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公开(公告)号：CN116502687A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202310521064.5
申请日：2023-05-10
Applicant: 湘潭大学
IPC: G06N3/063
Abstract: 本发明公开了一种基于LIF神经元的WTA电路。包括：膜电位积累电路、波形整形电路，泄露电路、脉冲产生电路、不应期电路、双重开关电路、逻辑门电路。本发明的忆阻LIF神经元通过忆阻器的阻值变化和MOS管的开关特性实现激发尖峰脉冲宽度、峰值电位大小和不应期时长可调控。本发明通过双重开关电路、逻辑门电路控制忆阻LIF神经元，实现WTA机制，能有效的提高时间编码信息的高速性和准确性，提高神经系统的噪声鲁棒性和稳定性，在面对庞大数量神经元激发的竞争中效果更好。并且本发明的忆阻LIF神经元电路及其WTA电路所用器件很少，有利于提高类脑芯片的集成密度。
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公开(公告)号：CN115995492A
公开(公告)日：2023-04-21
申请号：CN202211541779.9
申请日：2022-12-02
Applicant: 湘潭大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/51 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及一种单向电场用低功耗负电容场效应晶体管及其制备方法，属于微电子器件领域。本发明提供的负电容场效应晶体管，通过将具有多级负电容效应的铁电薄膜材料作为栅介质层，不仅克服了传统负电容场效应晶体管只有在交变工作电压下才能工作的问题，还降低了极化翻转的势垒，进一步降低了晶体管的功耗。相比于同类器件而言，本发明具有低功耗、回滞小和工艺兼容度高的突出优势，在微电子器件、军事军工和航天航空等领域具有重要的学术与应用价值。
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公开(公告)号：CN115084470A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210766155.0
申请日：2022-07-01
Applicant: 湘潭大学
Abstract: 本发明公开了一种C3N/MoS2范德华尔斯异质结复合材料，所述范德华尔斯异质结复合材料为多层的MoS2和多层的C3N交替插层复合而得，所述范德华尔斯异质结复合材料中，C3N中的一半N原子处于Mo原子和S原子共同组成的六边形中心位置，另外一半N原子处于Mo原子和S原子成键中间位置。本发明所提供的上述结构的范德华尔斯异质结复合材料，杨氏模量大，面内刚度大，可获得较优异的循环稳定性；复合材料为金属能带结构，导电性好；锂离子扩散势垒低，最大比容量可达673mA h g‑1。
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公开(公告)号：CN106579564B
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201611204686.1
申请日：2016-12-23
Applicant: 湘潭大学
Abstract: 本发明公开了一种多孔发热膜及其制备方法，所述多孔发热膜依次包括：类基底层、发热层和稳定催化层；所述类基底层采用TiN、ZrN、TiC中的至少一种制备而成；所述发热层为金属材料；所述稳定催化层为贵金属材料。与丝状发热体相比，本发明所述多孔发热膜与烟液接触面积更大，发热效率高，更加节能；添加了贵金属材料的稳定催化层之后，相对于一般的薄膜材料，具有两点作用：第一、提高了薄膜的稳定性，进而提高了样品的寿命；第二、提高了样品的雾化量，实现“小功率、大烟雾”的全新模式。本发明多孔发热膜所用材料为对人体友好型材料，更加健康。本发明制备工艺简单，易量产。
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公开(公告)号：CN104009156A
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：CN201410249458.0
申请日：2014-06-06
Applicant: 湘潭大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明涉及一种多晶铁电薄膜基铁电阻变存储器，在下电极层、多晶铁电薄膜层之间和/或多晶铁电薄膜层、上电极层之间含缺陷调控层；所述缺陷调控层材料的相对介电常数不低于5，且不高于铁电材料相对介电常数，厚度为1～20nm，且缺陷调控层与多晶铁电薄膜层厚度比为0.001～0.2；所述缺陷调控层材料的能带带隙大于3eV，与多晶铁电薄膜的晶格失配小于0.1。通过在下电极层、多晶铁电薄膜层之间和/或多晶铁电薄膜层、上电极层之间植入缺陷调控层，降低了存储单元中的缺陷及其控制难度，进而降低了缺陷对阻变行为的不利影响，从而显著提高了存储器的数据保持力、抗疲劳特性、高低电阻比及减小了数据波动性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103996718A
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN201410246523.4
申请日：2014-06-05
Applicant: 湘潭大学
IPC: H01L29/786 , H01L21/34 , H01L21/285
CPC classification number: H01L29/786 , H01L21/285 , H01L29/401 , H01L29/66969
Abstract: 本发明公开了一种硅基铁电栅薄膜晶体管及其制备方法，该晶体管底层为斜切单晶硅衬底(1)，中间层从下到上依次为钙钛矿导电氧化物底栅电极(2)、铁电绝缘层(3)和氧化物半导体有源层(4)，顶层为晶体管源极(5)和漏极(6)；其中，所述斜切单晶硅衬底(1)为具有原子尺寸台阶的本征硅。所述铁电栅薄膜晶体管是一种非挥发性存储器件，它除了具有铁电随机存储器的强抗辐射、高读写速度、低功耗等优点之外，还具有开启电压低、开关比大、器件结构和制备工艺更加简单、成本低、易与现有硅工艺兼容，可实现全外延结构的特点。
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公开(公告)号：CN119470352A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411600883.X
申请日：2024-11-11
Applicant: 湘潭大学
Abstract: 本发明公开了一种原位交流电压SHG系统及其表征本征铁电翻转的方法，属于固态电介质应用技术领域。本发明利用斩波器产生周期光作为载波信号，由任意信号发生器产生交流电压信号，将其作用在样品上时产生的SHG信号作为调制信号，实现了光学信号的振幅调制，并由PMT光电探测器将调制的光信号转变为电信号。PMT光电探测器的光电信号与载波信号同时输入数字锁相放大器中并进行解调输出。交流电压的施加与PMT光电信号的解调输出同时进行，通过AWG生成的触发信号实现。与静电压SHG系统表征本征铁电翻转相比，本发明的方法在可以测试较大漏电流样品极化翻转的基础上，减少了测试时间，减小或消除了外界条件对测试结果的影响。
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公开(公告)号：CN115078874B
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202210664557.X
申请日：2022-06-13
Applicant: 湘潭大学
Abstract: 本发明公开了一种高精度且智能化的负电容效应表征系统，包括信号激励模块、样品接驳模块、采集监测分析模块、可编程数字电位器模块、中控模块和电源模块；信号激励模块用于输出脉冲电信号；样品接驳模块的第一探针将脉冲电信号输入至目标样品；样品接驳模块的第二探针将目标样品的反馈信号发送至可编程数字电位器模块；可编程数字电位器模块将反馈信号发送至采集监测分析模块的3号端口；采集监测分析模块对目标样品的反馈信号进行分析，并生成对应的电压时间响应曲线；中控模块自动识别电压时间响应曲线，获得目标样品的负电容效应表征数据；通过该系统实现了负电容效应表征的高精度和智能化，大大提高了负电容效应的表征效率。
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公开(公告)号：CN116523010A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310521068.3
申请日：2023-05-10
Applicant: 湘潭大学
IPC: G06N3/063
Abstract: 本发明公开了一种LIF神经元电路，能够基于延迟实现连接多突触。本发明包括膜电位积累电路、波形整形电路，泄漏电路、脉冲产生电路、不应期电路、延迟电路。本发明的忆阻LIF神经元优势在于电路结构简单，并能对神经元激发尖峰脉冲宽度、峰值强弱、不应期时长调控和可延迟连接多神经突触。这不仅更能贴合生物神经元的功能结构，在实际运用中也能为多个神经突触传递更丰富的时空信息，增强神经网络的适应能力。并且本发明多突触延迟的忆阻LIF神经元电路所用器件较少，有利于提高类脑芯片的集成密度。
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