公开(公告)号：CN118519182B

公开(公告)日：2025-04-04

申请号：CN202410590150.6

申请日：2024-05-13

Applicant: 湖南大学

Inventor： 姜潮 ,  邱添 ,  王中华 ,  胡德安

IPC: G01T1/17 ,  G01T1/167 ,  G01T1/24 ,  G01T7/00

Abstract: 本发明提出一种基于NMOS辐射总剂量的感应电路及光电编码器辐射补偿电路，利用核辐射环境NMOS晶体管漏电流增大和PMOS晶体管受辐射损伤小的特性，构建差分放大电路对NMOS的辐射漏电流进行处理，输出的电压信号可以有效表征辐射环境下电离辐射的总剂量水平。将电压信号通过由FPGA主控芯片控制的AD采样芯片进行采样并由主控输出辐照总剂量信息，同时电压信号通过本发明设计的PMOS补偿电路直接对电源电流和运放输入进行补偿。与现有技术相比，具有结构简单、可靠性高、功耗低和成本低等优势，且不需要对电路进行外部的抗辐射加固。

公开(公告)号：CN116755137A

公开(公告)日：2023-09-15

申请号：CN202310556797.2

申请日：2023-05-17

Applicant: 湖南大学

Inventor： 姜潮 ,  邱添 ,  王中华

IPC: G01T1/24 ,  H03K19/003

Abstract: 一种基于NMOS的阶梯式核辐射总剂量指示及补偿电路，包括：偏置电路为NMOS管栅极提供阶梯式偏置电压；阶梯偏置切换电路接收NMOS晶体管感应信号，并切换偏置电压给NMOS晶体管辐射感应阵列电路；感应阵列电路通过核辐射源对自身NMOS晶体管的辐射损伤，对NMOS晶体管阈值电压的影响指示电路板电离辐射总剂量等级；FPGA补偿控制电路接收来自感应阵列电路输出的电平变化信号，输出对应大小的核辐射总剂量，对数字电位器输出补偿控制信号，通过修改数字电位器对辐射损伤电信号输出阻值进行补偿。本发明利用NMOS晶体管的阈值电压辐射损伤效应，在核辐射环境下评估当前电路板受辐射总剂量的定点大小，为FPGA辐射补偿电路提供指示信号，具有低功耗、强鲁棒性等优点。

公开(公告)号：CN118519182A

公开(公告)日：2024-08-20

申请号：CN202410590150.6

申请日：2024-05-13

Applicant: 湖南大学

Inventor： 姜潮 ,  邱添 ,  王中华 ,  胡德安

IPC: G01T1/17 ,  G01T1/167 ,  G01T1/24 ,  G01T7/00

Abstract: 本发明提出一种基于NMOS辐射总剂量的感应电路及光电编码器辐射补偿电路，利用核辐射环境NMOS晶体管漏电流增大和PMOS晶体管受辐射损伤小的特性，构建差分放大电路对NMOS的辐射漏电流进行处理，输出的电压信号可以有效表征辐射环境下电离辐射的总剂量水平。将电压信号通过由FPGA主控芯片控制的AD采样芯片进行采样并由主控输出辐照总剂量信息，同时电压信号通过本发明设计的PMOS补偿电路直接对电源电流和运放输入进行补偿。与现有技术相比，具有结构简单、可靠性高、功耗低和成本低等优势，且不需要对电路进行外部的抗辐射加固。