发明公开
- 专利标题: 三维双面硅微条探测器及其制备方法
- 专利标题(英): Three-dimensional double-sided silicon micro-strip detector and preparation method thereof
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申请号: CN201910255454.6申请日: 2019-04-01
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公开(公告)号: CN110010591A公开(公告)日: 2019-07-12
- 发明人: 李正 , 张亚
- 申请人: 湘潭大学
- 申请人地址: 湖南省湘潭市雨湖区湘潭大学
- 专利权人: 湘潭大学
- 当前专利权人: 湘潭大学
- 当前专利权人地址: 湖南省湘潭市雨湖区湘潭大学
- 代理机构: 长沙新裕知识产权代理有限公司
- 代理商 周跃仁
- 主分类号: H01L25/04
- IPC分类号: H01L25/04 ; H01L31/0224 ; H01L31/08 ; H01L31/18
摘要:
本发明公开了一种三维双面硅微条探测器及其制备方法,包括上部探测单元、下部探测单元和中间半导体基体,上部探测单元的上沟槽电极内均匀嵌有多个相互平行的上半导体基体,上半导体基体内嵌有上中央电极;下部探测单元的下沟槽电极内均匀嵌有多个相互平行的下硅基体,下硅基体内嵌有下中央电极;上半导体基体、上沟槽电极、上中央电极、下硅基体、下沟槽电极和下中央电极高度均相等;下部探测单元位于上部探测单元正下方,且两者在水平方向错开一定角度。通过吸杂氧化工艺在硅晶圆表面生成二氧化硅层,然后经标记与光刻将探测器图形转移到二氧化硅层上,再进行阴极电极和阳极电极的刻蚀和化学沉积扩散,最后进行损伤修复及封装。
公开/授权文献
- CN110010591B 三维双面硅微条探测器及其制备方法 公开/授权日:2024-05-07
IPC分类: