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公开(公告)号：CN101034011A
公开(公告)日：2007-09-12
申请号：CN200710084313.X
申请日：2007-02-27
Applicant: 独立行政法人产业技术综合研究所 , 日本电气株式会社
CPC classification number: G01J5/20
Abstract: 依照本发明的红外传感器制造方法包括：在Si衬底上形成绝缘材料的桥结构的步骤，在桥结构上通过干膜形成方法形成氧化钒薄膜的步骤，在氧化钒薄膜上照射激光以由此改变其材料性能的步骤，把改变了材料性能的氧化钒薄膜形成为具有预定图形的测辐射热仪电阻器的步骤，和形成绝缘材料的保护层以便覆盖具有预定图形的测辐射热仪电阻器和桥结构的步骤。
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