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公开(公告)号：CN119480717A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411882213.1
申请日：2024-12-19
Applicant: 湖南顶立科技股份有限公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/677 , H01L21/687
Abstract: 本发明公开了一种多腔室连续式高温热处理设备，包括依次连续设置在一起的进料腔室、加工腔室和出料腔室，加工腔室包括至少一个转移段和一个冷却段，转移段顶部连接设有至少一个高温腔室；加工腔室内设有物料平移机构、保温隔离门机构和物料升降机构，每个高温腔室设有物料保持机构。通过利用转移段将多个高温腔室串接起来，使得整个高温热处理设备形成立体空间布局，大幅减少了整个设备的平面占用面积，空间利用率更高。通过在同一个转移段上设置至少一个高温腔室，可对同一工件进行一种或多种高温热处理工艺，还可同时对多个工件进行热处理，以同时满足多个工件的多种高温热处理工艺要求，大幅提高生产效率。本发明还公开了该设备的加工方法。
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公开(公告)号：CN119265546A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202411665157.6
申请日：2024-11-20
Applicant: 湖南顶立科技股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种内置电磁场的化学气相沉积炉，包括炉体、设置在炉体内的保温层、设置在炉体内的加热器以及与加热器电连接的外部电源，保温层内侧设有隔离筒，加热器设置在隔离筒和保温层之间，加热器设置为将隔离筒包围在其内部的螺旋状，外部电源为中高频交流电源。通过在炉体内设置螺旋状的加热器，并将隔离筒设置在螺旋状加热器中心位置，使得工件正好位于螺旋状加热器的内部，将外部电源设置为中高频交流电源，一方面能够让加热器发热为工件提供热源；另一方面加热器能够产生交变电磁场，直接作用在工件上，从而使得工件自发热，提高了设备的升温效率。
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公开(公告)号：CN119289669A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202411743884.X
申请日：2024-11-30
Applicant: 湖南顶立科技股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种带组合式保温结构的中高频感应加热炉，包括炉壳、设置在炉壳内的石墨坩埚、设置在所述石墨坩埚外侧的保温层、设置在所述保温层和炉壳之间的感应加热线圈，所述保温层包括同心设置的至少两层保温筒，相邻两保温筒之间设有高温瓷垫。通过设置保温层包括同心设置的至少两层保温筒，减小了单层保温筒的截面积，降低单个保温层的磁通量，从而大幅减小了保温筒产生的感应电流，降低了保温层自发热的风险。通过在相邻两保温筒之间设置高温瓷垫，使得相邻两层保温筒之间绝缘，避免在保温筒内产生大电流。
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公开(公告)号：CN119194607A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411698053.5
申请日：2024-11-26
Applicant: 湖南顶立科技股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种晶体材料的高温高压铸锭炉，包括炉架、设置在炉架上的炉体、保温装置、坩埚组件和加热器，保温装置包括保温罩和底部保温板，加热器包括顶部加热体和引电支撑脚，引电支撑脚穿过坩埚组件外侧与保温罩之间的间隙从所述保温罩的底部延伸至炉体的侧壁，再与设置在所述炉体外部的加热电源电连接。通过设置保温罩的四周向下延伸至底部保温板的外侧，有效阻止了保温装置内部的高温高压气体与保温装置外部的低温气体产生高速的冷热对流、防止了高温气体外逸，确保了高温高压热成的稳定性，降低了能耗；同时延长了设备的使用寿命。本发明还公开了一种晶体材料的高温高压铸锭炉的铸锭方法。
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公开(公告)号：CN117722847A
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202311849316.3
申请日：2023-12-29
Applicant: 湖南顶立科技股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种马弗和用于烧结炉的加热器，属于烧结炉技术领域。该马弗，由多节炉管拼接而成，马弗一端固定，马弗的另一端由弹簧压紧机构预压紧。本发明还提出一种用于烧结炉的加热器，包括上述马弗。本发明提出的马弗，马弗一端固定，马弗的另一端由弹簧压紧机构预压紧，在弹簧压紧机构的弹性作用下，当发生热胀或者冷缩时，弹簧压紧机构始终给马弗的炉管节施加一个外力，确保贴合紧密，从而使得马弗的密封性好。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117663787A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202311849994.X
申请日：2023-12-29
Applicant: 湖南顶立科技股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种用于烧结炉密封门的刮渣机构和密封门，属于烧结炉技术领域。该用于烧结炉密封门的刮渣机构，包括底座、气缸、伸缩件和刮板；所述底座用于固定在烧结炉的壳体上，所述气缸安装在所述底座上，所述伸缩件与所述气缸连接，所述刮板与所述伸缩件连接。该密封门，包括上述刮渣机构、门板、门框、定位机构和升降机构；所述升降机构位于所述门板的上方并与所述门板连接，所述定位机构包括卡块和挡块，所述挡块安装于所述壳体上并位于所述门板的侧方，所述卡块安装于门板上。本发明在刮板与密封门的摩擦力作用下将密封门上的副产物挂掉，避免了因为附着在密封门上的副产物导致的密封门密封性变差的问题。
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公开(公告)号：CN119412927A
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202411880097.X
申请日：2024-12-19
Applicant: 湖南顶立科技股份有限公司
Abstract: 本发明适用于陶瓷烧结技术领域，提供了一种大尺寸超薄陶瓷均匀烧结设备及烧结工艺。所述大尺寸超薄陶瓷均匀烧结设备包括：发热组件，用于在内部均匀辐射热量；至少一个承烧盘，设置在所述发热组件内部；所述承烧盘的上表面采用平面，用于承载工件，下表面的中心厚度小于边缘厚度。本发明的承烧盘边缘厚、中间薄，提高承烧盘的温度相应性，减小工件水平面上的温差。
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公开(公告)号：CN119177495A
公开(公告)日：2024-12-24
申请号：CN202411698056.9
申请日：2024-11-26
Applicant: 湖南顶立科技股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种碳化硅单晶生长设备，包括炉体、保温层、设置在保温层内的坩埚和电阻加热器，坩埚包括上坩埚和下坩埚，上下坩埚之间设有连通的气相输送管，气相输送管连通设置在上坩埚本体和下坩埚盖之间；电阻加热器包括设置在上坩埚四周的上加热体、设置在下坩埚四周的下加热体和设置在气相输送管四周的中间加热体。通过设置坩埚包括上坩埚和下坩埚，以及在上下坩埚之间设置气相输送管，使得在坩埚内密闭空间中位于籽晶和碳化硅多晶原料之间的区域空间变得更小，不容易会产生温度梯度；同时下坩埚内存在温差的各区域的气相碳化硅在气相输送管内充分混合后形成统一温度的气相碳化硅，从而保证了碳化硅单晶的质量。
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公开(公告)号：CN119177494A
公开(公告)日：2024-12-24
申请号：CN202411698048.4
申请日：2024-11-26
Applicant: 湖南顶立科技股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种多料柱碳化硅单晶生长设备，包括设置在炉架上的炉体、保温层、坩埚组和电阻加热器，电阻加热器设置在坩埚组外圆周面的外侧；坩埚组包括圆周均布设置在电阻加热器中心位置的至少两套坩埚套件，以及驱动每套坩埚套件绕自身旋转轴旋转的自旋机构。这样就能使用同一套加热装置就能对多个坩埚内进行加热，同步进行多个碳化硅单晶生长，从而提高了生产效率、降低了制造成本；整体设备更为紧凑，占据空间更小，所需要的工艺气体和升温能源也更少，从而更节省制造成本；通过设置自旋机构驱动每套坩埚套件绕自身旋转轴旋转，使得每套坩埚套件均匀加热，进一步确保了碳化硅单晶生长的质量。本发明还公开了该设备的制备工艺。
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公开(公告)号：CN119177429A
公开(公告)日：2024-12-24
申请号：CN202411698049.9
申请日：2024-11-26
Applicant: 湖南顶立科技股份有限公司
IPC: C23C16/44 , C23C16/455
Abstract: 本发明公开了一种内外双组份筒状工件的化学气相沉积炉，包括炉体、保温装置、设置在保温装置内的加热器、工艺充气系统、排气系统、上阻隔环，保温装置内设有沉积室；上阻隔环和筒状工件将沉积室分隔为外室区域和内室区域；工艺充气系统包括内、外侧进气管路；排气系统包括尾气分离环和两个排气通道，尾气分离环将炉体内侧顶部区域分割为分别与两个排气通道连通的内尾气区域和外尾气区域；上阻隔环和保温装置顶部均设有内、外连通通道。该化学气相沉积炉实现了对筒状工件内外侧面同时进行异质或双组份化学气相沉积加工，从而降低了生产能耗、提高了生产效率；并能将尾气分离排放，提高了安全性。
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