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公开(公告)号：CN110611009B
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN201910841853.0
申请日：2019-09-06
申请人： 湘潭大学
IPC分类号： H01L31/10 , H01L31/028 , H01L31/0352 , H01L31/0224 , H01L31/02 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种嵌套式三维沟槽电极硅探测器，包括厚度为1μm的二氧化硅保护层，二氧化硅保护层上设有外围电极，外围电极是从上到下内部中空的长方体结构；外围电极内嵌有嵌套部分和中心电极，嵌套部分由位于二氧化硅层上表面的p型硅基体和位于p型硅基体上的n型重掺杂磷硅层与p型轻掺杂硼硅层组成；中心电极底部贯穿嵌套部分与二氧化硅保护层相接；外围电极与中心电极间设有隔离硅体；外围电极、中心电极和隔离硅体的顶部位于同一平面内，且三者顶部设有电极接触层，电极接触层由与外围电极及中心电极相接的铝皮和与隔离硅体相接的二氧化硅组成；电极接触层与外围电极、中心电极相接的铝皮上分别设有电极接触端口。探测器实用性大大增强。
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公开(公告)号：CN110010591A
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201910255454.6
申请日：2019-04-01
申请人： 湘潭大学
IPC分类号： H01L25/04 , H01L31/0224 , H01L31/08 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种三维双面硅微条探测器及其制备方法，包括上部探测单元、下部探测单元和中间半导体基体，上部探测单元的上沟槽电极内均匀嵌有多个相互平行的上半导体基体，上半导体基体内嵌有上中央电极；下部探测单元的下沟槽电极内均匀嵌有多个相互平行的下硅基体，下硅基体内嵌有下中央电极；上半导体基体、上沟槽电极、上中央电极、下硅基体、下沟槽电极和下中央电极高度均相等；下部探测单元位于上部探测单元正下方，且两者在水平方向错开一定角度。通过吸杂氧化工艺在硅晶圆表面生成二氧化硅层，然后经标记与光刻将探测器图形转移到二氧化硅层上，再进行阴极电极和阳极电极的刻蚀和化学沉积扩散，最后进行损伤修复及封装。
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公开(公告)号：CN109994455A
公开(公告)日：2019-07-09
申请号：CN201910255521.4
申请日：2019-04-01
申请人： 湘潭大学
IPC分类号： H01L25/04 , H01L31/0224 , H01L31/101 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种一维排列双面错嵌式三维探测器及其制备方法、阵列，包括第一沟槽电极和第二沟槽电极，第一沟槽电极刻蚀和第二沟槽电极分别刻蚀在第三半导体基体表面；第一沟槽电极内嵌有第一中央电极，第一中央电极和第一沟槽电极间填充有第一半导体基体；第二沟槽电极内嵌有第二中央电极，第二沟槽电极和第二中央电极间填充有第二半导体基体；第一沟槽电极和第二沟槽电极的外宽均为2RX，第二沟槽电极位于第一沟槽电极下方，且两者垂直相距d3、水平相距Rx。通过吸杂氧化工艺在芯片表面生成二氧化硅层，然后经标记与光刻将探测器图形转移到二氧化硅层上，再进行阴极电极和阳极电极的刻蚀和化学沉积扩散，最后进行损伤修复及封装。
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公开(公告)号：CN109994453B
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN201910255279.0
申请日：2019-04-01
申请人： 湘潭大学
IPC分类号： H01L25/04 , H01L31/0224 , H01L31/101
摘要： 本发明公开了一种倒嵌梯形盒状三维探测器，该探测器由探测单元排列形成，探测单元的外形呈六面体，上下表面均为矩形，四个侧面两对面形状相同，为两个矩形和两个等腰梯形；探测单元是在探测器基体上依次镀有氧化层b和金属层b，在金属层b上离子注入n型重掺杂硅，n型重掺杂硅沿四周向外延伸生长，形成探测单元的侧面，n型重掺杂硅围成的壳体即为壳型电极，在壳型电极中离子注入形成灵敏区，在灵敏区的顶部的中间离子注入形成中央收集电极，中央收集电极上附有金属层a，灵敏区上附有氧化层a；本发明制备的探测器，内部无死区存在、电荷收集效率高，耗尽电压低、电容小，产生的信号噪音小，位置分辨率和能量分辨率高。
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公开(公告)号：CN109994455B
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN201910255521.4
申请日：2019-04-01
申请人： 湘潭大学
IPC分类号： H01L25/04 , H01L31/0224 , H01L31/101 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种一维排列双面错嵌式三维探测器及其制备方法、阵列，包括第一沟槽电极和第二沟槽电极，第一沟槽电极刻蚀和第二沟槽电极分别刻蚀在第三半导体基体表面；第一沟槽电极内嵌有第一中央电极，第一中央电极和第一沟槽电极间填充有第一半导体基体；第二沟槽电极内嵌有第二中央电极，第二沟槽电极和第二中央电极间填充有第二半导体基体；第一沟槽电极和第二沟槽电极的外宽均为2RX，第二沟槽电极位于第一沟槽电极下方，且两者垂直相距d3、水平相距Rx。通过吸杂氧化工艺在芯片表面生成二氧化硅层，然后经标记与光刻将探测器图形转移到二氧化硅层上，再进行阴极电极和阳极电极的刻蚀和化学沉积扩散，最后进行损伤修复及封装。
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公开(公告)号：CN109935643B
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN201910255409.0
申请日：2019-04-01
申请人： 湘潭大学
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/101 , H01L27/144 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种二维排列双面错嵌式三维探测器及其制备方法、阵列，包括上沟槽电极和下沟槽电极，上沟槽电极和下沟槽电极分别刻蚀在中间半导体基体表面；上沟槽电极内嵌有上中央电极，上中央电极和上沟槽电极间填充有上半导体基体；下沟槽电极内嵌有下中央电极，下沟槽电极和下中央电极间填充有下半导体基体；上沟槽电极和下沟槽电极的外宽均为2RX，下沟槽电极位于上沟槽电极下方，两者垂直相距d3，且两者水平方向四分之一部位重叠，上中央电极和下中央电极规格相同。通过吸杂氧化在芯片表面生成二氧化硅层，然后经标记与光刻将探测器图形转移到二氧化硅层上，再进行阴极电极和阳极电极的刻蚀和化学沉积扩散，最后进行损伤修复及封装。
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公开(公告)号：CN108103449B
公开(公告)日：2020-10-02
申请号：CN201810008862.7
申请日：2018-01-04
申请人： 湘潭大学
摘要： 一种叶片夹持器，其特征在于，包括：第一腔室，第一腔室内设置有第一加热组件、盛装器皿、至少一个夹持组件、第一驱动系统、控制模块；盛装器皿内装有靶材料，盛装器皿设置在第一腔室底部；第一加热组件用于蒸发靶材料；夹持组件用于夹持叶片，并具有第一旋转轴；控制模块用于控制第一驱动系统的转速；第一驱动系统驱动夹持组件绕第一旋转轴按照预设转速周期转动；预设转速为不恒定转速且由控制模块控制。
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公开(公告)号：CN110611009A
公开(公告)日：2019-12-24
申请号：CN201910841853.0
申请日：2019-09-06
申请人： 湘潭大学
IPC分类号： H01L31/10 , H01L31/028 , H01L31/0352 , H01L31/0224 , H01L31/02 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种嵌套式三维沟槽电极硅探测器，包括厚度为1μm的二氧化硅保护层，二氧化硅保护层上设有外围电极，外围电极是从上到下内部中空的长方体结构；外围电极内嵌有嵌套部分和中心电极，嵌套部分由位于二氧化硅层上表面的p型硅基体和位于p型硅基体上的n型重掺杂磷硅层与p型轻掺杂硼硅层组成；中心电极底部贯穿嵌套部分与二氧化硅保护层相接；外围电极与中心电极间设有隔离硅体；外围电极、中心电极和隔离硅体的顶部位于同一平面内，且三者顶部设有电极接触层，电极接触层由与外围电极及中心电极相接的铝皮和与隔离硅体相接的二氧化硅组成；电极接触层与外围电极、中心电极相接的铝皮上分别设有电极接触端口。探测器实用性大大增强。
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公开(公告)号：CN109935643A
公开(公告)日：2019-06-25
申请号：CN201910255409.0
申请日：2019-04-01
申请人： 湘潭大学
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/101 , H01L27/144 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种二维排列双面错嵌式三维探测器及其制备方法、阵列，包括上沟槽电极和下沟槽电极，上沟槽电极和下沟槽电极分别刻蚀在中间半导体基体表面；上沟槽电极内嵌有上中央电极，上中央电极和上沟槽电极间填充有上半导体基体；下沟槽电极内嵌有下中央电极，下沟槽电极和下中央电极间填充有下半导体基体；上沟槽电极和下沟槽电极的外宽均为2RX，下沟槽电极位于上沟槽电极下方，两者垂直相距d3，且两者水平方向四分之一部位重叠，上中央电极和下中央电极规格相同。通过吸杂氧化在芯片表面生成二氧化硅层，然后经标记与光刻将探测器图形转移到二氧化硅层上，再进行阴极电极和阳极电极的刻蚀和化学沉积扩散，最后进行损伤修复及封装。
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公开(公告)号：CN107342335B
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201710676008.3
申请日：2017-08-09
申请人： 湘潭大学
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L27/144
摘要： 本发明公开了一种长蜂窝壳型电极三维探测器，在硅基体上部由上往下单面不贯穿刻蚀得到长蜂窝型沟槽电极，在硅基体下部由下往上单面不贯穿刻蚀得到七边形沟槽电极，长蜂窝型沟槽电极与七边形沟槽电极在Z轴有重合，长蜂窝型沟槽电极与七边形沟槽电极在X轴、Y轴所在平面内不重叠的部分与七边形沟槽电极的外表面围合形成第一死区；沟槽电极的中心包围有贯穿刻蚀的中心电极，中心电极上表面设有阳极金属接触层，沟槽电极上表面设有阴极金属接触层；多个长蜂窝壳型电极三维探测器单元以镜像方式排列或按照上下相互正交的方式排列成阵列。解决了现有技术中探测器电荷收集性能差，位置分辨率低，制作工艺难度大，信号读出路线多，成本高的问题。
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