用于安全数据存储的半导体存储器

    公开(公告)号:CN1226991A

    公开(公告)日:1999-08-25

    申请号:CN98800675.8

    申请日:1998-04-24

    CPC classification number: G11C16/22 G11C16/28

    Abstract: 一种存储器件,包括其数据状态由读出放大器(100)来读出的存储单元(102)。利用具有与读出放大器相同结构的平衡放大器(200)来读出与存储单元结构相同的平衡单元(202)。把平衡单元保持在清除(导通)状态。由读出放大器的输出来选通平衡单元。此器件以消耗相同功率的方式进行操作,而与存储单元的数据状态无关。在本发明的一个实施例中,由存储阵列构成的存储器件包括与存储器件中的每个读出放大器相连的平衡电路。在本发明的另一个实施例中,使用微调电路(208)来调节平衡电路的电导率。这使得可在制造期间对平衡电路进行微调以补偿工艺变化,继而使平衡电路与存储单元匹配。

    用于安全数据存储的半导体存储器

    公开(公告)号:CN1244110C

    公开(公告)日:2006-03-01

    申请号:CN98800675.8

    申请日:1998-04-24

    CPC classification number: G11C16/22 G11C16/28

    Abstract: 一种存储器件,包括其数据状态由读出放大器(100)来读出的存储单元(102)。利用具有与读出放大器相同结构的平衡放大器(200)来读出与存储单元结构相同的平衡单元(202)。把平衡单元保持在清除(导通)状态。由读出放大器的输出来选通平衡单元。此器件以消耗相同功率的方式进行操作,而与存储单元的数据状态无关。在本发明的一个实施例中,由存储阵列构成的存储器件包括与存储器件中的每个读出放大器相连的平衡电路。在本发明的另一个实施例中,使用微调电路(208)来调节平衡电路的电导率。这使得可在制造期间对平衡电路进行微调以补偿工艺变化,继而使平衡电路与存储单元匹配。

    零功率熔丝电路
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1196838A

    公开(公告)日:1998-10-21

    申请号:CN97190782.X

    申请日:1997-09-30

    CPC classification number: H03K3/356008 H03K3/356182

    Abstract: 一种零功率熔丝电路,包括:具有两个输入的锁存器装置(50),第一输入(A)锁存在接地上而第二输入(B)锁存在Vcc上。锁存器装置由第一输入与接地的暂时接触或者第二输入与Vcc的暂时接触触发。第一实施例包括两组熔丝元件/电容器对(F1,C1,F2,C2),每组与锁存器装置其中一个输入耦合。第二实施例包括分别与第一和第二输入(A,B)耦合的拉高晶体管(20)和熔丝元件/电容器对(F,C)。第三实施例包括分别与第一和第二输入(A,B)耦合的拉低晶体管(22)和熔丝元件/电容器对(F,C)。

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