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公开(公告)号：CN113594364B
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202110903474.7
申请日：2021-08-06
Applicant: 佛山湘潭大学绿色智造研究院 , 湘潭大学
Abstract: 本发明公开一种多涡旋铁电畴的多逻辑态存储单元及电力调控方法，由下往上包括依次设置的衬底、过渡层、下电极、铁电层、介电和铁电周期性多层复合薄膜层和上电极。根据铁电层、介电和铁电周期性多层复合薄膜层中剩余的极化方向，以及施加垂直于衬底的力的大小，确定多涡旋铁电畴的多逻辑态存储单元的状态。本发明的力电调控方法利用电力施加以后多涡旋铁电畴的多逻辑态存储单元的电导能力，确定存储单元中的逻辑态，有效地提高铁电存储器的存储密度，同时能够基于读取电流的大小来识别存储的逻辑态，读取逻辑态的过程不会对所存储的数据造成影响，实现了非破坏性的读取，铁电涡旋畴纳米级尺寸有助于铁电存储器实现小型化。
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公开(公告)号：CN115322424B
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202211013477.4
申请日：2022-08-23
Applicant: 湘潭大学 , 佛山湘潭大学绿色智造研究院
Inventor： 侯鹏飞
IPC: C08J7/04 , C08L27/16 , C08L81/00 , H10N30/045 , H10N30/857
Abstract: 本发明公开了一种有机电极化复合薄膜及其制作方法，属于有机电极化材料领域，步骤包括，在电场中烘干溶解有基质材料的溶液并退火结晶形成基质层，在基质层的两面涂覆溶解有覆膜材料的溶液，并在电场中烘干溶液然后退火结晶，该方法利用电场调控基质层和两面覆膜形成较为有序的排列，调整电场强度可实现对基质层和两面覆膜的极化程度控制，调整电场方向可对分子排列的取向进行调控，减少了复合薄膜制备过程中需要将单层或者复合薄膜从干燥箱取出后极化的过程，避免了极化过程引起的薄膜变形问题。
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公开(公告)号：CN115322424A
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202211013477.4
申请日：2022-08-23
Applicant: 湘潭大学 , 佛山湘潭大学绿色智造研究院
Inventor： 侯鹏飞
IPC: C08J7/04 , C08L27/16 , C08L81/00 , H01L41/193 , H01L41/257
Abstract: 本发明公开了一种有机电极化复合薄膜及其制作方法，属于有机电极化材料领域，步骤包括，在电场中烘干溶解有基质材料的溶液并退火结晶形成基质层，在基质层的两面涂覆溶解有覆膜材料的溶液，并在电场中烘干溶液然后退火结晶，该方法利用电场调控基质层和两面覆膜形成较为有序的排列，调整电场强度可实现对基质层和两面覆膜的极化程度控制，调整电场方向可对分子排列的取向进行调控，减少了复合薄膜制备过程中需要将单层或者复合薄膜从干燥箱取出后极化的过程，避免了极化过程引起的薄膜变形问题。
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公开(公告)号：CN113594364A
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202110903474.7
申请日：2021-08-06
Applicant: 佛山湘潭大学绿色智造研究院 , 湘潭大学
Abstract: 本发明公开一种多涡旋铁电畴的多逻辑态存储单元及电力调控方法，由下往上包括依次设置的衬底、过渡层、下电极、铁电层、介电和铁电周期性多层复合薄膜层和上电极。根据铁电层、介电和铁电周期性多层复合薄膜层中剩余的极化方向，以及施加垂直于衬底的力的大小，确定多涡旋铁电畴的多逻辑态存储单元的状态。本发明的力电调控方法利用电力施加以后多涡旋铁电畴的多逻辑态存储单元的电导能力，确定存储单元中的逻辑态，有效地提高铁电存储器的存储密度，同时能够基于读取电流的大小来识别存储的逻辑态，读取逻辑态的过程不会对所存储的数据造成影响，实现了非破坏性的读取，铁电涡旋畴纳米级尺寸有助于铁电存储器实现小型化。
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公开(公告)号：CN113823636B
公开(公告)日：2024-04-23
申请号：CN202110969574.X
申请日：2021-08-23
Applicant: 湘潭大学
Abstract: 本发明公开了一种铁电畴工程调制的二维同质结的存储单元及调控方法，属于信息存储技术领域，由下至上依次设置衬底、过渡层、下电极、第一绝缘层、铁电层、二维材料层、第二绝缘层、第三绝缘层和上电极；还包括：源极、漏极和纳米导线；所述源极和所述漏极分别位于所述二维材料层的两侧；所述纳米导线嵌于所述第二绝缘层中。同时公开了其具体调控方法。本发明提供的铁电畴工程调制的二维同质结的存储单元能够提高存储密度，降低存储单元的能耗，还能够实现小型化，并应用于柔性铁电存储器件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111521262B
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202010349091.5
申请日：2020-04-28
Applicant: 湘潭大学
IPC: G01J1/42
Abstract: 本发明涉及一种基于应变调控抗辐射性能的光探测单元及调控方法。所述光探测单元包括柔性衬底、反光层、绝缘层、层状二维铁电材料、第一电极和第二电极；在所述柔性衬底上依次制备所述反光层、所述绝缘层和所述层状二维铁电材料；在所述层状二维铁电材料上分别制备所述第一电极和所述第二电极；所述第一电极和所述第二电极之间施加电场的方向与所述层状二维铁电材料面内极化方向平行。本发明的目的是提供一种基于应变调控抗辐射性能的光探测单元及调控方法，可应用于航空航天以及强辐射环境中，并根据实际需要调控抗辐射性能。
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公开(公告)号：CN109037218A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201810606419.X
申请日：2018-06-13
Applicant: 湘潭大学
IPC: H01L27/11502 , G06F3/06
Abstract: 本发明属于信息存储技术领域，具体涉及一种光擦除和读取的铁电隧道结存储单元及其擦除和读取方法。包括依次堆叠的衬底、半导体下电极、铁电超薄膜和二维材料半导体上电极，半导体下电极位于衬底和铁电超薄膜之间，铁电超薄膜位于二维材料半导体上电极和半导体下电极之间，铁电超薄膜厚度为0.4nm‑10nm，半导体下电极的厚度为10nm‑80nm，二维材料半导体上电极的厚度为0.1nm‑20nm。本发明解决了现有技术中使用电场和力来进行存储态控制的铁电隧道结,导致电路模块设计复杂，不能达到工业化应用要求的问题。
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公开(公告)号：CN117317054A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311321258.7
申请日：2023-10-12
Applicant: 湘潭大学
IPC: H01L31/109 , H01L31/18 , H10N15/10
Abstract: 本申请涉及功能材料领域，公开了一种自供电异质结及其制备方法，本申请的自供电异质结，由下至上依次包括衬底、n型二维半导体材料层、二维铁电材料层和p型二维半导体材料层；二维铁电材料层与n型二维半导体材料层的界面处的内建电场方向、二维铁电材料层与p型二维半导体材料层的界面处的内建电场方向与二维铁电材料层极化形成的内建电场方向相同；衬底上还设置有上电极和下电极，上电极与n型二维半导体材料层直接接触，下电极与p型二维半导体材料层直接接触。本申请利用n型二维半导体材料层/二维铁电材料层、二维铁电材料层/p型二维半导体材料层的界面处形成的结型内建电场，稳定二维铁电材料层中的铁电极化方向。
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公开(公告)号：CN111755447B
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202010667362.1
申请日：2020-07-13
Applicant: 湘潭大学
Abstract: 本发明涉及一种基于多逻辑态的高密度铁电存储单元及其调控方法。存储单元包括衬底、第一绝缘层、下电极、介电层、铁电层、二维磁性层、第二绝缘层、纳米导线、第三绝缘层。本发明能够通过调控二维磁性层是内部电子自旋极化而调控其禁带宽度。调控方法是利用纳米导线中通过的电流脉冲所产生的磁场控制二维磁性层的电子自旋方向，纳米导线中的电流脉冲方向改变时磁场的方向也相应改变，从而改变二维磁性层中电子的自旋方向，二维磁性层的电子自旋方向改变时，将引起二维磁性层能带的变化。二维磁性层能带的变化与铁电层极化的变化共同作用能够引起电子隧穿过铁电层时所需跨越势垒的高度和宽度，从而实现了不同逻辑态的调控。
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公开(公告)号：CN115985994A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202310047894.9
申请日：2023-01-31
Applicant: 湘潭大学
IPC: H01L31/09 , H01L31/0304 , H01L31/0216
Abstract: 本发明公开了一种提升α‑In2Se3基二维光电探测器性能的方法，属于光电响应探测领域。本发明通过由Ar2+和CF22+组成的混合离子束对α‑In2Se3基二维光电探测器施加辐照，发现功能Ar2+离子在α‑In2Se3中创造浅层能级空位的同时CF22+离子能够钝化α‑In2Se3中深层能级空位，即两种离子协同发挥各自的优势，加快α‑In2Se3基光电探测器的光响应速度，提升α‑In2Se3基光电探测器的光电流；且本发明限定的方法简单易行，具有很强的实用性。
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