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公开(公告)号：CN118812261B
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411271318.3
申请日：2024-09-11
申请人： 湖南省美程陶瓷科技有限公司
IPC分类号： C04B35/495 , C04B35/622 , G01L1/16 , G01L9/08
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公开(公告)号：CN118907849A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202411197225.0
申请日：2024-08-29
申请人： 湖南省美程陶瓷科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种陶瓷环码垛机的输送设备，本发明涉及码垛机技术领域。具体包括：底座，所述底座的顶部设置有码垛机；该陶瓷环码垛机的输送设备还包括：运输机构，用于运输装箱后的陶瓷环，起到在竖直方向对接箱体与码垛机的作用，所述运输机构固定连接在底座的外部，所述运输机构的内部设置有运输箱；放置机构，用于分区装载多个陶瓷环，起到将每个陶瓷环分别放置并对每个陶瓷环进行保护的作用，所述放置机构固定连接在运输箱的内部。所述运输机构包括：外箱，所述外箱固定连接在底座的外部，所述外箱的内部固定连接有风机，所述外箱的外部固定连接有弯管，所述弯管设置有两个，该陶瓷环码垛机的输送设备，达到了提高设备的使用效率的目的。
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公开(公告)号：CN118851758A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202411098567.7
申请日：2024-08-12
申请人： 湖南省美程陶瓷科技有限公司
IPC分类号： C04B35/493 , C04B35/622
摘要： 本发明涉及压电陶瓷材料领域，具体为一种锆钛酸铅基压电陶瓷及其制备方法，其化学结构式如下：(1‑α‑β)Pb(MgxNb1‑x)z(ZryTi1‑y)1‑zO3‑α(Ca1‑qLnq)TiO3‑βLiTaO3其中，Ln为镧系元素；0＜x≤0.5，0.4≤y≤0.6，0＜z≤0.5；0＜q≤0.2；0＜α≤0.2，0＜β≤0.1，本发明所制备的锆钛酸铅基压电陶瓷具有良好的压电性能和较高的居里温度，可以满足多种场合的应用需求。
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公开(公告)号：CN118359435B
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410782280.X
申请日：2024-06-18
申请人： 湖南省美程陶瓷科技有限公司
IPC分类号： C04B35/495
摘要： 本发明涉及压电陶瓷材料领域，具体为一种高压电性能的KNN基压电陶瓷材料及其制备方法，其化学结构式如下：(K1‑xNax)1‑yLnyNbO3‑αwt%BiYbO3‑βwt%Bi12GeO20其中，Ln为镧系元素；x=0.5，y=0.05，α=1，β=0.1，本发明所制备的KNN基压电陶瓷材料具有良好的压电性能，可以满足工业生产与实际应用需求。
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公开(公告)号：CN117843383A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202311745293.1
申请日：2023-12-19
申请人： 湖南省美程陶瓷科技有限公司
IPC分类号： C04B35/80 , C04B35/14 , C04B35/622 , C04B41/88
摘要： 本发明涉及到了密封圈技术领域，具体为一种高耐磨陶瓷密封圈，所述陶瓷密封圈由以下重量组分配比而成：氮化硅10‑200份、硅土23‑260份、碳化钨100‑120份、石英200‑352份、石灰80‑230份、碳纤维90‑270份、玻璃钢100‑320份、锌20‑120份、白刚玉58‑156份、粘结剂10‑80份、增强剂1‑98份、活化剂11‑35份、炭黑26‑98份与水1‑600份。本申请还公开了一种高耐磨陶瓷密封圈的制备方法。本申请通过选取特定的耐磨损材料作为添加，并且在生产过程将浆料内形成的气泡进行消除，烧制，烧制完成后，在密封圈的外表面浸染有玻璃钢材质，并且在最外层镀有锌，能够大幅提升陶瓷密封圈的耐磨性，减少人们不断更换的次数，提升使用的寿命，带来了更好的使用前景。
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公开(公告)号：CN113560110B
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN202110889217.2
申请日：2021-08-04
申请人： 湖南省美程陶瓷科技有限公司
IPC分类号： B05B17/06 , B32B3/26 , B32B9/00 , B32B9/04 , B32B15/00 , B32B15/04 , C04B35/495 , C04B35/622 , C04B41/52 , C04B41/90 , C22C38/02 , C22C38/04 , C22C38/40 , C22C38/60 , C23C28/00
摘要： 本发明涉及复合材料领域，具体为一种陶瓷‑金属复合雾化片及其制备方法，由压电陶瓷片、复合过渡层、金属片组成，所述复合过渡层设于压电陶瓷片与金属片之间，所述压电陶瓷片上设有孔体，所述金属片上设有密集雾化区，所述孔体和密集雾化区的位置相对应，本发明在压电陶瓷片于金属片之间加入复合过渡层，形成热膨胀系数的梯度，可以减少形变应力，避免因压电陶瓷片与金属片之间热膨胀系数差异，导致受热不匀而产生裂纹，导致雾化片损坏，延长其使用寿命。
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公开(公告)号：CN114349504B
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202210013234.4
申请日：2022-01-07
申请人： 湖南省美程陶瓷科技有限公司
IPC分类号： C04B35/495 , C04B35/622
摘要： 本发明涉及电子陶瓷材料领域，具体为一种掺杂型钙钛矿继电器电子陶瓷材料及其制备方法，由掺杂助剂、烧结助剂、钙钛矿型电子陶瓷主晶相组成；所述掺杂助剂为Al2O3和Ta2O5；所述烧结助剂LiAlO2与氟化物组成；所述钙钛矿型电子陶瓷主晶相为Ba[(Co1‑xMnx)1/3Nb2/3]O3，0＜x≤0.4，本发明所制备电子陶瓷材料的介电常数在36‑38之间稳定波动，介电损耗小，品质因子高，谐振频率温度系数无限接近于零，用于电子设备中漂移程度小，可以保证工作稳定性。
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公开(公告)号：CN114276130B
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202210046080.9
申请日：2022-01-17
申请人： 湖南省美程陶瓷科技有限公司
IPC分类号： H01L35/16 , H01L35/18 , H01L35/34 , C04B35/622 , C04B35/64
摘要： 本发明涉及电子陶瓷材料领域，具体为一种半导体热电传感器陶瓷材料及其制备方法，由主晶相和烧结助剂组成，主晶相分子式为Bi(1‑x‑y‑z)BaxYbyNbzCuSeO，烧结助剂为CaO‑B2O3‑SiO2玻璃粉和纳米Al2O3，x＝0.1‑0.2，y＝0.04‑0.08，z＝0.2‑0.5，本发明所制备的半导体热电传感器陶瓷材料具有极高的电导率和较低的热导率，相比于BiCuSeO半导体陶瓷，本发明半导体热电传感器陶瓷材料的载流子浓度、载流子迁移率、无量纲热电优值ZT值都出现了明显提升，具有良好的热电性能，市场应用前景广泛。
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公开(公告)号：CN113735581B
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202111086690.3
申请日：2021-09-16
申请人： 湖南省美程陶瓷科技有限公司
IPC分类号： C04B35/495 , C04B35/622 , C04B41/88 , C04B41/80
摘要： 本发明涉及电子陶瓷材料领域，具体为一种无铅压电陶瓷材料及其制备方法，由以下化学式表示：(1‑x)(KaNa1‑a)bLi1‑bNbcTa1‑cO3+x(NadK1‑d)eBi1‑eZrO3+y Lu2O3+z B2O3；其中，x为0.02‑0.04，y为0.005‑0.01，z为0.01‑0.03；a为0.50‑0.60，b为0.96‑0.98，c为0.80‑0.90，d为0.80‑0.86，e为0.50‑0.60，所制备的无铅压电陶瓷材料在目前KNN基无铅压电陶瓷性能中处于先进水平，具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN114349504A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202210013234.4
申请日：2022-01-07
申请人： 湖南省美程陶瓷科技有限公司
IPC分类号： C04B35/495 , C04B35/622
摘要： 本发明涉及电子陶瓷材料领域，具体为一种掺杂型钙钛矿继电器电子陶瓷材料及其制备方法，由掺杂助剂、烧结助剂、钙钛矿型电子陶瓷主晶相组成；所述掺杂助剂为Al2O3和Ta2O5；所述烧结助剂LiAlO2与氟化物组成；所述钙钛矿型电子陶瓷主晶相为Ba[(Co1‑xMnx)1/3Nb2/3]O3，0＜x≤0.4，本发明所制备电子陶瓷材料的介电常数在36‑38之间稳定波动，介电损耗小，品质因子高，谐振频率温度系数无限接近于零，用于电子设备中漂移程度小，可以保证工作稳定性。
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