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公开(公告)号：CN114163233B
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202111643699.X
申请日：2021-12-30
申请人： 湖南省美程陶瓷科技有限公司
IPC分类号： C04B35/491 , C04B35/493 , C04B35/622 , C04B41/88 , H10N30/853 , H10N30/097
摘要： 本发明涉及电子陶瓷材料领域，具体为一种高介低损耗压电陶瓷继电器材料及其制备方法，由主体材料和表面镀层组成；所述主体材料的化学式为PbxSm1‑x(MnyNb1‑y)n(ZrzTi1‑z)1‑nO3+awt.％Y2O3+bwt.％Al2O3+cwt.％Sb2O3；其中，0.8≤x＜1，0.4≤y≤0.6，0.5≤z≤0.8，n＝0.15‑0.2，a＝0.55‑0.95，b＝1‑1.25，c＝0.22‑0.30；所述表面镀层为Ni‑Ag‑P层，本发明所制备压电陶瓷材料具有优异的压电性能，表面镀层腐蚀电位高，耐蚀性好，且镀速快，综合性能较好，不仅具有良好的导电性还可以对陶瓷材料起到很好的防护作用。
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公开(公告)号：CN114394828A
公开(公告)日：2022-04-26
申请号：CN202210019481.5
申请日：2022-01-10
申请人： 湖南省美程陶瓷科技有限公司
IPC分类号： C04B35/462 , C04B35/50 , C04B35/622 , C04B35/63
摘要： 本发明涉及电子陶瓷材料领域，具体为一种中介电常数电子陶瓷材料及其制备方法，由主晶相、烧结助剂和复合粉体组成；所述主晶相为BaSm2Ti4O12；所述烧结助剂由CuTa2O6、Eu2O3、氟化物组成；所述复合粉体为多孔Al2O3吸附纳米SnO2和纳米CeO2，本发明所制备电子陶瓷材料的介电常数在45.20‑45.37之间，稳定性高，介电损耗小，品质因子高，谐振频率温度系数无限接近于零，漂移程度小，可以保证工作稳定性，且能够满足5G通信基站建设所用。
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公开(公告)号：CN114349504B
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202210013234.4
申请日：2022-01-07
申请人： 湖南省美程陶瓷科技有限公司
IPC分类号： C04B35/495 , C04B35/622
摘要： 本发明涉及电子陶瓷材料领域，具体为一种掺杂型钙钛矿继电器电子陶瓷材料及其制备方法，由掺杂助剂、烧结助剂、钙钛矿型电子陶瓷主晶相组成；所述掺杂助剂为Al2O3和Ta2O5；所述烧结助剂LiAlO2与氟化物组成；所述钙钛矿型电子陶瓷主晶相为Ba[(Co1‑xMnx)1/3Nb2/3]O3，0＜x≤0.4，本发明所制备电子陶瓷材料的介电常数在36‑38之间稳定波动，介电损耗小，品质因子高，谐振频率温度系数无限接近于零，用于电子设备中漂移程度小，可以保证工作稳定性。
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公开(公告)号：CN114276130B
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202210046080.9
申请日：2022-01-17
申请人： 湖南省美程陶瓷科技有限公司
IPC分类号： H01L35/16 , H01L35/18 , H01L35/34 , C04B35/622 , C04B35/64
摘要： 本发明涉及电子陶瓷材料领域，具体为一种半导体热电传感器陶瓷材料及其制备方法，由主晶相和烧结助剂组成，主晶相分子式为Bi(1‑x‑y‑z)BaxYbyNbzCuSeO，烧结助剂为CaO‑B2O3‑SiO2玻璃粉和纳米Al2O3，x＝0.1‑0.2，y＝0.04‑0.08，z＝0.2‑0.5，本发明所制备的半导体热电传感器陶瓷材料具有极高的电导率和较低的热导率，相比于BiCuSeO半导体陶瓷，本发明半导体热电传感器陶瓷材料的载流子浓度、载流子迁移率、无量纲热电优值ZT值都出现了明显提升，具有良好的热电性能，市场应用前景广泛。
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公开(公告)号：CN114349504A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202210013234.4
申请日：2022-01-07
申请人： 湖南省美程陶瓷科技有限公司
IPC分类号： C04B35/495 , C04B35/622
摘要： 本发明涉及电子陶瓷材料领域，具体为一种掺杂型钙钛矿继电器电子陶瓷材料及其制备方法，由掺杂助剂、烧结助剂、钙钛矿型电子陶瓷主晶相组成；所述掺杂助剂为Al2O3和Ta2O5；所述烧结助剂LiAlO2与氟化物组成；所述钙钛矿型电子陶瓷主晶相为Ba[(Co1‑xMnx)1/3Nb2/3]O3，0＜x≤0.4，本发明所制备电子陶瓷材料的介电常数在36‑38之间稳定波动，介电损耗小，品质因子高，谐振频率温度系数无限接近于零，用于电子设备中漂移程度小，可以保证工作稳定性。
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公开(公告)号：CN114163233A
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202111643699.X
申请日：2021-12-30
申请人： 湖南省美程陶瓷科技有限公司
IPC分类号： C04B35/491 , C04B35/493 , C04B35/622 , C04B41/88 , H01L41/187 , H01L41/43
摘要： 本发明涉及电子陶瓷材料领域，具体为一种高介低损耗压电陶瓷继电器材料及其制备方法，由主体材料和表面镀层组成；所述主体材料的化学式为PbxSm1‑x(MnyNb1‑y)n(ZrzTi1‑z)1‑nO3+awt.％Y2O3+bwt.％Al2O3+cwt.％Sb2O3；其中，0.8≤x＜1，0.4≤y≤0.6，0.5≤z≤0.8，n＝0.15‑0.2，a＝0.55‑0.95，b＝1‑1.25，c＝0.22‑0.30；所述表面镀层为Ni‑Ag‑P层，本发明所制备压电陶瓷材料具有优异的压电性能，表面镀层腐蚀电位高，耐蚀性好，且镀速快，综合性能较好，不仅具有良好的导电性还可以对陶瓷材料起到很好的防护作用。
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公开(公告)号：CN114394828B
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202210019481.5
申请日：2022-01-10
申请人： 湖南省美程陶瓷科技有限公司
IPC分类号： H01B3/12 , C04B35/462 , C04B35/50 , C04B35/622 , C04B35/63
摘要： 本发明涉及电子陶瓷材料领域，具体为一种中介电常数电子陶瓷材料及其制备方法，由主晶相、烧结助剂和复合粉体组成；所述主晶相为BaSm2Ti4O12；所述烧结助剂由CuTa2O6、Eu2O3、氟化物组成；所述复合粉体为多孔Al2O3吸附纳米SnO2和纳米CeO2，本发明所制备电子陶瓷材料的介电常数在45.20‑45.37之间，稳定性高，介电损耗小，品质因子高，谐振频率温度系数无限接近于零，漂移程度小，可以保证工作稳定性，且能够满足5G通信基站建设所用。
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公开(公告)号：CN114276130A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202210046080.9
申请日：2022-01-17
申请人： 湖南省美程陶瓷科技有限公司
IPC分类号： C04B35/45 , C04B35/622 , C04B35/64
摘要： 本发明涉及电子陶瓷材料领域，具体为一种半导体热电传感器陶瓷材料及其制备方法，由主晶相和烧结助剂组成，主晶相分子式为Bi(1‑x‑y‑z)BaxYbyNbzCuSeO，烧结助剂为CaO‑B2O3‑SiO2玻璃粉和纳米Al2O3，x＝0.1‑0.2，y＝0.04‑0.08，z＝0.2‑0.5，本发明所制备的半导体热电传感器陶瓷材料具有极高的电导率和较低的热导率，相比于BiCuSeO半导体陶瓷，本发明半导体热电传感器陶瓷材料的载流子浓度、载流子迁移率、无量纲热电优值ZT值都出现了明显提升，具有良好的热电性能，市场应用前景广泛。
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公开(公告)号：CN214978220U
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202121535017.9
申请日：2021-07-07
申请人： 湖南省美程陶瓷科技有限公司
摘要： 本实用新型公开了一种压力传感器陶瓷设备毛刺清理装置，包括工作台，所述工作台右侧上端固定连接驱动电机的缸体，所述驱动电机的输出轴固定连接下夹板，所述工作台左侧上端固定连接L型固定块，所述L型固定块的横板右侧上端固定连接电动推杆的缸体，所述电动推杆的活塞杆贯穿L型固定块设置，并连接有上夹板，所述上夹板设置于下夹板正上方，所述工作台上设置有支撑架，所述支撑架上方设置有转动支撑轮，所述下夹板设置于转动支撑轮上方，所述L型固定块上设置有支持杆，所述支持杆末端设置有支持环，所述支持环套设于活塞杆上，活塞杆上设置有安装板，所述安装板上设置有刀具。解决了现有陶瓷毛刺打磨设备使用时不稳定，打磨质量不高的问题。
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公开(公告)号：CN214973797U
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202121510369.9
申请日：2021-07-05
申请人： 湖南省美程陶瓷科技有限公司
IPC分类号： B01J2/02
摘要： 本实用新型公开了一种压电陶瓷喷雾造粒机，包括造粒机本体，所述造粒机本体的一侧设有观察窗，所述造粒机本体的一侧设有与观察窗相互匹配的活动门，所述活动门一侧设有固定板，所述活动门铰接于固定板上，所述固定板固定设置于造粒机本体的侧壁上，所述活动门上部设置有转动杆，所述转动杆上设置有联动弯杆，所述联动弯杆末端设置有挡板，所造粒机本体上活动设置有联动直杆，所述联动直杆位于造粒机本体外的一端设置有套环，所述联动直杆位于造粒机本体内的一端设置有刮板，所述刮板覆盖于观察窗上，所述联动弯杆活动设置于套环内。以解决擦除结构复杂、不便保养、擦除工序复杂的问题。
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