公开(公告)号：CN101272135A

公开(公告)日：2008-09-24

申请号：CN200810085842.6

申请日：2008-03-21

Applicant: 爱普生拓优科梦株式会社

Inventor： 永野洋二 ,  安齐达也 ,  棚谷英雄

IPC: H03H9/10

CPC classification number: H01L2224/97 ,  H01L2924/16195

Abstract: 提供晶体器件及其密封方法，以充分的接合强度气密地密封压电器件的封装。对整体形成有晶体振动片(5)的中间晶体板(2)的外框(6)的上下面的导电金属薄膜(9、10)涂覆将由Au构成的平均粒径0.1～1.0μm的金属粉末、有机溶剂和纤维素类树脂材料以88～93重量％、5～15重量％、0.01～4.0重量％的比例调合的金属糊剂密封材料，以较低温度加热进行一次烧结处理。形成杨氏模量为9～16GPa及密度为10～17g/cm3的多孔结构的一次烧结体(24)后，在中间晶体板的上下叠层上侧及下侧基板(3、4)，使这些基板的金属薄膜(14、15、17)和外框上下面的一次烧结体接触并加热加压来进行二次烧结处理。使一次烧结体的金属粒子致密地重新结晶化来形成接合膜(25～27)，由此气密地接合密封封装。

公开(公告)号：CN101272135B

公开(公告)日：2011-07-13

申请号：CN200810085842.6

申请日：2008-03-21

Applicant: 爱普生拓优科梦株式会社

Inventor： 永野洋二 ,  安齐达也 ,  棚谷英雄

IPC: H03H9/10

CPC classification number: H01L2224/97 ,  H01L2924/16195

Abstract: 提供晶体器件及其密封方法，以充分的接合强度气密地密封压电器件的封装。对整体形成有晶体振动片(5)的中间晶体板(2)的外框(6)的上下面的导电金属薄膜(9、10)涂覆将由Au构成的平均粒径0.1～1.0μm的金属粉末、有机溶剂和纤维素类树脂材料以88～93重量％、5～15重量％、0.01～4.0重量％的比例调合的金属糊剂密封材料，以较低温度加热进行一次烧结处理。形成杨氏模量为9～16GPa及密度为10～17g/cm3的多孔结构的一次烧结体(24)后，在中间晶体板的上下叠层上侧及下侧基板(3、4)，使这些基板的金属薄膜(14、15、17)和外框上下面的一次烧结体接触并加热加压来进行二次烧结处理。使一次烧结体的金属粒子致密地重新结晶化来形成接合膜(25～27)，由此气密地接合密封封装。