场板结构氧化镓功率MOSFET大信号等效电路模型

    公开(公告)号:CN117709265B

    公开(公告)日:2024-07-23

    申请号:CN202311710562.0

    申请日:2023-12-13

    Applicant: 燕山大学

    Abstract: 本发明公开了场板结构氧化镓功率MOSFET大信号等效电路模型,包括:GS等效电路单元、GD等效电路单元、DS等效电路单元,以及沟道区热电阻单元、场板结构单元、寄生源区等效电阻Rs、寄生漏极等效电阻Rd、寄生栅极等效电阻Rg;GD等效电路单元和沟道区热电阻单元串联再与GS等效电路单元并联;GS等效电路单元、GD等效电路单元和沟道区热电阻单元与DS等效电路单元并联;场板结构单元与其他各结构并联。本发明能精确反映场板结构氧化镓功率MOSFET器件的物理本质,准确的模拟器件物理特性,具有设计直观、参数提取过程简单的优点,同时将所建立的等效电路模型嵌入仿真软件中。

    一种垂直结构功率MOSFET大信号等效电路模型

    公开(公告)号:CN117709266B

    公开(公告)日:2024-10-15

    申请号:CN202311714983.0

    申请日:2023-12-13

    Applicant: 燕山大学

    Abstract: 本发明涉及半导体集成电路技术领域,特别是涉及一种垂直结构功率MOSFET大信号等效电路模型,包括:栅源等效电路单元、栅漏等效电路单元、漏源等效电路单元、沟道区热电阻单元、寄生源区等效电阻Rs、寄生漏极等效电阻Rd、寄生栅极等效电阻Rg,其中,栅漏等效电路单元与沟道区热电阻单元串联,与栅源等效电路单元并联,形成第一支路;漏源等效电路单元并联到第一支路上,形成第二支路;寄生源区等效电阻Rs、寄生漏极等效电阻Rd分别串联到第二支路的两端,寄生栅极等效电阻Rg连接到沟道区热电阻单元上。本发明能精确反映功率MOSFET器件的物理本质,准确的模拟器件物理特性,具有参数少、提取参数简单的优点。

    一种垂直结构功率MOSFET大信号等效电路模型

    公开(公告)号:CN117709266A

    公开(公告)日:2024-03-15

    申请号:CN202311714983.0

    申请日:2023-12-13

    Applicant: 燕山大学

    Abstract: 本发明涉及半导体集成电路技术领域,特别是涉及一种垂直结构功率MOSFET大信号等效电路模型,包括:栅源等效电路单元、栅漏等效电路单元、漏源等效电路单元、沟道区热电阻单元、寄生源区等效电阻Rs、寄生漏极等效电阻Rd、寄生栅极等效电阻Rg,其中,栅漏等效电路单元与沟道区热电阻单元串联,与栅源等效电路单元并联,形成第一支路;漏源等效电路单元并联到第一支路上,形成第二支路;寄生源区等效电阻Rs、寄生漏极等效电阻Rd分别串联到第二支路的两端,寄生栅极等效电阻Rg连接到沟道区热电阻单元上。本发明能精确反映功率MOSFET器件的物理本质,准确的模拟器件物理特性,具有参数少、提取参数简单的优点。

    一种功率MOSFET及其制备方法
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119486192A

    公开(公告)日:2025-02-18

    申请号:CN202411661217.7

    申请日:2024-11-20

    Applicant: 燕山大学

    Abstract: 本发明公开了一种功率MOSFET及其制备方法,属于微电子技术领域。功率MOSFET,包括自下而上设置的衬底层、AlN缓冲层、Ga2O3缓冲层和Ga2O3外延层;其中,Ga2O3外延层的顶面设置有沟槽,沟槽中设置有氧化隔离层;漏电极设置在Ga2O3外延层的一侧与氧化隔离层相邻;源电极设置在Ga2O3外延层的另一侧中间区域;源电极两侧设置有第二沟槽;第二沟槽上自下而上设置有NiO层和绝缘栅介质层;绝缘栅介质层上设置有非平面栅结构的栅电极;第二沟槽和栅电极周围的间隙部分填充有第一氧化隔离层。本发明通过结构的设计以及材料的选择,解决了现有同类器件散热和栅电极漏电严重的问题,提高了器件的耐压性能。

    场板结构氧化镓功率MOSFET大信号等效电路模型

    公开(公告)号:CN117709265A

    公开(公告)日:2024-03-15

    申请号:CN202311710562.0

    申请日:2023-12-13

    Applicant: 燕山大学

    Abstract: 本发明公开了场板结构氧化镓功率MOSFET大信号等效电路模型,包括:GS等效电路单元、GD等效电路单元、DS等效电路单元,以及沟道区热电阻单元、场板结构单元、寄生源区等效电阻Rs、寄生漏极等效电阻Rd、寄生栅极等效电阻Rg;GD等效电路单元和沟道区热电阻单元串联再与GS等效电路单元并联;GS等效电路单元、GD等效电路单元和沟道区热电阻单元与DS等效电路单元并联;场板结构单元与其他各结构并联。本发明能精确反映场板结构氧化镓功率MOSFET器件的物理本质,准确的模拟器件物理特性,具有设计直观、参数提取过程简单的优点,同时将所建立的等效电路模型嵌入仿真软件中。

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