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公开(公告)号：CN117540068A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202310505183.1
申请日：2023-05-08
申请人： 爱思开海力士有限公司
IPC分类号： G06F16/906 , G06F16/903
摘要： 本公开涉及一种用于对数据进行分类的系统，该系统可以包括存储器和处理器，该处理器被配置为基于存储器中存储的数据组和从外部接收到的查询的第一相似度与具有第一相似度的最大值的数据组中包括的数据片和该查询的第二相似度的最小值之间的比较结果，确定包括从存储器中存储的数据组之中选择的数据组的扫描目标，并且输出根据扫描数据片的参考数量从扫描目标中包括的数据组中的扫描数据片之中选择的扫描数据作为响应于查询的结果数据。
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公开(公告)号：CN102881823A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN201210195688.4
申请日：2012-06-14
申请人： 爱思开海力士有限公司
CPC分类号： H01L45/06 , H01L27/2463 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1675
摘要： 本发明公开了一种相变随机存取存储器件即PCRAM器件及其制造方法。所述PCRAM器件包括底电极接触，所述底电极接触形成在包括下结构的半导体衬底上；相变材料图案，所述相变材料图案分别与所述底电极接触接触；以及热绝缘单元，所述热绝缘单元形成在所述相变材料图案之间。
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公开(公告)号：CN115237338A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202210007147.8
申请日：2022-01-05
申请人： 爱思开海力士有限公司
IPC分类号： G06F3/06
摘要： 本公开涉及主机和包括主机的计算系统。该计算系统能够减少嵌入操作期间的数据移动量并能够有效地处理嵌入操作，并且包括主机和存储器系统。主机将多个特征表划分为第一特征表组和第二特征表组，生成配置有第一特征表组的第一嵌入表，并且向存储器系统发送对配置有第二特征表组的第二嵌入表的生成操作的请求，其中每个特征表包括针对各自的多个元素的相应多个嵌入向量。存储系统根据由主机提供的生成操作请求生成第二嵌入表。主机基于多个特征表中的每个特征表中包括的元素的数量，将多个特征表划分为第一特征表组和第二特征表组。
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公开(公告)号：CN114661225A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202110898391.3
申请日：2021-08-05
申请人： 爱思开海力士有限公司
发明人： 沈俊燮
摘要： 本公开涉及缓解嵌入式操作期间的带宽瓶颈的方法、系统和装置。基于所公开的技术，示例性存储装置包括：存储器装置，被配置为存储矩阵数据；存储器控制器，联接到存储器装置，被配置为从主机接收非零数据和非零数据的索引，并且基于非零数据和索引来生成矢量数据；以及运算组件，联接到存储器装置和存储器控制器，被配置为执行矩阵数据与矢量数据之间的乘法运算。
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公开(公告)号：CN107017245B
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN201610921693.7
申请日：2016-10-21
申请人： 爱思开海力士有限公司
IPC分类号： H01L27/02 , H01L27/105 , G11C5/02
摘要： 提供包括半导体存储器的电子设备。半导体存储器包括：区块区域，其每个存储单元包括第二晶体管和存储元件；第一开关区域，在区块区域一侧且包括第一晶体管；第二开关区域，在区块区域另一侧且包括第三晶体管。第二晶体管包括：第二有源区，沿第三方向延伸，第二有源区沿第二方向和第三方向布置成行；第二栅结构，沿第一方向延伸与第二有源区交叉，第二有源区通过一对第二栅结构分成第一侧部分、中间部分和第二侧部分，第一侧部分、第二侧部分和中间部分交替重复布置在第一方向上，第一晶体管包括与第二有源区和第二栅结构相同方式布置的第一有源区和第一栅结构，第三晶体管包括与第二有源区和第二栅结构相同方式布置的第三有源区和第三栅结构。
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公开(公告)号：CN118227038A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202311056700.8
申请日：2023-08-22
申请人： 爱思开海力士有限公司
IPC分类号： G06F3/06
摘要： 本公开涉及一种用于在执行作业时有效地处理数据的存储器系统，该存储器系统可以包括：多个存储器装置，被配置为存储数据；主数据处理器，被配置为访问多个存储器装置；子数据处理器组，包括多个子数据处理器，每个子数据处理器被配置为分别访问多个存储器装置；主机接口，被配置为从主机接收针对作业的请求；以及作业控制器，被配置为根据针对作业的对多个存储器装置的访问是否彼此相关，通过使用主数据处理器和子数据处理器组中的一个来执行作业。
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公开(公告)号：CN104241522B
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201310548105.6
申请日：2013-11-07
申请人： 爱思开海力士有限公司
发明人： 沈俊燮
IPC分类号： H01L45/00
CPC分类号： H01L29/66666 , H01L21/26513 , H01L21/30604 , H01L27/228 , H01L27/2436 , H01L27/2454 , H01L29/0847 , H01L29/4236 , H01L29/66628
摘要： 提供了一种半导体集成电路装置及其制造方法。所述半导体集成电路装置包括：半导体衬底，具有有源岛；栅极，掩埋在有源岛的预定部分中；源极和漏极，形成在栅极的两侧；以及电流阻挡层，在有源岛中与所述漏极的下部相对应而形成。当电流从漏极流入时，电流阻挡层被配置成将电流经由源极的下部放电至半导体衬底的内部。
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公开(公告)号：CN118363909A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202311366140.6
申请日：2023-10-20
申请人： 爱思开海力士有限公司
发明人： 沈俊燮
IPC分类号： G06F13/42
摘要： 本公开涉及一种接口装置，其可以在第一装置和第二装置之间通信。该接口装置可以包括：第一元件，被配置为基于第一协议从第一装置接收第一数据包并将第一数据包发送到第二装置，其中第一数据包包括命令和表示该命令的存储位置的命令地址；以及第二元件，被配置为基于不同于第一协议的第二协议从第一装置接收第二数据包并将第二数据包发送到第二装置，其中第二数据包包括命令地址。
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公开(公告)号：CN117406913A
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202310731343.4
申请日：2023-06-20
申请人： 爱思开海力士有限公司
发明人： 沈俊燮
摘要： 本公开涉及一种计算系统。该计算系统可以包括：存储器系统，包括被配置为存储原始数据的多个存储器装置和被配置为以第一带宽从多个存储器装置接收原始数据并且通过对原始数据执行第一操作来生成中间数据的近数据处理器(NDP)；以及主机装置，以第二带宽联接到存储器系统并且基于带宽比和数据大小比确定用于对中间数据执行第二操作的资源。
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公开(公告)号：CN107017245A
公开(公告)日：2017-08-04
申请号：CN201610921693.7
申请日：2016-10-21
申请人： 爱思开海力士有限公司
IPC分类号： H01L27/02 , H01L27/105 , G11C5/02
摘要： 提供包括半导体存储器的电子设备。半导体存储器包括：区块区域，其每个存储单元包括第二晶体管和存储元件；第一开关区域，在区块区域一侧且包括第一晶体管；第二开关区域，在区块区域另一侧且包括第三晶体管。第二晶体管包括：第二有源区，沿第三方向延伸，第二有源区沿第二方向和第三方向布置成行；第二栅结构，沿第一方向延伸与第二有源区交叉，第二有源区通过一对第二栅结构分成第一侧部分、中间部分和第二侧部分，第一侧部分、第二侧部分和中间部分交替重复布置在第一方向上，第一晶体管包括与第二有源区和第二栅结构相同方式布置的第一有源区和第一栅结构，第三晶体管包括与第二有源区和第二栅结构相同方式布置的第三有源区和第三栅结构。
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