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公开(公告)号：CN112411173A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN202011297063.X
申请日：2020-11-18
Applicant: 湖南顶立科技有限公司 , 南昌大学
IPC: D06M11/09 , C30B23/00 , C30B29/36 , D06M101/40
Abstract: 本发明公开了一种高纯碳纤维硬毡的制备方法，包括以下步骤：S1.提纯Ⅰ：取待提纯碳纤维硬毡，采用纯化气体A，于温度Ⅰ条件下，进行气热提纯Ⅰ反应；S2.提纯Ⅱ：采用纯化气体A和纯化气体B，于温度Ⅱ条件下，对步骤S1提纯后的碳纤维硬毡，进行气热提纯Ⅱ反应；S3.提纯Ⅲ：采用纯化气体A和纯化气体B，于温度Ⅲ条件下，对步骤S2提纯后的碳纤维硬毡，进行气热提纯Ⅲ反应，得到高纯碳纤维硬毡。本发明采用进行分阶段提纯处理的方法，使碳纤维硬毡达到较高的纯度，灰分和关键杂质含量都可以控制在一定范围内，采用该碳纤维硬毡作为保温材料制备的碳化硅单晶材料的缺陷明显下降，单晶的生长质量大大提高。
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公开(公告)号：CN112340726A
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN202011294418.X
申请日：2020-11-18
Applicant: 湖南顶立科技有限公司 , 南昌大学
IPC: C01B32/215 , C30B23/00
Abstract: 本发明公开了一种高纯石墨坩埚的制备方法，包括以下步骤：S1.取待提纯石墨坩埚，于2800℃以上，且真空条件下，进行高温提纯反应；S2.采用纯化气体A，于温度Ⅰ条件下，进行气热提纯Ⅰ反应；S3.采用纯化气体A和纯化气体B，于温度Ⅱ条件下，进行气热提纯Ⅱ反应；S4.采用纯化气体A和纯化气体B，于温度Ⅲ条件下，进行气热提纯Ⅲ反应，得到高纯石墨坩埚。本发明采用先进行高温提纯处理，然后再进行分阶段气热提纯处理的方法，使石墨坩埚达到较高的纯度，灰分和关键杂质含量都可以控制在一定范围内，采用该石墨坩埚制备的碳化硅单晶材料的缺陷明显下降，单晶的生长质量大大提高。
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公开(公告)号：CN112760616B
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202011528221.8
申请日：2020-12-22
Applicant: 湖南顶立科技有限公司
IPC: C23C16/44 , C23C16/458 , C23C16/52
Abstract: 本申请公开一种气相沉积装置，包括，壳体、料盘、传动轴组件以及驱动装置，其中，所述料盘设置在所述壳体的内腔，所述料盘用于承载工件；传动轴组件设置在所述料盘下方，与所述料盘连接；驱动装置设置在所述壳体外部，与所述传动轴组件远离所述料盘的一端连接，所述驱动装置被配置为：带动所述传动轴组件转动的同时使得所述传动轴组件沿轴向方向移动。本申请提供的气相沉积装置，相较于现有技术而言，可以提高工件表面沉积厚度的均匀性，提高工件表面质量。
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公开(公告)号：CN103909274A
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201410171633.9
申请日：2014-04-25
Applicant: 湖南顶立科技有限公司
Abstract: 本发明提供了一种钴包覆纳米WC晶体复合粉末的制备方法，包括以下步骤：1)将原料和水混合，得到钨钴复合盐溶液，所述原料包括以下组分：40wt％～60wt％的紫钨、30wt％～52wt％的水溶性钴盐、4wt％～10wt％的炭源、1wt％～4wt％的PEG和0.05wt％～3wt％的分散剂；2)将所述步骤1)得到的钨钴复合盐溶液进行干燥，得到钴包覆前驱体粉末；3)将所述步骤2)得到的钴包覆前驱体粉末在还原气氛下进行还原碳化处理，得到钴包覆纳米WC晶体复合粉末。本发明提供的方法制备得到的钴包覆纳米WC晶体复合粉末性能稳定、成分均匀、WC晶粒细小、粉末成分容易控制。
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公开(公告)号：CN110960725B
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN201911290079.5
申请日：2019-12-16
Applicant: 湖南顶立科技有限公司 , 中南大学
Abstract: 本发明涉及一种牙种植体及其制备方法。该牙种植体，由钛合金粉末制成，其中，所述钛合金粉末由如下质量分数的元素构成：14.5～16.5％Ta、2.5～4.5％Nb、2.2～4.2％Zr、0～0.0005％O，其余为Ti。该牙种植体的制备方法，将钛合金粉末采用激光选区熔化增材制造工艺制备形成所述牙种植体；其中，所述钛合金粉末由如下质量分数的元素构成：14.5～16.5％Ta、2.5～4.5％Nb、2.2～4.2％Zr、0～0.0005％O，其余为Ti。该牙种植体可实现在确保生物相容性的同时还可以促进骨组织生长。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110960725A
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201911290079.5
申请日：2019-12-16
Applicant: 湖南顶立科技有限公司 , 中南大学
Abstract: 本发明涉及一种牙种植体及其制备方法。该牙种植体，由钛合金粉末制成，其中，所述钛合金粉末由如下质量分数的元素构成：14.5～16.5％Ta、2.5～4.5％Nb、2.2～4.2％Zr、0～0.0005％O，其余为Ti。该牙种植体的制备方法，将钛合金粉末采用激光选区熔化增材制造工艺制备形成所述牙种植体；其中，所述钛合金粉末由如下质量分数的元素构成：14.5～16.5％Ta、2.5～4.5％Nb、2.2～4.2％Zr、0～0.0005％O，其余为Ti。该牙种植体可实现在确保生物相容性的同时还可以促进骨组织生长。
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公开(公告)号：CN104401966B
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：CN201410710712.2
申请日：2014-11-28
Applicant: 湖南顶立科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种碳纳米管连续式生产设备，包括：连续进料装置；立式加热炉体；连接于立式加热炉体底部，且与立式加热炉体连通的立式冷却室；卧式收料室，卧式收料室上开设有出料密封门；与卧式收料室连通的旋风分离器，旋风分离器的底部具有物料收集装置；密封水箱，密封水箱内设置有盛水装置；第二尾气管道，第二尾气管道的第一端与旋风分离器密封连通，第二端没入盛水装置的水中。密封水箱上设置有与盛水装置连通的进水管；还包括设置于密封水箱内的锥形斗，盛水装置固定于锥形斗内，锥形斗上设置有排水管。本发明中的设备实现了碳纳米管的连续式生产，从而实现了碳纳米管的批量化生产。本发明还公开了一种碳纳米管连续式生产方法。
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公开(公告)号：CN103909274B
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201410171633.9
申请日：2014-04-25
Applicant: 湖南顶立科技有限公司
Abstract: 本发明提供了一种钴包覆纳米WC晶体复合粉末的制备方法，包括以下步骤：1)将原料和水混合，得到钨钴复合盐溶液，所述原料包括以下组分：40wt％～60wt％的紫钨、30wt％～52wt％的水溶性钴盐、4wt％～10wt％的炭源、1wt％～4wt％的PEG和0.05wt％～3wt％的分散剂；2)将所述步骤1)得到的钨钴复合盐溶液进行干燥，得到钴包覆前驱体粉末；3)将所述步骤2)得到的钴包覆前驱体粉末在还原气氛下进行还原碳化处理，得到钴包覆纳米WC晶体复合粉末。本发明提供的方法制备得到的钴包覆纳米WC晶体复合粉末性能稳定、成分均匀、WC晶粒细小、粉末成分容易控制。
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公开(公告)号：CN103920887B
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201410195538.2
申请日：2014-05-09
Applicant: 湖南顶立科技有限公司
Abstract: 本发明提供了一种制备WC-Co粉末的方法，包括以下步骤：将碳化钨、水溶性钴盐、碳源和水混合，得到混合料浆；将所述混合料浆球磨混匀后进行喷雾造粒，得到钴盐包覆WC前驱体粉末；将所述钴盐包覆WC前驱体粉末进行还原碳化，得到WC-Co粉末。本发明提供的方法以水溶性钴盐作为钴源，采用液相法制备得到钴盐包覆WC前驱体粉末，使得钴以溶液分子级形式均匀包覆在WC的表面，再将所述钴盐包覆WC前驱体粉末还原碳化，得到WC-Co粉末。本发明得到的WC-Co粉末粒度均匀、成分可控，粉末成分均匀、成分中未出现W2C、η-Co3W3C、η-Co6W6C、金属钨等；球形度高及流动性好，喷涂基体表面不发生脱碳相及相的分解。
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公开(公告)号：CN115290206A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202211026391.5
申请日：2022-08-25
Applicant: 湖南顶立科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种高精度控温的沉积系统及其测温方法，沉积系统包括从内到外的沉积室、石墨坩埚、保温模块和外壳，石墨坩埚和保温模块间设置的加热器，还包括测温装置，所述石墨坩埚、保温模块和外壳的对应位置均设有孔，用于所述测温装置的插入；所述测温装置包括感温元件和热电偶，所述感温元件安装在所述石墨坩埚的孔中，所述热电偶从所述外壳、保温模块的孔中穿过后，所述热电偶的测量端与感温元件的一端接触，所述感温元件的另一端进入所述沉积室。本发明解决了沉积炉内温度的测量精确性有待提高的问题，并避免温度滞后的现象。
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