滤波器可使用2维光子结晶最佳地构成。
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公开(公告)号:CN1297829C
公开(公告)日:2007-01-31
申请号:CN03806872.9
申请日:2003-03-26
Applicant: 独立行政法人科学技术振兴机构
IPC: G02B6/12
CPC classification number: G02B6/1225 , B82Y20/00
Abstract: 一种光复用器/解复用器,其可以具有较小的尺寸和更高的Q因数或效率。通过以下结构达到该目的。在平板形主体11中,具有低于主体11的材料的折射率的低折射率区12周期地排列,以构造二维光子晶体,其中通过不线性地打孔12形成波导13。通过不在位于波导13邻近的两个或多个格点处打孔,形成施主型簇缺陷14。利用该结构,只有在传播通过波导13的光中包括的特定光波长才在施主型簇缺陷14处共振,且这样俘获的光被释放到外部(解复用)。相反,只有特定的光波长可以通过施主型簇缺陷14被引入波导13中(复用)。
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公开(公告)号:CN1643415A
公开(公告)日:2005-07-20
申请号:CN03806742.0
申请日:2003-03-26
Applicant: 独立行政法人科学技术振兴机构
CPC classification number: B82Y20/00 , G02B6/12007 , G02B6/122 , G02B6/1225 , H01S5/10 , H01S5/105
Abstract: 一种具有高发光效率的二维光子晶体光学共振器和光学反射器;结构如下。一种二维光子晶体包括:呈板状的主体(11),由多个具有与主体(11)不同折射率的周期性排布的区域(或孔)(12)形成所述主体。通过提供不钻孔(12)的线性区域形成波导(13)。通过沿波导的纵长方向加长两个孔(12)彼此间隔的距离L形成两个受主型点缺陷(14)。在这种结构中,适当选择距离L抑制在点缺陷(14)处光的反射和传输,同时允许在点缺陷(14)处共振的光有效地发出。适当选择距离L将增大在点缺陷(14)处光的反射率。这使主体(11)可被用作光学共振器,在两个点缺陷(14)之间产生光的共振,或者用作反射器,在两个点缺陷(14)处反射光。
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公开(公告)号:CN1732396A
公开(公告)日:2006-02-08
申请号:CN200380107710.4
申请日:2003-12-24
Applicant: 独立行政法人科学技术振兴机构 , 松下电工株式会社
IPC: G02B6/12
CPC classification number: B82Y20/00 , G02B6/12007 , G02B6/1225
Abstract: 在输入波导路径(13)和输出波导路径(14)之间,接近两波导路径,设置了在规定频率的电磁波下共振的共振器(15)的电磁波频率滤波器中,在共振器(15)附近的规定范围(18)中,使输出波导路径(14)与输入波导路径(13)平行,同时,形成输出波导路径,以使在规定范围以外的范围中,输入波导路径(13)与输出波导路径(14)之间的距离比在规定范围(18)内的距离长。该电磁波频率滤波器可使用2维光子结晶最佳地构成。
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公开(公告)号:CN1732395A
公开(公告)日:2006-02-08
申请号:CN200380105064.8
申请日:2003-12-05
Applicant: 独立行政法人科学技术振兴机构
IPC: G02B6/12
Abstract: 提供一种平面异质结构二维光子结晶光波分离/合成器,其中,在每个禁带区(301、302、…),以不同的周期,周期性地排列空孔(32),通过使空孔(32)线状缺损形成波导路径(33),在每个禁带区形成点状缺陷(341、342、…)。通过了该点状缺陷的光在禁带区边界(351、352)被反射,通过将其导入指定的点状缺陷,能使从点状缺陷中取出的光的分离效率提高。
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公开(公告)号:CN104040419A
公开(公告)日:2014-09-10
申请号:CN201380005075.2
申请日:2013-03-08
Applicant: 独立行政法人科学技术振兴机构
IPC: G02F1/365
CPC classification number: G02B6/1225 , G02B6/13 , G02B6/136 , G02F1/025 , G02F1/365 , G02F2202/10 , G02F2202/32 , G02F2203/15 , H01S3/0635 , H01S3/0637 , H01S3/09415 , H01S3/30
Abstract: 本发明提供一种拉曼散射光增强设备。在半导体基板中形成有空孔(20a)的光子结晶(20)中,相对于入射光具备以多个频率具有共振模式的波导,一个共振模式与另一个共振模式的频率差变成与所述半导体基板的拉曼位移频率相等,并且设定所述半导体基板的结晶方位面中的所述波导的形成方向,以使得通过所述两个共振模式的电磁场分布和所述半导体基板的拉曼张量来表达的拉曼跃迁概率成为最大。
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